「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, when a high-concentration impurity region 15 to serve as a lower electrode of the high-precision capacitor is formed by ion implantation of an impurity in the semiconductor substrate 10, the impurity is additionally implanted in the lower electrode 13b of the high-breakdown-voltage capacitor to increase an impurity concentration of the lower electrode 13b.例文帳に追加

その後、半導体基板１０に不純物をイオン注入して高精度キャパシタの下部電極となる高濃度不純物領域１５を形成する際に、高耐圧キャパシタの下部電極１３ｂに不純物を追加注入し、下部電極１３ｂの不純物濃度を向上させる。 - 特許庁

The lead parts 55 and 60 have a higher impurity concentration than the indirect heat resistance 12.例文帳に追加

リード部５５、６０は傍熱抵抗１２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.例文帳に追加

第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁

To suppress any impurity from being stuck to a semiconductor light emitting element.例文帳に追加

半導体発光素子への不純物の付着を抑制することを課題とする。 - 特許庁

The impurity concentration in the second layer 40 is higher than that in the first layer 30.例文帳に追加

第２層４０の不純物濃度は第１層３０より高い。 - 特許庁

To accurately form an n-type high-concentration impurity region doped with only n-type impurities and an n-type low-concentration impurity region doped with n-type impurities and p-type impurities, by self-alignment when forming the n-type high-concentration impurity region and the p-type low-concentration impurity region on a semiconductor substrate adjacently to each other.例文帳に追加

半導体基板にｎ型不純物のみを導入したｎ型高濃度不純物領域と型不純物とｐ型不純物とを導入したｎ型低濃度不純物領域と隣接して形成する際、セルフアライメントにより高精度に形成する。 - 特許庁

IMPURITY PROCESSING DEVICE AND CLEANING METHOD THEREOF例文帳に追加

不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法 - 特許庁

IMPURITY CONCENTRATION MEASURING METHOD, STM MEASURING METHOD, AND STS MEASURING METHOD例文帳に追加

不純物濃度測定方法、ＳＴＭ測定方法及びＳＴＳ測定方法 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING SURFACE METAL IMPURITY OF PASTED SOI WAFER例文帳に追加

貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法 - 特許庁

The second impurity diffusion region 5 reaches the surface of the underlying substrate.例文帳に追加

第２の不純物拡散領域５は、下地基板の表面まで達する。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING IMPURITY IN FUEL OIL AND TREATMENT AGENT FOR FUEL OIL例文帳に追加

燃料油中の不純物除去方法および燃料油処理剤 - 特許庁

Subsequently, crystallization annealing is executed for the impurity-doped PZT film 24.例文帳に追加

次いで、不純物添加ＰＺＴ膜２４に対する結晶化アニールを行う。 - 特許庁

To improve the activation rate of an impurity layer formed in an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板に形成される不純物層の活性化率を向上させる。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR REMOVING IMPURITY FROM HEAVY FUEL例文帳に追加

重質燃料から不純物を除去する方法及びシステム - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING RHODIUM AND/OR INDIUM-CONTAINING MATERIAL FOR IMPURITY ELEMENT例文帳に追加

ロジウムやイリジウム含有物中の不純物元素分析方法 - 特許庁

Thus, the impurity 46 included in the fuel 40 is collected.例文帳に追加

このようにして、燃料４０に含まれている不純物４６は収集される。 - 特許庁

To provide a refining method for producing silicon free from impurity contamination.例文帳に追加

不純物汚染のないシリコン精錬方法を提供する。 - 特許庁

The first layer 8 has an impurity concentration uniform in the first direction.例文帳に追加

第１層８は、不純物濃度が第１方向に均一である。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REMOVING IMPURITY IN FLOW SOLDERING EQUIPMENT例文帳に追加

フロー式はんだ付け装置の不純物除去方法および装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REMOVING IMPURITY IN FLOW SOLDERING EQUIPMENT例文帳に追加

フロー式ハンダ付け装置の不純物除去方法および装置 - 特許庁

To form three or more different impurity diffusion regions on an identical substrate.例文帳に追加

３以上の異なる不純物拡散領域を同一基板上に形成する。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion region 109 integrated together by thermal diffusion is formed.例文帳に追加

熱拡散処理で一体化した不純物拡散領域１０９を形成する。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion processing method in a semiconductor element manufacturing process which forms a uniform impurity diffusion layer and can carry on an impurity diffusion process high in performance and a yield, an impurity diffusing device for use in the same method, and a semiconductor element containing a solar cell, etc., high in a yield.例文帳に追加

均一な不純物拡散層を形成し、性能や歩留まりの高い不純物拡散処理が可能な半導体素子製造工程における不純物拡散処理方法および同方法に用いる不純物拡散装置、並びに、歩留まりの高い太陽電池等を含む半導体素子を得ること。 - 特許庁

