「n type silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

On the major surface of the n-type single crystal silicon wafer 1, an i-type amorphous silicon film and a p-type amorphous silicon film are formed sequentially.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコンウエハ１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜が順に形成されている。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 2 are laminated a box layer 3 consisting of silicon oxide, an N^+ type lateral direction conductive layer 4 and an N^- type surface layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ^−型表面層５が積層されている。 - 特許庁

A P-type MOS high-voltage transistor 45 is equipped with a bottom N-type well 8, N-type wells 11, and P-type wells 16 formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐＭＯＳ高電圧トランジスタ４５は、シリコン基板１にボトムｎウェル８、ｎウェル１１、およびｐウェル１６が形成されている。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion element main body (11) comprises a p-type silicon semiconductor while the n-type thermoelectric conversion element main body (12) comprises an n-type silicon semiconductor.例文帳に追加

ｐ型熱電変換素子本体（１１）はｐ型シリコン系半導体により構成され、ｎ型熱電変換素子本体（１２）はｎ型シリコン系半導体により構成される。 - 特許庁

This silicon carbide semiconductor device is formed into a structure provided with a p^+ type layer 6 under an n^+ type source region 4.例文帳に追加

ｎ^+型ソース領域４の下方にｐ^+型層６を備えた構成とする。 - 特許庁

An n-type region 11 is formed in a p-type silicon semiconductor substrate 10.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン半導体基体１０にＮ型領域１１が形成されている。 - 特許庁

The silicon nanowire has a structure of alternately layering p-type layers and n-type layers.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーはｐ型層とｎ型層とが交互に積層された構造を有する。 - 特許庁

In an upper layer of the N-type region 5a, an N-type doped silicon film 11 having an impurity concentration higher than the N-type region 5a and equivalent to those of the N-type regions 6, 8 is formed in contact with the N-type region 5a.例文帳に追加

Ｎ型領域５ａの上層には、不純物濃度がＮ型領域５ａより高く、Ｎ型領域６，８と同程度のＮ型ドープトポリシリコン膜１１がＮ型領域５ａに接触して形成されている。 - 特許庁

A plurality of insular P+ type silicon regions 15 are formed in the surface region of an N type silicon region 12.例文帳に追加

Ｎ形シリコン領域１２の表面領域に、Ｐ^＋形シリコン領域１５を島状に複数形成する。 - 特許庁

The i-type amorphous silicon film 6 has a two layer structure of an i-layer 61 on the n-type single crystal silicon substrate 1 side and an i-layer 62 on the n-type amorphous silicon film 7 side.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜６は、ｎ型単結晶シリコン基板１側のｉ層６１およびｎ型非晶質シリコン膜７側のｉ層６２からなる２層構造を有する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 21 and an n-type amorphous silicon film 22 are formed on a region except a predetermined width on an outer periphery of a principal plane of an n-type monocrystalline silicon substrate 11.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面の外周部の所定幅を除く領域にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are formed sequentially on the major surface of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on a substrate 1 composed of n-type silicon (a), and an nip junction is obtained (b).例文帳に追加

ｎ型シリコンからなる基板１上に（ａ）、ｉ型非晶質シリコン層２及びｐ型非晶質シリコン層３を形成してｎｉｐ接合を得る（ｂ）。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁

When viewed from the upper face side of the N^- type silicon substrate 1, the P-type isolation region 2 is formed to surround N^- region 1a, which is a part of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面側から眺めた場合、Ｐ型分離領域２は、Ｎ^-型シリコン基板１の一部分であるＮ^-領域１ａを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

An N-type polycrystal silicon film 12 having T-shape is disposed on the N-type epitaxial layer 11 and N-type polycrystal silicon film 8 so as to cover the emitter aperture 19.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層１１及びＮ型多結晶シリコン膜８上には、エミッタ開口部１９を覆うようにＴ型形状を有するＮ型多結晶シリコン膜１２が設けられる。 - 特許庁

A buffer layer 2 including phosphorous, which functions as n-type impurity on silicon, is formed on an n-type conductive silicon semiconductor substrate where n-type impurity is doped.例文帳に追加

ｎ形不純物がドープされた導電性を有するｎ形シリコン半導体基板１の上にシリコンに対してｎ形不純物として機能するリンを含むバッファ層２を設ける。 - 特許庁

A heavily doped n type epitaxial layer 2 and a lightly doped n type epitaxial layer 3 are formed sequentially on a p type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に、高濃度ｎ型エピタキシャル層２および低濃度ｎ型エピタキシャル層３をこの順に形成した。 - 特許庁

This semiconductor device consists of a P-type silicon substrate 11 and an epitaxial layer 12, which is formed on the silicon substrate 11 and composed of N-type silicon.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン基板１１と、このシリコン基板１１上に形成させたＮ型のシリコンからなるエピタキシャル層１２とからなる。 - 特許庁

On the top surface of a p-type silicon substrate 1, an n-type source/drain region 4 is formed.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１の表面に、ｎ型ソース／ドレイン領域４が形成される。 - 特許庁

