「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, an impurity is injected into the area made into the amorphous form.例文帳に追加

アモルファス化された領域に不純物を注入する。 - 特許庁

Impurity is doped into the entirety in the side of the rear surface of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子裏面側全体に不純物を注入する。 - 特許庁

The divided impurity layer 30a is caught by a catching cavity 19.例文帳に追加

分流された不純物層３０ａを捕捉キャビティ１９に捕捉する。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING AIRBORNE IMPURITY AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

気中不純物の評価方法及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

and that it was that unknown impurity which lent efficacy to the draught. 例文帳に追加

薬に効き目をもたらしていたのは、その不明な不純物だったのだ。 - Robert Louis Stevenson『ジキルとハイド』

Yogoru is a temporary and shallow impurity that can be removed by acts of cleaning, but 'Kegaru' is a continuous and inner impurity and a type of impurity which seems to be removed by ritual ceremonies such as 'Kiyome,' etc. 例文帳に追加

「よごる」が一時的・表面的な汚れであり洗浄等の行為で除去できるのに対し、「けがる」は永続的・内面的汚れであり「清め」等の儀式執行により除去されるとされる汚れである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A second impurity semiconductor layer in the conductivity type opposed to that of the first impurity semiconductor layer is formed on the second single crystal semiconductor layer and a second electrode is formed on the second impurity semiconductor layer.例文帳に追加

第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 - 特許庁

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.例文帳に追加

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁

Concerning such a laser processing method, the other impurity area is shallower than one impurity area and does not touch one impurity area.例文帳に追加

本発明は、前記レーザー処理方法によって、前記他方の不純物領域は、前記一方の不純物領域よりも浅く、かつ前記一方の不純物領域と接触していないようにする。 - 特許庁

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, processing for forming an epitaxial layer whose impurity concentration is lower than that of the n type buffer layer 3, and for selectively injecting the n type impurity and the p type impurity into the upper face is repeated.例文帳に追加

次に、不純物濃度がｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低いエピタキシャル層を形成し、その上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する処理を繰り返す。 - 特許庁

The impurity region 23 captures hydrogen remaining in the p-type semiconductor layer, so that the concentration of hydrogen of the impurity region 23 is higher than the part other than the impurity region 23 in the insulating film 20.例文帳に追加

ｐ型半導体層内に残留する水素を不純物領域２３が捕獲するため、不純物領域２３の水素濃度は絶縁膜２０のうち不純物領域２３を除く部分よりも高くなっている。 - 特許庁

To prevent oxidation combustion of impurity during removing work of the impurity by enabling oxidation prevention gas or combustion prevention gas to be spouted to a scooping part from a handle part of a removing implement thereby protecting the impurity scooped up from molten metal surface by gas atmosphere.例文帳に追加

除去具の柄部から掬い部に酸化防止ガス又は防燃ガスを噴出できるようにして、溶湯面から掬い取った不純物をガス雰囲気で保護し、除去作業中での不純物の酸化燃焼を防止する。 - 特許庁

When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined.例文帳に追加

単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。 - 特許庁

An impurity raw solution containing organic phosphorus compound as a conductivity type determining impurity and a solvent is applied on a semiconductor substrate 1, and a liquid impurity source layer 2 is formed and dried.例文帳に追加

半導体基板１上に導電型決定用不純物として有機リン化合物と溶媒とを含有する不純物減溶液を塗布して液状不純物源層２を形成し、これを乾燥させる。 - 特許庁

With photoresist 6 being a mask, a first conductivity type impurity is ion-implanted in a separated implanted region of a silicon layer 3 to form an impurity region having higher impurity concentration than a channel region.例文帳に追加

フォトレジスト６をマスクとして、シリコン層３の分離注入領域に第１導電型の不純物をイオン注入しチャネル領域よりも高い不純物濃度を有する不純物領域を形成する。 - 特許庁

In this case, a chemical equilibrium is formed to the impurity element by mixing a compound gas containing the impurity element for controlling the threshold value in the atmosphere, to prevent the impurity element from escaping into a gaseous phase.例文帳に追加

その際、雰囲気中に前記しきい値制御のための不純物元素を含む化合物ガスを混合することで、該不純物元素にとって化学的な平衡状態を形成し、該不純物元素が気相中へと離脱するのを防止する。 - 特許庁

