「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

One impurity diffusion region of the first transistor constitutes a common diffusion region continuously up to one impurity diffusion region of the second transistor through the impurity diffusion region arranged to the surface layer section of a substrate.例文帳に追加

第１のトランジスタの一方の不純物拡散領域が、基板の表層部に配置された不純物拡散領域を介して第２のトランジスタの一方の不純物拡散領域まで連続して共通拡散領域を構成している。 - 特許庁

In between the p+-type impurity region 33 and the PMOS15, in the upper surface of the n-type impurity region 28, an n+-type impurity region 32 is formed.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive layer reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further it is made to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電層である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともにソース２６とドレイン２８とも隣接させる。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor layer 30 is provided with first and second Si body areas 22 and 23 including high-density p-type impurity, an SiGe layer 24 including low-density p-type impurity, and an Si channel layer 25 including the low-density p-type impurity.例文帳に追加

また、高濃度のｐ型不純物を含む第１，第２Ｓｉボディ領域２２，２３と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉＧｅ層２４と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉチャネル層２５とが設けられている。 - 特許庁

This prevents an impurity from diffusing unnecessarily toward the transistor Tr when the third conductive layer 11 is doped with the impurity in a highly concentrated manner and the impurity is allowed to diffuse outward.例文帳に追加

したがって第３の導電層１１に高濃度に不純物をドープし不純物を外方拡散しても、セルトランジスタＴｒ側に不必要に拡散されることがない。 - 特許庁

Thus, even if the diffusion coefficient of the impurity is small, the substitution of the impurity to the lattice position at the hole can be carried out sufficiently, so that the activation factor of the impurity can be improved.例文帳に追加

これにより、不純物の拡散係数が小さくても、空孔において不純物の格子位置への置換を充分に行うことができ、不純物の活性化率を向上させることができる。 - 特許庁

N-type impurity layers N14, N15, and N16 functioning as a body region are connected to a high potential line VDL via the N-type impurity layers N17, N18 and N19, respectively, and moreover via the N-type impurity layer NL.例文帳に追加

ボディ領域として機能するＮ型不純物層Ｎ１４，Ｎ１５，Ｎ１６にはそれぞれＮ型不純物層Ｎ１７，Ｎ１８，Ｎ１９を介して、更にいずれもＮ型不純物層ＮＬを介して高電位線ＶＤＬに接続される。 - 特許庁

In an impurity activating thermal processing method, in an impurity activating thermal processing after an impurity introducing process with respect to a processing body is implemented, the temperature rises at a temperature rising speed from a first setting temperature T_1 to a second setting temperature T_2.例文帳に追加

不純物活性化熱処理方法は、被処理体に対して不純物導入工程を実施した後の不純物の活性化熱処理において、第１の設定温度Ｔ_１から第２の設定温度Ｔ_２まで、昇温速度で昇温する。 - 特許庁

The active layer of NTFT is formed of a channel forming region 102, first impurity region 103, second impurity region 104, and third impurity region 105.例文帳に追加

ＮＴＦＴの活性層をチャネル形成領域１０２、第１不純物領域１０３、第２不純物領域１０４及び第３不純物領域１０５で形成する。 - 特許庁

Contact holes for connecting an N-type impurity region and a P-type impurity region of the diode to a first conductive film of the protection circuit are distributed over the entire impurity regions.例文帳に追加

ダイオードのＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域を保護回路の１層目の導電膜と接続するためのコンタクトホールは、各不純物領域全体に分布して形成される。 - 特許庁

The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

An impurity introducing area and an impurity non-introducing area are provided in a channel forming area, when injecting an ion of an impurity into the channel forming area, in order to control a threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧制御のために、チャネル形成領域に不純物のイオン注入をするとき、チャネル形成領域に、不純物導入する領域と不純物導入されない領域を設ける。 - 特許庁

To provide an impurity-concentration inspecting apparatus with which the impurity concentration of the whole of a semiconductor material as an object to be measured is measured and inspected simply, and with which the state of an impurity distribution is reproduced.例文帳に追加

被測定物たる半導体材料全体の不純物濃度を簡便に測定・検査し、不純物分布の様子を再生する不純物濃度検査装置を提供すること。 - 特許庁

This method provides the conditions with which the first impurity region 104 and the second impurity region 105 can be formed at the same time, in the step of impurity doping.例文帳に追加

不純物添加一工程において、第一の不純物領域１０４および第二の不純物領域１０５を同時に形成できる条件を提供する。 - 特許庁

In addition, the first impurity introduction region 110 and the second impurity introduction region 111 are formed so as to be separated from a channel layer 103 within a range in which an electron in the channel layer 103 does not generate impurity scattering.例文帳に追加

