「mos」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

MOS TYPE IMAGING DEVICE AND CAMERA IN WHICH SAME IS BUILT例文帳に追加

ＭＯＳ型撮像装置およびこれを組み込んだカメラ - 特許庁

MOS THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳ型薄膜トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

ISOLATED COMPLEMENTARY MOS DEVICE IN EPI-LESS SUBSTRATE例文帳に追加

エピレス基板における分離型の相補型ＭＯＳ装置 - 特許庁

MOS (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS-GATED CIRCUIT WITH ADAPTIVE DEAD TIME例文帳に追加

適応デッドタイムを有するＭＯＳゲート回路 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LATERAL MOS TRANSISTOR例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁

VARIABLE CAPACITY CIRCUIT USING MOS CAPACITATIVE ELEMENT例文帳に追加

ＭＯＳ容量素子を用いた可変容量回路 - 特許庁

MOS STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ構造およびその製造方法 - 特許庁

This step-up switching regulator is arranged so that the ON resistance of a MOS transistor is large at power on, by inserting the MOS transistor between the power source of the step-up SW regulator and a coil.例文帳に追加

昇圧型SWレギュレータの電源とコイルの間にMOSトランジスタを挿入し、前記MOSトランジスタのON抵抗を電源投入時に大きくなるようにした。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS-GATED SEMICONDUCTOR DEVICES例文帳に追加

ＭＯＳゲート半導体デバイス製造方法 - 特許庁

A method of manufacturing the MOS transistor is also provided.例文帳に追加

前記ＭＯＳトランジスタの製造方法も提供される。 - 特許庁

MOS TYPE SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置とその駆動方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR MOS-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF MOS-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置及びその駆動方法 - 特許庁

CONTROL OF MOS TRANSISTOR AS RECTIFIER ELEMENT例文帳に追加

整流素子としてのＭＯＳトランジスタの制御 - 特許庁

SOI TYPE MOS ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＳＯＩ型ＭＯＳ素子およびその製造方法 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

MOS-TYPE TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

M7, M8 and M9 are MOS transistors forming a second-stage source follower circuit; and M7 is a driving MOS transistor, M8 is a current source MOS transistor, and M9 is a MOS transistor for resistance.例文帳に追加

Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９は３段目のソースフォロア回路を成すＭＯＳトランジスタであり、Ｍ７が駆動ＭＯＳトランジスタ、Ｍ８が電流源ＭＯＳトランジスタ、Ｍ９が抵抗用ＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁

M4, M5 and M6 are MOS transistors forming a second-stage source follower circuit; and M4 is a driving MOS transistor, M5 is a current source MOS transistor, and M6 is a MOS transistor for resistance.例文帳に追加

Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６は２段目のソースフォロア回路を成すＭＯＳトランジスタであり、Ｍ４が駆動ＭＯＳトランジスタ、Ｍ５が電流源ＭＯＳトランジスタ、Ｍ６が抵抗用ＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁

MOS SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置およびその製造方法 - 特許庁

MOS TYPE SENSOR AND DRIVING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型センサおよびその駆動方法 - 特許庁

MOS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING HORIZONTAL MOS TRANSISTORS例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁

VERTICAL MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタ - 特許庁

MOS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＯＳデバイス及びその製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS TYPE SOLID STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置及びその製造方法 - 特許庁

When an input terminal 100 is open, a P type MOS transistor 101 is turned on, an N type MOS transistor 104 is turned off, and an input of the complementary transistor circuit 105 is pulled up.例文帳に追加

入力端子100がオープン状態であるときP型MOSトランジスタ101はON、N型MOSトランジスタ104はOFFになり、相補型トランジスタ回路105の入力をプルアップする。 - 特許庁

MOS DEVICE RESISTANT TO IONIZING RADIATION例文帳に追加

電離放射線に対して耐性を示すＭＯＳデバイス - 特許庁

VERTICAL DOUBLE DIFFUSION MOS FET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型二重拡散ＭＯＳＦＥＴとその製造方法 - 特許庁

MOS TYPE SENSOR AND DRIVING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳ型センサ及びその駆動方法 - 特許庁

Thus, the turned-on state of the n-MOS 205 is maintained.例文帳に追加

これにより、ｎ−ＭＯＳ２０５がオン状態を維持する。 - 特許庁

The voltage-to-current conversion circuit includes a high-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process amplifier, and an electric resistance.例文帳に追加

電圧電流転換回路は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程増幅器、電気抵抗を提供する。 - 特許庁

When the input terminal 100 is closed, the P type MOS transistor is turned off, the N type MOS transistor is turned on, and an input of the complementary transistor circuit 105 is pulled down to ground potential GND.例文帳に追加

入力端子100がクローズ状態となったときに、P型MOSトランジスタ101はOFF、N型MOSトランジスタ104はONになり、相補型トランジスタ回路入力をグランド電位GNDへプルダウンする。 - 特許庁

By this setup, an LV-MOS(low withstand voltage MOS transistor) manufacturing process can be applied to an HV-MOS, so that a semiconductor device equipped with an HV-MOS which is short in channel length and of high withstand voltage and mutual conductance can be realized.例文帳に追加

こうすることで、ＬＶ−ＭＯＳの製造プロセスがＨＶ−ＭＯＳにも適用でき、チャネル長の短い、高耐圧、高相互コンダクタンスのＨＶ−ＭＯＳを有する半導体装置とすることができる。 - 特許庁

To provide a MOS solid state imaging device of high S/N ratio.例文帳に追加

高Ｓ／ＮのＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

POWER MOS CIRCUIT, AND ELECTRONIC EQUIPMENT EQUIPPED WITH SAME例文帳に追加

パワーＭＯＳ回路およびそれを備えた電子機器 - 特許庁

GATE AND CMOS STRUCTURE AND MOS STRUCTURE例文帳に追加

ゲートならびにＣＭＯＳ構造およびＭＯＳ構造 - 特許庁