A p-type epitaxial film 102 is made on the surface of an n-type silicon substrate 101.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１０１の表面にＰ型エピタキシャル薄膜１０２を形成する。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

An N^+ type collector embedded layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and after an N^- type epitaxial layer 3 is caused to grow, an N^+ type collector layer 4 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上にＮ＋型のコレクタ埋め込み層２を形成し、Ｎ−型のエピタキシャル層３を成長させた後、Ｎ＋型のコレクタ層４を形成する。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 12 is formed on the surface of an N-type silicon substrate 11, and an N-type diffusion layer 14 is formed inside the N-type diffusion layer 12.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板１１の表面領域にＰ型拡散層１２が形成され、このＰ型拡散層１２内に、Ｎ型拡散層１４が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

Trenches extending in the depth direction of the structure reach the silicon substrate 1 from the n--type silicon layer 4.例文帳に追加

深さ方向に延びるトレンチ５は、ｎ^- 型シリコン層４からｐ型シリコン基板１に達している。 - 特許庁

HETERO INTEGRATION TYPE STRAINED SILICON N-TYPE MOSFET, P-TYPE MOSFET, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ集積型歪みシリコンｎ型ＭＯＳＦＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

A lower current route comprised of an N-type area 5, a P-type area 6 and an N-type area 7 is formed in the silicon substrate 2, and an upper current route comprised of an N-type area 8, a P-type part 9 and an N-type part 10 is formed in the silicon film 4.例文帳に追加

シリコン基板２には、Ｎ型領域５、Ｐ型領域６及びＮ型領域７からなる下側の電流経路を形成し、シリコン膜４には、Ｎ型部分８、Ｐ型部分９及びＮ型部分１０からなる上側の電流経路を形成する。 - 特許庁

There are provided a support substrate 2 composed of a P^--type silicon, a P^+-type silicon layer 3 on the support substrate 2, and thereon, an N^+-type silicon layer 4 and a P^+-type silicon layer 12 mutually as one layer.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

The p+ type layer D1 is composed of a silicon-germanium mixture (Si_1-xGe_x (0<x≤1)), and the n- type layer D2 and n+ type layer D3 are constructed with silicon (Si).例文帳に追加

ｐ＋型層Ｄ１はシリコン−ゲルマニウム混合物（Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１））で構成され、ｎ−型層Ｄ２、ｎ＋型層Ｄ３はシリコン（Ｓｉ）で構成されている。 - 特許庁

The p+-type silicon layer 3 and the n^+-type silicon layers 4 are set higher in impurity concentration than the support substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^＋型シリコン層３及びＮ^＋型シリコン層４の不純物濃度は支持基板２の不純物濃度よりも高くする。 - 特許庁

A p-type silicon region 5 having circular openings periodically is formed on the surface of an n-type silicon region 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン領域３の表面に、円形の開口部を周期的に有するｐ型シリコン領域５を形成する。 - 特許庁

In the silicon layer 4, an NPN transistor (composed of a p-type well region 6, an n+-type region 7, and a deep n+-type region 10) is formed.例文帳に追加

ｎ^- 型シリコン層４にはＮＰＮトランジスタ（ｐウェル領域６、ｎ^+ 型領域７、ディープｎ^+ 領域１０）が形成されている。 - 特許庁

A direction toward the second n-type diffusion layer 22 from the first n-type diffusion layer 21 is a crystal orientation <100> of the p-type silicon layer 20.例文帳に追加

第１Ｎ型拡散層２１から第２Ｎ型拡散層２２へ向かう方向は、Ｐ型シリコン層２０の結晶方位＜１００＞である。 - 特許庁

An n-type source region 105 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 away from the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ソース領域１０５がｎ型ドリフト領域１０１から離隔して形成されている。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises an N-type material 102 which cools a silicon semiconductor 101 using the current flowing through the silicon semiconductor 101.例文帳に追加

シリコン半導１０１に流れる電流を用いてシリコン半導体１０１を冷却するN型材料１０２を備える。 - 特許庁

This n-type diffusion layer 6 is formed by diffusing an n-type impurity into part of the silicon film 5 having a convex cross-sectional shape.例文帳に追加

このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成する。 - 特許庁

N-type dopants are ion-implanted into a portion of an n-type silicon substrate 1 where the charge transferring portion 5 is to be formed (b).例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。 - 特許庁

In this semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on an N-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

Barrier height of the silicide 26 formed in the NMIS region 130 and n-type silicon is lower than the barrier height of Ni silicide and the n-type silicon.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域１３０において形成されるシリサイド２６とＮ型シリコンとのバリアハイトはＮｉシリサイドとＮ型シリコンとのバリアハイトより低い。 - 特許庁

An N^+-type impurity doped region 4 is formed in the upper face 3 of the N^--type silicon substrate 1 in the portion exposing itself from the silicon oxide film 2.例文帳に追加

シリコン酸化膜２から露出している部分のＮ^-形シリコン基板１の上面３内には、Ｎ^+形不純物導入領域４が形成されている。 - 特許庁