また、第１不純物導入領域１１０および第２不純物導入領域１１１は、チャネル層１０３の電子に不純物散乱を生じさせない範囲でチャネル層１０３より離間して形成されている。 - 特許庁

The first buried layer 12 is formed by an N+ type first impurity layer 12A and an N type second impurity layer 12B dispersed in a region larger than that of the first impurity layer.例文帳に追加

第１の埋め込み層１２はＮ＋型の第１の不純物層１２Ａと、それより広い範囲に拡散されたＮ型の第２の不純物層１２Ｂとによって形成される。 - 特許庁

A JFET region 7 contacts the body region 4 on the drift layer 3 and has an impurity concentration N_1j of the first conductivity type and an impurity concentration N_2j of the second conductivity type smaller than the impurity concentration N_1j.例文帳に追加

ＪＦＥＴ領域７は、ドリフト層３上においてボディ領域４に隣接し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1jと、不純物濃度Ｎ_1jよりも小さい第２導電型の不純物濃度Ｎ_2jとを有する。 - 特許庁

Also, of the plurality of layers 11Bi (15Bj), the impurity concentration of the layer near the active layer 13 is higher (second impurity concentration) than the first impurity concentration in the layers 11Ai (15Aj).例文帳に追加

また、複数の低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、上記高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）における第１の不純物濃度よりも高濃度（第２の不純物濃度）である。 - 特許庁

The pattern of a second impurity area 62, formed for adding the impurity has a line width which, is narrower than that of the first impurity area 60 by one rank.例文帳に追加

この不純物を追加するための第２不純物領域６２のパターンが、第１不純物領域６０のライン幅より一回り狭いライン幅を有している。 - 特許庁

Accordingly, etching of a semiconductor layer hardly progresses from the boundary surface between an impurity layer and the semiconductor layer, because the semiconductor layer is hardly exposed on the boundary surface due to the thickness of the impurity layer, for example even when the impurity layer is etched rapidly.例文帳に追加

したがって、例えば不純物層が速くエッチングされても、その厚さ分、境界面において半導体層が露出しにくくなるので、境界面から半導体層のエッチングが進行しにくい。 - 特許庁

The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.例文帳に追加

ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁

Impurity is activated by irradiating the semiconductor substrate 3, after impurity inserted into chambers 1 and 2 has been injected using an incoherent light by using a flash lamp 8, so that, impurity is activated.例文帳に追加

チャンバー１、２内部に挿入された不純物注入後の半導体基板３にフラッシュランプ８を用いてインコヒーレントな光を短時間照射することにより不純物の活性化を行う。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

Subsequently, an n-type impurity layer 65 is formed on the surface insulating film, and a p-type impurity layer 95 is formed on the rear insulating film respectively by printing, the impurity is diffused by heat-processing, and an n++ semiconductor layer and a p++ semiconductor layer are formed.例文帳に追加

次に，表面絶縁膜上にｎ型不純物層６５，裏面絶縁膜上にｐ型不純物層９５を，印刷法にて各々形成し，熱処理により不純物を拡散し，ｎ++半導体層及びｐ++半導体層を形成する。 - 特許庁

To improve performance and reliability of components of a wiring layer composed of a diffused layer, etc., by forming impurity ion implanted regions in contract with the surface of an insulation film on a part of semiconductor regions formed on an SOI substrate surface, and thermally diffusing the impurity in the impurity ion implanted regions.例文帳に追加

半導体領域に不純物が拡散されている拡散層からなる配線層などの構成要素の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an impurity leading method comprising a process for leading a required impurity to the surface of a solid base body and a process for irradiating the surface of the solid base body with plasma after the leading process, an impurity profile similar to a box type is formed.例文帳に追加

固体基体の表面に所望の不純物を導入する工程と、前記導入する工程の後、前記固体基体の表面にプラズマを照射する工程を含み、ボックス型に近い不純物プロファイルを形成する。 - 特許庁

A second floating gate 20 faces a region between the third impurity region 10 and the fourth impurity region 11 and the sixth impurity region 13 by interposing the first insulation film 14.例文帳に追加

第２フローティングゲート２０は、第３不純物領域１０と第４不純物領域１１との間の領域および第６不純物領域１３に、第１絶縁膜１４を挟んで対向している。 - 特許庁

Between the p+ type impurity region 33 and the PMOS 15, an n+ type impurity region 32 is formed in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

Between the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50, an epitaxially grown layer is formed, where the epitaxially grown layer is lower in impurity concentration than the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50.例文帳に追加

Ｎ型不純物層３０と真性ベース層５０との間に、Ｎ型不純物層３０及び真性ベース層５０よりも不純物濃度が低いエピタキシャル成長層が形成されている。 - 特許庁

To provide an impurity concentration measuring system capable of nondestructively, simply measuring a concentration of impurities of an InP substrate, and to provide an impurity concentration measuring method, an impurity concentration measuring program, and a computer-readable record medium.例文帳に追加