A semiconductor device has impurity diffusion regions formed on a substrate 11, the impurity diffusion mask 12 which is provided with cutouts and formed on the substrate 11, and electrodes formed on the impurity diffusion regions.例文帳に追加

基板１１に形成された複数の不純物拡散領域と、前記基板１１上に形成され、部分的に欠けた形状を有する不純物拡散用マスク１２と、前記不純物拡散領域上に形成された電極とを有する。 - 特許庁

As a result, since the impurity from one direction ((3) or (4)) of the impurity to be implanted from four directions, variations of an impurity concentration of the pocket ion region PKn2 can be suppressed.例文帳に追加

その結果、４方向から注入される不純物のうち一方向（（３）もしくは（４））からの不純物が注入されないため、ポケットイオン領域ＰＫｎ２の不純物濃度のばらつきを抑え、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

An impurity doped polysilicon film 31 is formed, and an impurity is diffused from the film 31 to the semiconductor substrate 30 side so that the impurity diffusion region for contact can be formed on the surface.例文帳に追加

不純物ドープトポリシリコン膜３１を形成するとともに、膜３１から半導体基板３０側に不純物を拡散させて表層部にコンタクト用不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity atom pair of a first impurity atom 106 and a second impurity atom 107 introduced to a semiconductor layer 101 in a region between a p-type region 102 and an n-type region 103.例文帳に追加

ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域の半導体層１０１に導入された第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７からなる不純物原子対を備える。 - 特許庁

A connection part of a base electrode 8 to the base region (P impurity layer 4) is positioned between an end on a collector electrode 10 side of the base region (P impurity layer 4) and the emitter region (N+ impurity layer 5).例文帳に追加

ベース電極８とベース領域（Ｐ不純物層４）の接続部が、ベース領域（Ｐ不純物層４）のコレクタ電極１０側の端部とエミッタ領域（Ｎ＋不純物層５）との間に位置する。 - 特許庁

The resist is coated again and left on the wafer formed by the first impurity layer, and a second impurity layer 7 is formed while being masked by a resist 5b and ion-implanted by a P-type impurity.例文帳に追加

さらにレジストを塗布し、第１不純物層が形成された基板面上にレジストを残し、このレジスト５ｂをマスクにＰ型不純物をイオン注入して第２の不純物層７を形成する。 - 特許庁

In the process of injecting any impurity, the impurity is injected into the dummy cells 61_1 to 61_8 such that the impurity oozes from the dummy cells 61_1 to 61_8 to the reference cell 41_2.例文帳に追加

ここで、不純物を注入する工程においては、リファレンスセル４１_２にダミーセル６１_１〜６１_８から上記不純物が染み出すように、ダミーセル６１_１〜６１_８に上記不純物を注入することを特徴とする。 - 特許庁

On one surface of a first conductivity type first base layer having a first impurity concentration, a first conductivity type buffer layer having a second impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed.例文帳に追加

第１の不純物濃度を有する第１導電型の第１ベース層の一方の面に、第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する第１導電型のバッファ層が形成される。 - 特許庁

And then, a third impurity injection mask consisting of the gate electrode is formed by patterning the mask 35 again, and the n-type impurity is injected in low concentration with the third impurity injection mask used as a mask.例文帳に追加

次に、第２の不純物注入マスク３５を再度パターニングしてゲート電極からなる第３の不純物注入マスクを形成し、この第３の不純物注入マスクをマスクとしてｎ型不純物を低濃度に注入する。 - 特許庁

A first conductivity type first impurity diffusion region 16 is formed along a plane facing the channel region of the source region and the drain region and has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration.例文帳に追加

第１導電型の第１不純物拡散領域１６は、ソース領域およびドレイン領域のそれぞれのチャネル領域と面する面に沿って形成され、第１不純物濃度より高い第２不純物濃度を有する。 - 特許庁

A diode 1 includes a cathode region 20 containing an n-type impurity in high concentration, a high-resistance region 40 containing an n-type impurity in low concentration and constantly along the thickness, and an anode region 50 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ダイオード１は、n型の不純物を高濃度に含むカソード領域２０と、n型の不純物を低濃度に含み、且つ厚み方向に一定に含む高抵抗領域４０と、p型の不純物を含むアノード領域５０を備えている。 - 特許庁

An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁

A p-type impurity region 5 is formed in the upper face of the semiconductor layer 2 above the embedded impurity regions 3 and 4 by detaching it from the impurity region 6.例文帳に追加

