「mos」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A layer insulation film 7 is formed in a surface of the field oxide film 5 and a surface of the MOS transistor 6.例文帳に追加

フィールド酸化膜5およびMOSトランジスタ6表面には、層間絶縁膜7が形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, SRAM, AND MANUFACTURING METHOD OF DYNAMIC THRESHOLD MOS (DT-MOS) TRANSISTOR例文帳に追加

半導体装置、半導体集積回路装置、ＳＲＡＭ、Ｄｔ−ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁

A P-type MOS transistor 158 and an N-type MOS transistor 160 are connected with a node N1.例文帳に追加

ノードＮ１にはＰ型ＭＯＳトランジスタ１５８、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１６０が接続される。 - 特許庁

To make a MOS transistor compact without decreasing an ON current of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのオン電流を低下させずにＭＯＳトランジスタを小型化する。 - 特許庁

The other branch that is branched by the branch node N1 is connected to a gate of the P-channel MOS transistor MP1.例文帳に追加

分岐ノードN1で分岐された他方は、PチャネルMOSトランジスタMP1のゲートに接続されている。 - 特許庁

The thickness of gate insulating films of a load type P-type MOS and a drive type N-type MOS is 4 nm or less.例文帳に追加

負荷型Ｐ型ＭＯＳ及び駆動型Ｎ型ＭＯＳのゲート絶縁膜厚は、４ｎｍ以下である。 - 特許庁

A second MOS transistor PS is provided parallel to the first MOS transistor PM.例文帳に追加

第２のＭＯＳトランジスタＰＳは、第１のＭＯＳトランジスタＰＭと並列に設けられる。 - 特許庁

The source of the MOS transistor Q12 is connected to the gate of the MOS transistor Q11.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＱ１２のソースは、ＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続されている。 - 特許庁

To improve driving capacity per unit area in a trench gate type MOS transistor.例文帳に追加

トレンチゲート型MOSトランジスタにおいて、単位面積あたりの駆動能力を向上させる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS TRANSISTOR, AND MOS TRANSISTOR MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの製造方法、および、これにより製造されたＭＯＳトランジスタ - 特許庁

N channel MOS TRs are newly added to the conventional level shift circuit so as to always bring the gate potential for the N channel MOS TRs in cross connection a Vtn or over when it is turned on, independently of the capability of the MOS TRs so as to permit state transition even when P channel MOS TRs with an extremely high capacity are not employed.例文帳に追加

レベルシフト回路にNチャネル型MOSトランジスタを新たに追加することにより、たすきがけになるNチャネル型MOSトランジスタがONになる際のゲート電位をMOSトランジスタの能力に関係なく、必ずVtn以上にすることにより、Pチャネル型MOSトランジスタを極端に大きくしなくても、状態を遷移することができる。 - 特許庁

On the other hand, the MOS transistors M22, M23 consist of N-type MOS transistors of a triple well structure.例文帳に追加

一方、ＭＯＳトランジスタＭ２２，Ｍ２３は、トリプルウェル構造のＮ型ＭＯＳトランジスタからなる。 - 特許庁

To actualize a deep trench MOS FET which is high in breakdown voltage and is reducible in ON resistance.例文帳に追加

耐圧が高く、オン抵抗のより低減化が可能なディープトレンチMOS FETを実現する。 - 特許庁

A P-channel MOS transistor MP1 is provided between an input power supply Vin and the low-voltage circuit 10.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタMP1は入力電源Vinと低圧回路10との間に設けられている。 - 特許庁

The MOS power transistor includes: a MOS transistor aggregate section 51 and a gate use aluminum wiring pattern 54.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ集合部５１とゲート用アルミ配線パターン５４とを有する。 - 特許庁

A P-type MOS transistor M1 and an N-type MOS transistor M2 are inserted to the conventional circuit.例文帳に追加

従来回路にＰ型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｎ型ＭＯＳトランジスタＭ２を挿入した。 - 特許庁

To provide a MOS type solid-state imaging device capable of performing high-speed reading, at column thinning modes.例文帳に追加

列間引きモード時の高速読み出しを可能とするMOS型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To improve the performance of a p-type MOS transistor and an n-type MOS transistor.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ及びＮ型ＭＯＳトランジスタの性能を向上する。 - 特許庁

