「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, a p-type impurity is activated by heat-treatment.例文帳に追加

その後、熱処理により、ｐ型不純物を活性化させる。 - 特許庁

In the n-type current confinement layer 8, the concentration of the n-type impurity is higher than that of the p-type impurity.例文帳に追加

ｎ型電流狭窄層８においては、ｎ型不純物の濃度はｐ型不純物の濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

INTEGRATED FUEL CONTAINER AND CARTRIDGE OF REMOVING IMPURITY例文帳に追加

一体化された燃料容器及び不純物除去カートリッジ - 特許庁

A body layer 2 made of a p-type impurity region is formed on an n^- layer 6 made of an n-type impurity region.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域からなるＮ^-層６には、Ｐ型不純物領域からなるボディ層２が形成されている。 - 特許庁

PROCESSING METHOD AND DEVICE FOR WORKING FLUID CONTAINING FLOATING IMPURITY例文帳に追加

浮遊夾雑物を含む加工液の処理方法及び装置 - 特許庁

METHOD OF SEPARATING IMPURITY ELEMENT FROM PLATINUM GROUP SOLUTION例文帳に追加

白金族溶解液からの不純物元素の分離方法 - 特許庁

REMOVAL METHOD AND ANALYSIS METHOD OF IMPURITY IN SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェハの不純物の除去方法及び分析方法 - 特許庁

An n^+ impurity region 3 and a p^+ impurity region 4 are interconnected and connected to a peripheral circuit 50.例文帳に追加

ｎ^+不純物領域３及びｐ^+不純物領域４は互いに接続され、かつ周辺回路５０に接続されている。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR ABATEMENT OF IMPURITY FROM GAS STREAM例文帳に追加

ガス流からの不純物減少のための方法及びシステム - 特許庁

IMPURITY-CONTAINING GALLIUM NITRIDE POWDER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

不純物含有窒化ガリウム粉体およびその製造方法 - 特許庁

Annealing for activating the impurity regions are performed.例文帳に追加

不純物領域を活性化するためのアニールが行なわれる。 - 特許庁

EVALUATION METHOD FOR METAL IMPURITY CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 - 特許庁

HIGH CONCENTRATION IMPURITY DIAMOND THIN FILM, AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CLEANING MATERIAL CONTAINING IMPURITY例文帳に追加

不純物含有材料の浄化方法及び浄化装置 - 特許庁

Since an impurity element is added under a low temperature, amorphous state can be attained with a small quantity of impurity element.例文帳に追加

低温で不純物元素の添加を行なうことで、少量の不純物元素で非晶質状態を作ることが出来る。 - 特許庁

SPECTRAL ANALYZER AND METHOD FOR ANALYZING IMPURITY IN GAS例文帳に追加

分光分析装置及びガス中の不純物の分析方法 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING BASIC IMPURITY OF 6-CHLORONICOTINE DERIVATIVE例文帳に追加

６−クロロニコチン誘導体の塩基性不純物除去方法 - 特許庁

METHOD AND INSTRUMENT FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION IN SUBSTRATE例文帳に追加

基板中の不純物濃度測定方法およびその装置 - 特許庁

TRANSPARENT IMPURITY CAPTURING FILM WITH LOW REFRACTIVE INDEX, AND ITS UTILIZATION例文帳に追加

低屈折率の透明不純物捕捉膜およびその利用 - 特許庁

Next, it is heated to activate impurities of the N-type impurity layer 32 and P-type impurity layer 34.例文帳に追加

次いで、熱処理を施して、Ｎ型不純物層３２及びＰ型不純物層３４の不純物を活性化させる。 - 特許庁

DEVICE FOR RECOVERING POLYSTYRENE AND METHOD FOR REMOVING IMPURITY THEREFOR例文帳に追加

ポリスチレン回収装置とそのための夾雑物除去方法 - 特許庁

EXTRACTION PROCESS FOR REMOVAL OF IMPURITY FROM AQUEOUS MIXTURE例文帳に追加

水性混合物から不純物を除去する抽出方法 - 特許庁

A p^- impurity region 61 connected to the p^+ impurity region 6 is located below the metal electrode 14.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域６に接続されたｐ^-不純物領域６１は金属電極１４の下方に位置している。 - 特許庁

Further, the ion species of N type impurity is arsenic As.例文帳に追加

そして、そのＮ型不純物のイオン種を砒素Ａｓにする。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING TRICHLOROSILANE WITH REDUCED BORON COMPOUND IMPURITY例文帳に追加