また、埋め込み不純物領域３，４の上方では、半導体層２の上面内に不純物領域６と離れてｐ型の不純物領域５が形成されている。 - 特許庁

After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).例文帳に追加

第２工程後、ｎ^-エピタキシャル層２におけるｎ型不純物領域にイオン注入し、ｎ型不純物領域と重なる領域にｎ^+不純物領域３および５を形成する（第３工程）。 - 特許庁

At this point, an impurity ion implantation treatment for forming the second source-drain region 7 is a treatment for changing a concentration of an implanted impurity according to a result of the resistance value of the impurity region 5p.例文帳に追加

ここで、当該第二のソースドレイン領域７を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域５ｐの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。 - 特許庁

A summarization processing part 141 finds impurity (f) for each attribute data in a log by using an impurity function, and selects attribute data having the largest impurity (f) as attribute data of a summarization object.例文帳に追加

要約処理部１４１は、不純度関数を用いて、ログ中の各属性データについての不純度ｆを求め、最もｆの大きな属性データを要約対象の属性データとして選択する。 - 特許庁

To provide a chemical filter in which a granular impurity and a gaseous impurity are not dropped off from a filter itself and an extremely low concentration of gaseous impurity can be efficiently removed.例文帳に追加

フィルタ自身からの粒子状不純物やガス状不純物の脱離がなく、極低濃度のガス状不純物を効率よく除去することができるケミカルフィルタを提供する。 - 特許庁

N+ impurity regions 9a to 9c, P+ impurity regions 10a and 10b and gate electrodes 8a and 8b are respectively formed into an annular shape, in such a way as to encircle a P+ impurity region 10c.例文帳に追加

ｎ^+型不純物領域９ａ〜９ｃ、ｐ^+型不純物領域１０ａ，１０ｂ、及びゲート電極８ａ，８ｂは、ｐ^+型不純物領域１０ｃを取り囲むようにそれぞれ円環状に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer has a channel region, a heavily doped impurity region functioning as a source region and a drain region, and a lightly doped impurity region formed between the heavily doped impurity region and the channel region.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。 - 特許庁

At a position located on the outer side of the first high-concentration impurity region 31A and deeper than the first high-concentration impurity region, a second high-concentration impurity region 32A is formed.例文帳に追加

第１高濃度不純物領域３１Ａの外側方で且つ第１高濃度不純物領域よりも深い位置には、第２高濃度不純物領域３２Ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a method and a device for determining quantitatively an impurity in gas, capable of measuring accurately an impurity gas concentration even when the impurity gas concentration is extremely low.例文帳に追加

不純物ガス濃度がきわめて微量であっても、不純物ガス濃度を正確に測定することのできるガス中の不純物定量方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

Two or more different impurity concentration regions are simultaneously formed by forming a source-drain diffused layer of the MOS transistor of a region for introducing an impurity and a region for not introducing the impurity.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン拡散層を不純物を導入する領域と導入しない領域により、２つ以上の異なる不純物濃度の領域を同時に形成することを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, the impurity treating apparatus is constituted of the impurity crusher 1 for crushing the impurities, the dehydrator 2 for dehydrating treatment matter obtained by crushing by the impurity crusher 1 and an anaerobic digestion tank 3 for anaerobically digesting the treatment matter.例文帳に追加

また、夾雑物を破砕する夾雑物破砕機１と、この夾雑物破砕機１で破砕された被処理物を脱水する脱水機２と、被処理物を嫌気性消化する嫌気性消化槽３とからなるものである。 - 特許庁

In the channel formation region, a region where the impurity element for providing the conductivity is not added is provided between the impurity region, in which the impurity element is added, and a source region and a drain region.例文帳に追加

チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 - 特許庁

First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

The impurity concentration of the silicon-based conductive film 48 is formed as an impurity concentration which is lower than the impurity concentration in the connection region with the silicon-based conductive film 48 of the semiconductor substrate 24.例文帳に追加

シリコン系導電性膜４８の不純物濃度は、半導体基板２４のシリコン系導電性膜４８との接続領域における不純物濃度より低い不純物濃度として形成した。 - 特許庁

The semiconductor substrate piece into which an impurity is previously implanted is mounted on the semiconductor substrate, so that the impurity containing part can be formed without direct implantation of impurity into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のように、あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を半導体基板に取り付けることによって、半導体基板に直接不純物を注入せずに不純物含有部を形成することが可能となる。 - 特許庁