A short circuit unit 23 short circuits the gate circuit of the MOS-FET, when the MOS-FET switching unit 21 is at off operation.例文帳に追加

短絡部２３はＭＯＳ・ＦＥＴスイッチ部２１のオフ動作時にこのゲート回路を短絡する。 - 特許庁

To provide a relatively simple method for manufacturing a strained channel MOS transistor.例文帳に追加

歪チャネルを有するMOS トランジスタを製造するための比較的簡単な方法を提供する。 - 特許庁

MOS RECTIFIER, METHOD OF DRIVING MOS RECTIFIER, MOTOR-GENERATOR, AND ELECTRIC VEHICLE USING IT例文帳に追加

ＭＯＳ整流装置，ＭＯＳ整流装置の駆動方法，電動発電機及びそれを用いた電動車両 - 特許庁

If the MOS structure is a MOS- FET, then a metal contact is formed in the conventional manner.例文帳に追加

もし、ＭＯＳ構造がＭＯＳ−ＦＥＴなら、従来の方式で金属接触が形成される。 - 特許庁

Mos Burger also has a shrimp burger on its menu. 例文帳に追加

モスバーガーもエビのハンバーガーをメニューに載せている。 - 浜島書店 Catch a Wave

METHOD OF MANUFACTURING MOS TRANSISTOR OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＭＯＳトランジスターの製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳトランジスター及びその製造方法 - 特許庁

MOS LOGIC CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ論理回路および半導体集積回路 - 特許庁

OVERCURRENT PROTECTION DEVICE FOR MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの過電流保護装置 - 特許庁

To obtain a high grade MOS interface at low process temperatures.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のＭＯＳ界面を得る。 - 特許庁

RATIO CIRCUIT, LATCH CIRCUIT AND MOS TRANSISTOR例文帳に追加

レシオ回路、ラッチ回路及びＭＯＳトランジスタ - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING MOS TRANSISTOR OF HIGH STRAIN例文帳に追加

高歪みＭＯＳトランジスタを含む半導体装置 - 特許庁

MOS/FET POWER AMPLIFICATION CIRCUIT FOR AUDIO例文帳に追加

オーディオ用ＭＯＳ・ＦＥＴ電力増幅回路 - 特許庁

GATE ELECTRODE FOR MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極及びその製造方法 - 特許庁

OVERVOLTAGE PROTECTIVE CIRCUIT OF OUTPUT MOS TRANSISTOR例文帳に追加

出力ＭＯＳトランジスタの過電圧保護回路 - 特許庁

MOS TRANSISTOR CELL AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタセル及び半導体装置 - 特許庁

The first circuit includes a first type first MOS transistor, a second type first MOS transistor, and a first bipolar junction transistor.例文帳に追加

第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。 - 特許庁

Each reverse diode is a MOS diode.例文帳に追加

各逆方向ダイオードはＭＯＳダイオードである。 - 特許庁

By inputting the drain voltage of the MOS transistor M5 and the input AC voltage signal Vin to the gate of an MOS transistor M4, the MOS transistor M4 serves as the AC voltage source of the MOS transistor M3.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ４のゲートにＭＯＳトランジスタＭ５のドレイン電圧と入力交流電圧信号Ｖｉｎが入力されることにより、ＭＯＳトランジスタＭ４は、ＭＯＳトランジスタＭ３の交流電圧源となる。 - 特許庁

MOS CAPACITOR TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型キャパシタ及び半導体集積回路装置 - 特許庁

POWER MOS TRANSISTOR HAVING TRENCH GATE例文帳に追加

トレンチゲートを有するパワーＭＯＳトランジスタ - 特許庁

SILICON CARBIDE TRENCH MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

炭化珪素トレンチＭＯＳ型半導体装置 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HORIZONTAL MOS ELEMENT例文帳に追加

横型ＭＯＳ素子を含む半導体装置 - 特許庁

MOS CAPACITOR WITH REDUCED PARASITIC ELECTROSTATIC CAPACITANCE例文帳に追加

低減された寄生静電容量を備えたＭＯＳキャパシタ - 特許庁

MOS TYPE TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタおよび半導体装置 - 特許庁