The third well 24 contains a first-conductivity first impurity diffusing layer 22.例文帳に追加

第３ウエル２４は、第１導電型の第１不純物拡散層２２を含む。 - 特許庁

The second well 14 contains a first-conductivity second impurity diffusing layer 26.例文帳に追加

第２ウエル１４は、第１導電型の第２不純物拡散層２６を含む。 - 特許庁

A base region (P impurity layer 4) is formed on a surface of an epitaxial layer 2, an emitter region (N+ impurity layer 5) is formed on a surface of the P impurity layer 4, and a collector region comprising the epitaxial layer 2 and an N+ impurity layer 6 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面にベース領域（Ｐ不純物層４）が形成され、Ｐ不純物層４の表面にエミッタ領域（Ｎ＋不純物層５）が形成され、エピタキシャル層２とＮ＋不純物層６とから成るコレクタ領域が構成されている。 - 特許庁

EARTH AND SAND IMPURITY SEPARATING BUCKET AND SEPARATING METHOD例文帳に追加

土砂夾雑物分離バケット及び土砂夾雑物分離方法 - 特許庁

METHOD OF MEASURING ELECTRONIC STATE OF IMPURITY AND DEFECT IN SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体内不純物および欠陥の電子状態測定方法 - 特許庁

To suppress the contamination of a magnet formed body caused by impurity gas.例文帳に追加

不純物ガスによる磁石成形体の汚染を抑制する。 - 特許庁

A second impurity region is formed on the opposite sides of the gate structure.例文帳に追加

第２不純物領域がゲート構造物の両側に形成される。 - 特許庁

IMPURITY REMOVAL METHOD OF SWASH PLATE TYPE FLUID MACHINE AND ITS DEVICE例文帳に追加

斜板式流体機械の不純物除去方法及びその装置 - 特許庁

Each source region or each drain region includes each of low-concentration impurity regions 5a-5f which adjoins to each of the channel regions, and includes each of high-concentration impurity regions 3a-3e and each of high-concentration impurity regions 4a-4f which are opposed to each of the channel regions with each of the low-concentration impurity regions in between.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域は、チャネル領域に隣接する低濃度不純物領域５ａ〜５ｆと、低濃度不純物領域から見てチャネル領域とは反対側に位置する高濃度不純物領域３ａ〜３ｅ、４ａ〜４ｆとを含む。 - 特許庁

Furthermore, no impurity derived from animal components is mixed.例文帳に追加

さらに、これらには動物成分由来の不純物の混入の問題がない。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 122 is formed in the substrate 120.例文帳に追加

半導体基板１２０において、不純物拡散層１２２が設けられている。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING CONDUCTIVE IMPURITY-DOPED GaAs SEMICONDUCTIVE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

導電性不純物をドープしたＧａＡｓ半導体単結晶製造方法 - 特許庁

The metallic floor 52 is formed so that the entire face of the impurity region 8 is covered.例文帳に追加

金属床５２は、不純物領域８を全面に覆うように形成する。 - 特許庁

To provide a new technology for activating a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型不純物を活性化するための新規の技術を提供する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR CLEANING HAIR AND REMOVING IMPURITY FROM HAIR AND METHOD FOR USING THE COMPOSITION例文帳に追加

頭髪から不純物を洗浄および除去する組成物および方法 - 特許庁

ALUMINUM MATERIAL OF HARDLY ELUTING IMPURITY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法 - 特許庁

To obtain impurity diffusion of high mass productivity at a low cost.例文帳に追加

低コストで量産性の高い不純物拡散を実現する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING CONCENTRATION OF IMPURITY IN CVD MEMBRANE例文帳に追加

ＣＶＤ膜の不純物濃度測定方法及び測定装置 - 特許庁

The source area 30a and the drain area 30b are respectively provided with first impurity areas 5b and 5c formed right under the gate electrode 12 of the n-type TFT 30, and second impurity areas 5f and 5g whose impurity concentration is higher than that of the first impurity areas 5b and 5c.例文帳に追加

ソース領域３０ａおよびドレイン領域３０ｂの各々は、ｎ型ＴＦＴ３０のゲート電極１２の真下に形成された第１不純物領域５ｂ，５ｃと、第１不純物領域５ｂ，５ｃの不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第２不純物領域５ｆ，５ｇとを有している。 - 特許庁

DIFFUSION AGENT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION LAYER例文帳に追加

拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法 - 特許庁

Further, Mg can be controlled to ≤0.03% as impurity.例文帳に追加

さらに、不純物としてＭｇ：０．０３％以下に規制することができる。 - 特許庁

EXHAUST SYSTEM STRUCTURE OF FILM FORMING DEVICE AND METHOD OF REMOVING IMPURITY GAS例文帳に追加

成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法 - 特許庁