「mos」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor.例文帳に追加

第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

POWER SUPPLY STANDBY CIRCUIT OF LOW THRESHOLD MOS TRANSISTOR例文帳に追加

低しきい値ＭＯＳトランジスタの電源スタンバイ回路 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS GATE TYPE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁

VERTICAL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURRENT DETECTING CELL例文帳に追加

電流検出セルを有する縦型ＭＯＳ半導体装置 - 特許庁

The trench MOS device is formed in the active region.例文帳に追加

トレンチＭＯＳ素子は、活性領域に形成される。 - 特許庁

MOS REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ基準電圧回路およびその製造方法 - 特許庁

VERTICAL MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

縦形ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS LINEAR TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER例文帳に追加

ＭＯＳ線形トランスコンダクタンスアンプ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MODULE AND MOS SOLID-STATE IMAGING DEVICE例文帳に追加

半導体モジュール及びＭＯＳ型固体撮像装置 - 特許庁

HORIZONTAL POWER MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

横型パワーＭＯＳトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

SWITCHING CIRCUIT FOR COMPLEMENTARY MOS TRANSISTOR例文帳に追加

コンプリメンタリＭＯＳトランジスタのスイッチング回路 - 特許庁

MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS GATE INPUT TYPE POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＭＯＳゲート入力型電力用半導体素子 - 特許庁

MOS TRANSISTOR WITH DEFORMABLE GATE例文帳に追加

変形可能なゲートをもつＭＯＳトランジスタ - 特許庁

MOS TRANSISTOR RESISTOR, FILTER, AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ抵抗器、フィルタおよび集積回路 - 特許庁

COMPLEMENTARY MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相補型ＭＯＳ半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

The gate voltage of the MOS transistor M1 is VPTAT=U_T1n(Ng2/Ng1).例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートの電圧がVPTAT＝U_Tln(Ng2/Ng1)となる。 - 特許庁

MOS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

MOS TYPE VARACTOR AND VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATION CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ型可変容量素子及び電圧制御発振回路 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SOI-MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＳＯＩ−ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS TYPE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体集積回路装置 - 特許庁

VERTICAL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

縦型ＭＯＳ半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS MULTIPLYING CIRCUIT AND FREQUENCY MIXER CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ乗算回路および周波数ミキサ回路 - 特許庁

MOS GATE THYRISTOR AND CONTROL METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＯＳゲートサイリスタおよびその制御方法 - 特許庁

MOS-TYPE VARIABLE CAPACITANCE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ型可変容量および半導体集積回路 - 特許庁

MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND IGNITION APPARATUS COMPRISING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置およびそれを備えた点火装置 - 特許庁

The output terminal 103 is connected with a gate of the MOS transistor M1, a drain of the MOS transistor M2, a drain of the MOS transistor M3 and a gate of the MOS transistor M4.例文帳に追加

出力端子１０３には、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート、ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン、ＭＯＳトランジスタＭ３のドレイン、およびＭＯＳトランジスタＭ４のゲートが接続されている。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタとその製造方法 - 特許庁

COMPLEMENTARY MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相補型ＭＯＳ半導体装置とその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR DEEP SUBMICRON MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ディープサブミクロンＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁

GATE DRIVE CIRCUIT OF MOS GATE TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳゲートトランジスタのゲート駆動回路 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MOS-TYPE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体トランジスタの製造方法 - 特許庁

VERTICAL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型ＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

モストランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS CAPACITATIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ容量素子及び半導体装置 - 特許庁

HIGH DENSITY MOS TECHNOLOGY POWER DEVICE STRUCTURE例文帳に追加

高密度ＭＯＳ技術パワ—デバイス構造 - 特許庁

IMPROVED SEMICONDUCTOR TRENCH MOS DEVICE例文帳に追加

向上した半導体トレンチＭＯＳ装置 - 特許庁

p-CHANNEL MOS TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

ｐチャネルＭＯＳトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE IN SOI STRUCTURE例文帳に追加

ＳＯＩ構造ＭＯＳ型半導体装置 - 特許庁

TRENCH TYPE INSULATED GATE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

トレンチ型絶縁ゲートＭＯＳ半導体装置 - 特許庁

SWITCHING MOS-FET DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

スイッチングＭＯＳ−ＦＥＴドライブ回路 - 特許庁