非破壊で、且つ簡便に、ＩｎＰ基板の不純物の濃度を測定することが可能な不純物濃度測定システム、不純物濃度測定方法、不純物濃度測定プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

Thus, the continuity of the impurity regions between the impurity region 172 and the impurity region 171 being a low density extension region can be ensured, and the electric connection can be stabilized.例文帳に追加

これにより、不純物領域１７２と低濃度エクステンション領域である不純物領域１７１相互間の不純物領域の連続性が確保され、電気的接続が安定化する。 - 特許庁

A p^+-type impurity diffusion region 12, an n^+-type impurity diffusion region 14 and a p^+-type impurity diffusion region 16 connected to the source electrode V_dd are shared in field PMOS1 and field PMOS2.例文帳に追加

このソース電極Ｖ_ｄｄに接続されたＰ^＋型不純物拡散領域１２、Ｎ^＋型不純物拡散領域１４およびＰ^＋型不純物拡散領域１６が、フィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２とで共用されている。 - 特許庁

A first floating gate 16 faces a region between the second impurity region 9 and the third impurity region 10 and the fifth impurity region 12 by interposing the first insulation film 14.例文帳に追加

第１フローティングゲート１６は、第２不純物領域９と第３不純物領域１０との間の領域および第５不純物領域１２に、第１絶縁膜１４を挟んで対向している。 - 特許庁

An n^+-type impurity region 32 is formed in between the p^+-type impurity region 33 and the PMOS 15 in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^＋型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

At this time, the p-type impurity contained in the p^+-type impurity layer 22 is diffused into the p-type epitaxial layer 10 and, as a result, a p^+-type impurity layer 11 is formed.例文帳に追加

このとき、ｐ^+ 型不純物層２２中のｐ型不純物がｐ型エピタキシャル層１０に拡散して、ｐ^+ 型不純物層１１が形成される。 - 特許庁

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。 - 特許庁

An n-type impurity is injected in high concentration with a first impurity injection mask consisting of a resist, and after that, the first impurity injection mask is exfoliated.例文帳に追加

レジストからなる第１の不純物注入マスクをマスクとしてｎ型不純物を高濃度に注入し、この後、第１の不純物注入マスクを剥離する。 - 特許庁

After the removal of the impurity S attached to the chip 22 to cause the occurrence of the void, the bonding is conducted with the state of the impurity S removed by an impurity removal means 35 maintained.例文帳に追加

チップ２２に付着してボイド発生要因となる不純物Ｓを除去した後、不純物除去手段３５にて不純物Ｓが除去された状態を維持しつつボンディングする。 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

By a reduction in the width of the contact impurity region, the contact impurity region can be restrained from approaching the gate structure of the peripheral MOS transistor, and the source/drain regions of the peripheral MOS transistor can be restrained from increasing in effective impurity concentration.例文帳に追加

この横幅の減少により、コンタクト不純物領域がゲート構造に接近するのを抑え、周辺ＭＯＳトランジスタの実効的ソース、ドレイン濃度の上昇を抑える。 - 特許庁

Furthermore, A low impurity concentration region 32 in which the impurity concentration is lower than that of the high impurity concentration region 31 is provided in a part intersected with an X direction out of the side 14T.例文帳に追加

更に、側面１４ＴのうちでＸ方向と交差する部分内に、高不純物濃度領域３１よりも不純物濃度が低い低不純物濃度領域３２が設けられている。 - 特許庁

An impurity region sandwiched between the p-body regions 9 of plural semiconductor devices is formed of an N--type layer 5 of a low concentration impurity region which is near to the surface of a substrate 6 and an N+-type layer 4 of a high concentration impurity region.例文帳に追加

複数の半導体素子のＰボディ領域９間に挟まれた不純物領域が、基板６表面から低濃度不純物領域であるＮ^-層５、高濃度不純物領域であるＮ^+型層４で構成されている。 - 特許庁

Thus, the impurity 46 stuck with the micro-bubble 45 sinks, and the impurity 46 deposits on the impurity deposit part 30 positioned in this sinking direction.例文帳に追加

このため、マイクロバブル４５が付着していた不純物４６は沈下し、この沈下する方向に位置している不純物堆積部３０に不純物４６は堆積する。 - 特許庁

Forming an n-type impurity layer 6 along a side of a p^+type impurity layer 3 makes an expanse of depletion layer extending from a side part of the p^+type impurity layer 3 to a n^-type drift layer 2 small.例文帳に追加

ｐ^+型不純物層３の側面部に沿ってｎ型不純物層６を形成することで、ｐ^+型不純物層３の側面部からｎ^-型ドリフト層２に伸びる空乏層の広がりを小さくする。 - 特許庁