「n type silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

A diode 40 is structured by laminating in the order an n-type silicon carbide layer 14, an n-type silicon layer 16, and a p-type silicon layer 18 on an n+ silicon carbide substrate 12.例文帳に追加

ダイオード４０は、ｎ^+型シリコンカーバイド基板１２上に、ｎ型シリコンカーバイド層１４、ｎ型シリコン層１６、ｐ型シリコン層１８が順に積層された構造をしている。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁

The MOSFET also has n-type shorting channels extending from respective n-type silicon carbide regions through the p-type silicon carbide regions to the n-type silicon carbide drift layer.例文帳に追加

またＭＯＳＦＥＴは、ｎ型炭化ケイ素領域のそれぞれからｐ型炭化ケイ素領域を通ってｎ型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるｎ型短絡チャネルを有する。 - 特許庁

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

The photosensor has a P type amorphous silicon region, and an N type amorphous silicon region.例文帳に追加

フォトセンサは、Ｐ型アモルファスシリコン領域とＮ型アモルファスシリコン領域とを有する。 - 特許庁

An n-type epitaxial growth layer 2 is formed on an n^+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^+型シリコン基板１上にＮ型エピタキシャル成長層２が形成されている。 - 特許庁

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

The n^--type gate silicon area 110 and n^+-gate silicon area 111 are etched away to obtain the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 which have been patterned.例文帳に追加

Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１をエッチング除去し、パターニングされたＮ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７を得る。 - 特許庁

The resistance element 10 has n-type polycrystalline silicon 11 and p-type polycrystalline silicon 12.例文帳に追加

抵抗素子１０は、Ｎ型多結晶シリコン１１と、Ｐ型多結晶シリコン１２とを備える。 - 特許庁

A P-type well layer 52 is arranged on an N-type silicon substrate 51.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板５１上に、Ｐ型ウエル層５２が配置される。 - 特許庁

An N-type well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮ型ウェル２を形成する。 - 特許庁

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a trench 13 extending unidirectionally from the upper face side of the n-type silicon layer 12 is formed.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２の上面側から一方向に延びるトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

N-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用ｎ型シリコンとその製造方法 - 特許庁

A silicon substrate 11 forms an N- type drift region.例文帳に追加

シリコン基板１１はＮ^- 型のドリフト領域を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR INJECTING DOPANT AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ドーパントの注入方法及びＮ型シリコン単結晶 - 特許庁

A p-type silicon carbide well region is provided on the n^- silicon carbide layer.例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。 - 特許庁

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１の主面７２に対して垂直に設け、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１に接続させる。 - 特許庁

Two trenches 24 are formed so as to pierce a p-type silicon layer 18 and an n-type silicon layer 16, and reach the n-type silicon carbide layer 14.例文帳に追加

二本のトレンチ２４がｐ型シリコン層１８、ｎ型シリコン層１６を突き抜け、ｎ型シリコンカーバイド層１４に到達するように形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are formed sequentially on the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が順に形成されている。 - 特許庁

An N-type epitaxial layer 52 is arranged on a P-type silicon substrate 51.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板５１上に、Ｎ型エピタキシャル層５２が配置される。 - 特許庁

A p-type epitaxial layer 11 is formed on a p-type silicon substrate 10, and an n-type epitaxial layer 21 is formed on an n-type silicon substrate 20.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１０上にｐ形エピタキシャルシヤル層１１を、ｎ形シリコン基板２０上にｎ形エピタキシャルシヤル層２１を形成する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

An n-type amorphous silicon film 6 is formed on the p-type amorphous silicon film 5 and the i-type amorphous silicon film 4.例文帳に追加

次いで、ｐ型非晶質シリコン膜５およびｉ型非晶質シリコン膜４上にｎ型非晶質シリコン膜６を形成する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 21 and an n-type amorphous silicon film 22 are formed on the main surface of an n-type monocrystal silicon substrate 11, and a surface electrode 12 is formed on the n-type amorphous silicon film 22.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成され、ｎ型非晶質シリコン膜２２上に表面電極１２が形成されている。 - 特許庁

An n-type silicon carbide source layer 5 is formed on the p-type silicon carbide channel layer 4.例文帳に追加

そして、ｎ型炭化珪素ソース層５は、ｐ型炭化珪素チャネル層４上に形成される。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 4 is formed on a back of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４を形成する。 - 特許庁

In the evaluating method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer, at least a density of deep level due to metal impurities in the N-type silicon epitaxial wafer is measured by a DLTS method.例文帳に追加

また、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is composed of n^+ type single crystal silicon.例文帳に追加

半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。 - 特許庁

On an N^+ type silicon substrate 2 forming a drain region, an N^- type epitaxial layer 18 is formed.例文帳に追加

Ｎ^+型でドレイン領域をなすシリコン基板２の上に、Ｎ^-型のエピタキシャル層１８が形成される。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 1 constituted of an N-type silicon layer is formed on a semiconductor retaining substrate 10 constituted of an N-type silicon substrate or a P-type silicon substrate via an insulating layer 11.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板若しくはｐ形シリコン基板よりなる半導体支持基板１０上に絶縁層１１を介してｎ形シリコン層よりなるｎ形半導体層１が形成されている。 - 特許庁

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.).例文帳に追加

Ｎ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７の金属膜１０８が除去された部分に、Ｎ型不純物をイオン注入して、Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１を形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

An n-type hydrogenated amorphous silicon layer 107 is formed on the reflection electrode side of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106.例文帳に追加

ｎ型水素化微結晶シリコン層の反射電極側には、さらにｎ型水素化アモルファスシリコン層が形成されている。 - 特許庁

n-TYPE AND p-TYPE CUBIC SILICON NITRIDE SEMICONDUCTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｎ型およびｐ型立方晶窒化ケイ素半導体およびその製造方法 - 特許庁

An N type epitaxial layer 3 is formed on a P type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型シリコン基板１上にＮ−型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 2 is formed on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の上にはＮ型エピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

On the porous n-type region 11n, an n-side electrode 13 is formed, and on the n-side electrode 13, a passivation film 14 made of silicon nitride is formed.例文帳に追加

ｎ側電極１３上には窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ｎ型シリコン基板１と、ｎ型シリコン層２と、Ｂｅドープシリコンゲルマニウム層３およびｉ型シリコン層４を積層したシリコン／シリコンゲルマニウム超格子層５と、ｐ型シリコン層６と、ｐ側電極７と、ｎ側電極８とを備える。 - 特許庁