「mis type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の製造方法およびＭＩＳ型半導体装置 - 特許庁

An identical chip has the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

同一チップ内にＮ型ＭＩＳトランジスタ及びＰ型ＭＩＳトランジスタを有する。 - 特許庁

MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application 例文帳に追加

MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF MIS-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の作製方法 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device includes the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

MIS-TYPE FET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＳ型ＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

MIS-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置とその作製方法 - 特許庁

MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の製造方法 - 特許庁

MIS type semiconductor device, comprising first MIS element (QW11) formed on the semiconductor substrate, utilizing either the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11). 例文帳に追加

半導体基板(１)の一主面に形成された第１のMIS素子（Qｗ11）と、この第１のMIS素子（Qｗ11）のドレイン(３)及びソース(４)領域のいずれか一方の領域をゲートとして用い、かつ前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上部に積み重ね形成された第２のMIS素子（QＲ11）とを有したことを特徴とするMIS型半導体装置。 - 特許庁

MIS GATE STRUCTURE TYPE HEMT ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING MIS GATE STRUCTURE TYPE HEMT ELEMENT例文帳に追加

ＭＩＳゲート構造型のＨＥＭＴ素子およびＭＩＳゲート構造型のＨＥＭＴ素子の作製方法 - 特許庁

An n-type MIS transistor Q_1 and a p-type MIS transistor Q_2 are fabricated on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1およびｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2を形成する。 - 特許庁

MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To solve the problem: it is difficult to establish compatibility between the high reliability of an n-type MIS transistor and the high performance of a p-type MIS transistor when a sidewall width is the same in the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとにおいてサイドウォール幅が同一である場合、ｎ型ＭＩＳトランジスタの高信頼性とｐ型ＭＩＳトランジスタの高性能化を両立させることは難しい。 - 特許庁

To easily achieve a semiconductor device including complementary type MIS transistors having improved characteristics of a p-type MIS transistor and an n-type MIS transistor.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタ及びｎ型ＭＩＳトランジスタの特性を向上した相補型ＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。 - 特許庁

MIS-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＳ型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

COMPLEMENTARY MIS-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

相補ＭＩＳ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

And the thickness of the gate insulating film of the n-type MIS transistor is thicker than that of the p-type MIS transistor.例文帳に追加

そして、このＮ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜はＰ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚い。 - 特許庁

In a CMIS element comprising an n-type MIS element and a p-type MIS element, in the n-type MIS element, a gate electrode 10 composed of a silicon nitride tantalic film is formed on a gate insulating film 9 composed of a hafnium aluminate film in the n-type MIS element.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳ素子とｐ型ＭＩＳ素子を備えるＣＭＩＳ素子において、ｎ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１０を形成する。 - 特許庁

MIS-TYPE FET AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＩＳ型ＦＥＴ及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

MIS TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR SUPPRESSED IN SHORT CHANNEL EFFECT例文帳に追加

短チャネル効果を抑制したＭＩＳ型電解効果トランジスタ - 特許庁

The memory n-type MIS transistor QM1 has a channel area smaller than that of the logic n-type MIS transistor QL1.例文帳に追加

また、メモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、ロジック用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＬ１よりもチャネル面積が小さい。 - 特許庁

INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

集積型半導体装置およびＭＩＳ型半導体装置 - 特許庁

To provide an MIS-type FET which has low resistance, and is suitable for miniaturizing, easy to manufacture and proper for fine type whose gate length is approximately 0.2 μm or less and an SOI structure, and a method for manufacturing a semiconductor device of such an MIS-type FET or the like.例文帳に追加

低抵抗で、微細化に適し、製造が容易で、ゲート長が概ね0.2μm以下の微細な形式やSOI構造のものに好適なMIS型FET、及び、このようなMIS型FET等の半導体装置を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

In the DRAM cell, a planar type MIS capacitor (NQ) is used.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルにおいては、プレーナ型ＭＩＳキャパシタ（ＮＱ）を用いる。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING DIELECTRIC BREAKDOWN CHARACTERISTIC OF MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の絶縁破壊特性評価方法 - 特許庁

To acquire a drain current of a p-type MIS transistor and to decrease a leakage current of a gate insulating film of an n-type MIS transistor.例文帳に追加

Ｐ型ＭＩＳトランジスタのドレイン電流を確保し、かつＮ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜のリーク電流を低下する。 - 特許庁

A p-type well PW is formed with common use of an n-channel low voltage resistance MIS in a low voltage resistance MIS region, and a well of an n-channel low voltage resistance MIS in an intermediate voltage resistance MIS region.例文帳に追加

低耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の低耐圧ＭＩＳと中耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の低耐圧ＭＩＳのウエルを共用化し、Ｐ型ウエルＰＷとする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device comprising a low resistance p-type MIS element, a low resistance n-type MIS element, and a high resistance MIS element wherein off leak current can be suppressed easily in these MIS elements; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低抵抗Ｐ型ＭＩＳ素子、低抵抗Ｎ型ＭＩＳ素子、および高抵抗ＭＩＳ素子を備え、これらのＭＩＳ素子でのオフリーク電流を抑え易い半導体装置、およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

The inverter 2 has an n-type MIS transistor M2 and a p-type MIS transistor M4 whose drains are connected to the output node OUTT.例文帳に追加

インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a p-type well PWL1 disposing an n-type MIS Qn_1 surrounded by an n-type well NWL5, and a p-type MIS Qp1 provided on the same semiconductor substrate adjacent to the n-type well NWL5 electrically isolated from an n-type well NWL1 disposed with the p-type MIS Qp_1.例文帳に追加

半導体基板１Ｓにおいて、ｎＭＩＳＱｎ１が配置されたｐ型ウエルＰＷＬ１をｎ型ウエルＮＷＬ５で取り囲み、これに隣接するように同一の半導体基板１Ｓに設けられたｐＭＩＳＱｐ１が配置されたｎ型ウエルＮＷＬ１から電気的に分離した。 - 特許庁

To actualize an n-type, a p-type MIS transistor having a low threshold voltage by increasing the effective work function of the p-type MIS transistor, while suppressing thickening of the converted film thickness of an oxide film of a gate insulating film of the p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚の厚膜化を抑制しつつ、ｐ型ＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を増加させて、低閾値電圧を有するｎ型，ｐ型ＭＩＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MIS- TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

半導体装置およびＭＩＳ型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

The inverter 1 has an n-type MIS transistor M1 and a p-type MIS transistor M3 whose drains are connected to the output node OUTB.例文帳に追加

インバータ１は、ドレインが出力ノードＯＵＴＢに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３を有する。 - 特許庁

To provide an appropriate method of manufacturing a semiconductor device that integrates a fin-type MIS transistor, a planar-type MIS transistor, and a resistance element.例文帳に追加

フィン型ＭＩＳトランジスタ、プレーナ型ＭＩＳトランジスタ及び抵抗素子を集積化した半導体装置において、的確な製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type MIS transistor Q_1 or p-type MIS transistor Q_2 is formed on an active region separated by the element separation region 2 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の素子分離領域２で分離された活性領域上にｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1またはｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2を形成する。 - 特許庁

Besides, the substrate potential of the N-type MIS transistor 54 is the ground voltage VSS and the substrate potential of the P-type MIS transistor 56 is the power supply voltage VDD.例文帳に追加

また、Ｎ型ＭＩＳトランジスタ５４の基板電位は接地電圧ＶSSであり、Ｐ型ＭＩＳトランジスタ５６の基板電位は電源電圧ＶDDである。 - 特許庁

To easily manufacture a light emitting element which has a MIS type structure and high luminous efficiency.例文帳に追加

発光効率が高いＭＩＳ形構造素子を簡単に製作できる。 - 特許庁

To simplify a process of manufacturing an n-channel type MIS transistor and a p-channel type MIS transistor with gate electrodes consisting of a metal material.例文帳に追加

金属材料からなるゲート電極を有するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタの製造工程を簡略化する。 - 特許庁

The respective gate insulating films 5 of an n-channel type MIS transistor (Qn) and a p-channel type MIS transistor (Qp) are formed of a hafnium oxide (HfO_2) film.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）およびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）のそれぞれのゲート絶縁膜５は、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_2）膜で構成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置及びＭＩＳ型半導体装置並びにその製造方法 - 特許庁

Since the condition of the gate insulating film of the n-type MIS transistor is the same as a conventional one, driving force of the n-type MIS transistor can be kept.例文帳に追加

一方、ｎ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜などの条件は従来と同じであるため、ｎ型ＭＩＳトランジスタの駆動力を保持することができる。 - 特許庁

Moreover, an n-type extension region 9 is formed with common use of an n-channel intermediate voltage resistance MIS of an intermediate voltage resistance MIS region and an extension region of an n-channel high voltage resistance MIS in a high voltage resistance MIS region.例文帳に追加

また、中耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の中耐圧ＭＩＳと高耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の高耐圧ＭＩＳのエクステンション領域を共有化し、Ｎ型エクステンション領域９とする。 - 特許庁

A first MIS transistor and a second MIS transistor that have the same conductive type are provided on a common semiconductor substrate 50.例文帳に追加

同じ導電型の第１のＭＩＳトランジスタ及び第２のＭＩＳトランジスタが同じ半導体基板５０上に設けられている。 - 特許庁