ホウ素化合物の不純物を減じたトリクロロシラン製造方法 - 特許庁

First impurity gas adheres to the semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体層上に第１不純物ガスが吸着する。 - 特許庁

The impurity 7 is also injected in the polysilicon film 4G.例文帳に追加

不純物７は、ポリシリコン膜４Ｇ内にも注入される。 - 特許庁

The depth of the base portion of the second impurity diffusion layer 206-12 is coincident with the depth of the base portion of the first impurity diffusion layer 206-10.例文帳に追加

第２不純物拡散層206-12は、その底部の深さが第１不純物拡散層206-10の底部の深さに一致する。 - 特許庁

METHOD OF GETTERING TRANSITION METAL IMPURITY IN SILICON CRYSTAL例文帳に追加

シリコン結晶中の遷移金属不純物のゲッタリング方法 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING METAL ION IMPURITY FROM LIQUID FLOW例文帳に追加

液体流から金属イオン不純物を除去する方法 - 特許庁

IMPURITY REMOVING STRUCTURE AND FLUID OSCILLATION TYPE FLOWMETER例文帳に追加

不純物除去構造及び流体振動形流量計 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION CONTROL METHOD IN SEMICONDUCTOR HETERO STRUCTURE例文帳に追加

半導体ヘテロ構造における不純物拡散制御手段 - 特許庁

METHOD OF QUANTITATIVE DETERMINATION OF IMPURITY IN CARBON NANOTUBE例文帳に追加

カーボンナノチューブ中の不純物を定量分析する方法 - 特許庁

To uniform a potential distribution between a first impurity region and a second impurity region (for example, a source and a drain).例文帳に追加

第１不純物領域−第２不純物領域間（たとえば、ソース−ドレイン間）の電位分布を均一にすること。 - 特許庁

The fuel reforming system is provided with a low temperature impurity removing part 40 and a high temperature impurity removing part 44.例文帳に追加

燃料改質システム１５は、低温不純物除去部４０と高温不純物除去部４４とを備えている。 - 特許庁

Then, an impurity is injected into the area made into the amorphous form.例文帳に追加

アモルファス化された領域に不純物を注入する。 - 特許庁

After the removal of the impurity S attached to the chip 22 to cause the occurrence of the void, the bonding is conducted with the state of the impurity S removed by an impurity removal means 35 maintained.例文帳に追加

チップ２２に付着してボイド発生要因となる不純物Ｓを除去した後、不純物除去手段３５にて不純物Ｓが除去された状態を維持しつつボンディングする。 - 特許庁

The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The first buried layer 12 is formed by an N+ type first impurity layer 12A and an N type second impurity layer 12B dispersed in a region larger than that of the first impurity layer.例文帳に追加

第１の埋め込み層１２はＮ＋型の第１の不純物層１２Ａと、それより広い範囲に拡散されたＮ型の第２の不純物層１２Ｂとによって形成される。 - 特許庁

At a position located on the outer side of the first high-concentration impurity region 31A and deeper than the first high-concentration impurity region, a second high-concentration impurity region 32A is formed.例文帳に追加

第１高濃度不純物領域３１Ａの外側方で且つ第１高濃度不純物領域よりも深い位置には、第２高濃度不純物領域３２Ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a chemical filter in which a granular impurity and a gaseous impurity are not dropped off from a filter itself and an extremely low concentration of gaseous impurity can be efficiently removed.例文帳に追加

フィルタ自身からの粒子状不純物やガス状不純物の脱離がなく、極低濃度のガス状不純物を効率よく除去することができるケミカルフィルタを提供する。 - 特許庁

An impurity doped polysilicon film 31 is formed, and an impurity is diffused from the film 31 to the semiconductor substrate 30 side so that the impurity diffusion region for contact can be formed on the surface.例文帳に追加

不純物ドープトポリシリコン膜３１を形成するとともに、膜３１から半導体基板３０側に不純物を拡散させて表層部にコンタクト用不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

Thus, the continuity of the impurity regions between the impurity region 172 and the impurity region 171 being a low density extension region can be ensured, and the electric connection can be stabilized.例文帳に追加

これにより、不純物領域１７２と低濃度エクステンション領域である不純物領域１７１相互間の不純物領域の連続性が確保され、電気的接続が安定化する。 - 特許庁

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。 - 特許庁

To provide an impurity-concentration inspecting apparatus with which the impurity concentration of the whole of a semiconductor material as an object to be measured is measured and inspected simply, and with which the state of an impurity distribution is reproduced.例文帳に追加

被測定物たる半導体材料全体の不純物濃度を簡便に測定・検査し、不純物分布の様子を再生する不純物濃度検査装置を提供すること。 - 特許庁