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mosを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 5586



例文

The other electrode of the MOS structure is a silicon wafer.例文帳に追加

MOS構造の他方の電極は、シリコン基板である。 - 特許庁

SIMULATION METHOD FOR MOS TRANSISTOR例文帳に追加

MOSトランジスタのシミュレーション方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR HAVING MODIFIED GATE DIELECTRIC BODY例文帳に追加

改善されたゲ—ト誘電体を有するMOSトランジスタ - 特許庁

REVERSE FLOW PREVENTION CIRCUIT USING MOS-TYPE FET例文帳に追加

MOS型FETを用いた逆流阻止回路 - 特許庁

例文

POWER MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

パワーMOSトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁


例文

MANUFACTURING METHOD OF MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

MOS型半導体素子の製造方法 - 特許庁

The clamping circuit 2 is provided with an Nch MOS transistor MP3, an Nch MOS transistor MP4, a Pch MOS transistor MP1 and a Pch MOS transistor MP2.例文帳に追加

クランプ回路2には、Nch MOSトランジスタMP3、Nch MOSトランジスタMP4、Pch MOSトランジスタMP1、及びPch MOSトランジスタMP2が設けられる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

MOS半導体装置の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MOS STRUCTURE例文帳に追加

MOS構造を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁

例文

VERTICAL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

縦型MOS半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

例文

MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PROTECTION AGAINST STATIC ELECTRICITY例文帳に追加

静電気保護用のMOS型半導体装置 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

MOS半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS-TYPE IMAGING DEVICE AND IMAGING APPARATUS例文帳に追加

MOS型撮像素子および撮像装置 - 特許庁

POWER MOS DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パワーMOSデバイス及びその製造方法 - 特許庁

The voltages generated in a voltage generation circuit are supplied to both ends of the MOS transistor and impedances of both the ends of the MOS transistor are varied according to the voltages generated in the voltage generation circuit.例文帳に追加

電圧発生回路で発生する電圧が前記MOSトランジスタの両端に供給され、前記電圧発生回路で発生する電圧に応じて前記MOSトランジスタの両端のインピーダンスが可変である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL MOS TRANSISTOR例文帳に追加

縦形MOSトランジスタの製造方法 - 特許庁

A drain of the MOS transistor M1 is connected to a source of the MOS transistor M2, and a source of the MOS transistor M3 is connected to a drain of the MOS transistor M4.例文帳に追加

MOSトランジスタM1のドレインとMOSトランジスタM2のソースが接続され、MOSトランジスタM3のソースとMOSトランジスタM4のドレインが接続されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH MOS TRANSISTOR例文帳に追加

MOS型トランジスタを備えた半導体装置 - 特許庁

PROTECTIVE CIRCUIT OF SWITCHING MOS TRANSISTOR例文帳に追加

スイッチング用MOSトランジスタの保護回路 - 特許庁

MANUFACTURE OF DUAL GATE MOS TRANSISTOR例文帳に追加

デュアルゲ—トMOSトランジスタの製造方法。 - 特許庁

POWER TRENCH MOS GATE DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

パワートレンチMOSゲート装置およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

MOS型半導体装置の製造方法 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MOS電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MOSデバイス及びその製造方法 - 特許庁

PRODUCTION OF SILICON MOS TRANSISTOR例文帳に追加

シリコン製MOSトランジスタの製造方法 - 特許庁

VERTICAL-TRENCH INSULATED GATE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

縦型トレンチ型絶縁ゲートMOS半導体装置 - 特許庁

HIGH VOLTAGE VERTICAL MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

高耐圧縦型MOSトランジスタとその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MOS TYPE FET例文帳に追加

MOS型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR AND SUITABLE MANUFACTURE例文帳に追加

高電圧MOSトランジスタおよび相応の製造方法 - 特許庁

When the logical signals are input to the gate and the body, a logic function which is constituted normally of two MOS transistors can be realized by one MOS transistor, and the area of the semiconductor integrated circuit is reduced.例文帳に追加

ボディとゲートに論理信号を入力することより一つのMOSトランジスタで通常2つのMOSトランジスタで構成する論理機能を実現でき半導体集積回路の小面積化を行う。 - 特許庁

COMPLEMENTARY MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

相補型MOS半導体装置および製造方法 - 特許庁

POWER MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

電力用MOSトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

MOSトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

MOS DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MOSデバイス、及びその製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR AND FORMING METHOD THEREFOR例文帳に追加

MOSトランジスタ及びその形成方法 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

MOS型半導体装置とその製造方法 - 特許庁

NEURON MOS CIRCUIT OF LOW POWER CONSUMPTION例文帳に追加

低消費電力型ニューロンMOS回路 - 特許庁

MOS TYPE VARACTOR AND VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR例文帳に追加

MOS型可変容量素子及び電圧制御発振器 - 特許庁

STACKED MOS TRANSISTOR PROTECTIVE CIRCUIT例文帳に追加

スタック型MOSトランジスタ保護回路 - 特許庁

To provide a downsized MOS type semiconductor device suitable for a speed acceleration, a power consumption reduction, and a high integration of the MOS type semiconductor device, by effectively using a semiconductor material.例文帳に追加

本発明は、半導体材料を有効活用して、MOS型半導体装置を小型化し、高速化、低消費電力化、高集積化に適したMOS型半導体装置を提供する。 - 特許庁

MOS TYPE VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

MOS型可変容量素子および集積回路 - 特許庁

PROTECTING DEVICE FOR MOS TYPE ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

MOS型素子の保護装置及び半導体装置 - 特許庁

TRENCH GATE MOS TRANSISTOR, AND CREATION METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチゲート型MOSトランジスタとその作成法 - 特許庁

To avoid a contention for trigger voltage between a MOS protection element and a MOS switch element without depending on an interval relation of the MOS switch element and the MOS protection element and without increasing a protection circuit area.例文帳に追加

MOSスイッチ素子とMOS保護素子との距離関係に依存せず、かつ保護回路面積を増大させることなく、MOS保護素子とMOSスイッチ素子のトリガー電圧の競合を回避する。 - 特許庁

MOS-TYPE IMAGE SENSOR AND DIGITAL CAMERA例文帳に追加

MOS型イメージセンサ及びデジタルカメラ - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MOS transistor.例文帳に追加

MOSトランジスタを備える半導体素子を提供する。 - 特許庁

To improve durability of an MOS transistor.例文帳に追加

MOSトランジスタの耐久性を向上させる。 - 特許庁

MOS-TYPE SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

MOS型固体撮像装置及びその製造方法 - 特許庁

To easily execute the extraction of impurity density distribution at a high speed from the electric characteristics of a MOS FET at the time of extracting the impurity density distribution in the horizontal direction of the channel surface of the MOS FET.例文帳に追加

MOS FET のチヤネル表面の横方向における不純物濃度分布を抽出する際、MOS FET の電気的特性から不純物濃度分布の抽出を高速かつ簡便に実行する。 - 特許庁

例文

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING CURRENT DETECTING FUNCTION例文帳に追加

電流検出機能付MOS型電界効果トランジスタ - 特許庁

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