「mos」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SIMULATION CIRCUIT FOR MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの模擬回路 - 特許庁

COMPOSITE MOS TRANSISTOR CIRCUIT例文帳に追加

複合ＭＯＳトランジスタ回路 - 特許庁

POWER MOS TRANSISTOR CIRCUIT例文帳に追加

パワーＭＯＳトランジスタ回路 - 特許庁

MOS GATE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳゲート半導体デバイス - 特許庁

MOS TRANSISTOR RESISTANCE CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ抵抗回路 - 特許庁

The P-type MOS 22 and the N-type MOS 32 constitute a circuit A, and the P-type MOS 42 and the N-type MOS 52 constitute a circuit B.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳ２２及びＮ型ＭＯＳ３２は、回路Ａを構成し、Ｐ型ＭＯＳ４２及びＮ型ＭＯＳ５２は回路Ｂを構成する。 - 特許庁

MOS TYPE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体集積回路 - 特許庁

SILICON CARBIDE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

炭化珪素ＭＯＳ型半導体装置 - 特許庁

DRIVE CIRCUIT FOR MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのドライブ回路 - 特許庁

HORIZONTAL TYPE MOS TRANSISTOR例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタ - 特許庁

MOS DEVICE FOR ANALOG CIRCUIT例文帳に追加

アナログ回路用ＭＯＳデバイス - 特許庁

LATERAL MOS SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

横型ＭＯＳ半導体装置 - 特許庁

DRIVER CIRCUIT OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのドライバ回路 - 特許庁

TRISTATE MOS OUTPUT CIRCUIT例文帳に追加

トライステートＭＯＳ出力回路 - 特許庁

MOS-TYPE TRANSISTOR FOR PHOTOCELL例文帳に追加

フォトセル用ＭＯＳ型トランジスタ - 特許庁

HIGH-VOLTAGE MOS TRANSISTOR例文帳に追加

高電圧ＭＯＳトランジスタ - 特許庁

TRENCH MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

トレンチ型ＭＯＳ半導体装置 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ - 特許庁

MOS-FET AMPLIFIER CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ増幅回路 - 特許庁

MANUFACTURE OF MOS SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＭＯＳ半導体の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁

COMPLEMENTARY MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

相補型ＭＯＳ半導体装置 - 特許庁

VERTICAL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

縦型ＭＯＳ半導体装置 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体メモリ装置 - 特許庁

MOS TYPE COLOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型カラー固体撮像装置 - 特許庁

MOS SOLID STATE IMAGING DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置 - 特許庁

HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置の製法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR MANUFACTURE METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの製造方法 - 特許庁

MOS SOLID-STATE IMAGING APPARATUS例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置 - 特許庁

MANUFACTURE FOR MOS SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳセンサーの製造方法 - 特許庁

The P-channel MOS transistor M4 is connected to the N-channel MOS transistor M5 in series via a current source Q11.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタM4とNチャネルMOSトランジスタM5は、電流源Q11を介して直列に接続されている。 - 特許庁

Leakage current of a MOS transistor in a memory cell is reduced by controlling the potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

MOS TYPE REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ型基準電圧発生回路 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE MOS TRANSISTOR DEVICE例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置 - 特許庁

BOOT STRAP TYPE MOS DRIVER例文帳に追加

ブ—トストラップ型ＭＯＳドライバ— - 特許庁

LIGHT EMITTING ELEMENT OF MOS STRUCTURE例文帳に追加

ＭＯＳ構造の発光素子 - 特許庁

MOS SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE VERTICAL MOS TRANSISTOR例文帳に追加

高耐圧縦型ＭＯＳトランジスタ - 特許庁

In the bias circuit 12, a MOS transistor NB11, a MOS transistor NB12 and a resistive load RB10 are serially connected in the order and provided.例文帳に追加

バイアス回路12は、MOSトランジスタNB11と、MOSトランジスタNB12と、抵抗性負荷RB10をこの順に直列接続して含む。 - 特許庁

MANUFACTURE OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの製造方法 - 特許庁

The pre-charge drive circuits 51-5q are formed in a cross region, and constituted of (n) channel MOS transistors NM1 and (n) channel MOS transistors NM2.例文帳に追加

プリチャージドライブ回路51〜5qは、クロス領域に形成され、nチャネル型のMOSトランジスタNM1と、nチャネル型のMOSトランジスタNM2とで構成されている。 - 特許庁

The potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC is controlled so as to reduce the leakage current of MOS transistors in a memory cell.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

MULTI-TERMINAL MOS VARACTOR例文帳に追加

マルチ端子型ＭＯＳバラクタ - 特許庁

MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ - 特許庁