「n TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加

n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁

The N-type diffusion area 53d is connected to a connection node 90, and the N-type diffusion areas 53s are connected to GND.例文帳に追加

N型拡散領域53dが接続ノード90に接続され、N型拡散領域53sがGNDに接続されている。 - 特許庁

N-TYPE TRANSISTOR, N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR N-TYPE TRANSISTOR CHANNEL例文帳に追加

ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法 - 特許庁

The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加

バッファ層２はｎ型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁

The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加

第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

To repeat the searchbackwards, type N. 例文帳に追加

戻る検索を繰り返すにはNをタイプします。 - Gentoo Linux

LARGE SCALE N×N TYPE WAVEGUIDE GRATING ROUTER例文帳に追加

大規模Ｎ×Ｎ型導波管格子ルータ - 特許庁

The n-type layer 3 is provided with an n^+type GaN layer 6, an n^-type GaN layer 7, and an n^-type AlGaN layer 8, and the n^-type AlGaN layer 8 is formed at a portion contacting the p-type GaN layer 4 in the n-type layer 3.例文帳に追加

ｎ型層３は、ｎ^＋型ＧａＮ層６と、ｎ^−型ＧａＮ層７と、ｎ^−型ＡｌＧａＮ層８とを備えており、ｎ型層３において、ｐ型ＧａＮ層４に接する部分にｎ^−型ＡｌＧａＮ層８が形成されている。 - 特許庁

The first type is n-type or p-type.例文帳に追加

前記第１型はｎ−型又はｐ−型である。 - 特許庁

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

N-TYPE CALCIUM CHANNEL INHIBITOR例文帳に追加

Ｎ型カルシウムチャンネル阻害剤 - 特許庁

n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

ELECTRODE OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体の電極 - 特許庁

n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド半導体 - 特許庁

N/C TYPE PRESSURE SWITCH MECHANISM例文帳に追加

Ｎ／Ｃ型圧力スイッチ機構． - 特許庁

n-TYPE ZnS SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

ｎ型ＺｎＳ半導体薄膜 - 特許庁

The substrate 2 consists of n-type GaAs.例文帳に追加

基板２は、ｎ型ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

SIMPLE N POLE TYPE MAGNETICALLY ACTIVATED WATER DEVICE例文帳に追加

Ｎ極型簡易磁気活水装置 - 特許庁

COMPOSITION FOR N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

ｎ型熱電素子用組成物 - 特許庁

S/N TRANSITION TYPE CURRENT LIMITER例文帳に追加

Ｓ／Ｎ転移型限流器 - 特許庁

n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

ｎ型熱電変換材料 - 特許庁

EQUIPMENT IN WHICH N-TYPE SEMICONDUCTOR IS INCORPORATED例文帳に追加

ｎ−型半導体を有する装置 - 特許庁

A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.例文帳に追加

第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁

N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR, N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型無機半導体、ｎ型無機半導体薄膜及びその製造方法 - 特許庁

An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。 - 特許庁

N-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

Ｎ型熱電材料及びその製造方法並びにＮ型熱電素子 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

In addition, an N^--type area 5b is formed within the N-type area 5.例文帳に追加

また、Ｎ型領域５内には、Ｎ^−型領域５ｂを形成する。 - 特許庁

An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

The obtained n-type GaN includes n-type carriers in proportion to the oxygen concentration.例文帳に追加

酸素濃度に比例したｎ型キャリアをもつｎ型ＧａＮとなる。 - 特許庁

To prevent n type inversion, and to reduce inter-n type diffusion layer leakage currents.例文帳に追加

ｎ型反転を防止し、ｎ型拡散層間の漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

The deep n-type well is provided with a first deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５を備える。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加

このｎ型欠陥層は実質的にｎ型高ｎ^＋バッファ層２ｂとして機能する。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, a p-type well region PWEL is uniformly provided.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型のウェル領域ＰＷＥＬが一様に設けられている。 - 特許庁

There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

ｎ^+型AlGaAsエミッタ層５直下部のn^+型GaAs基板１裏面には凹部１４を有している。 - 特許庁

The n-type layer 13 is formed on the p-type layers 2 and 12, and the conductive type of the layer is n type.例文帳に追加

ｎ型層１３は、ｐ型層２、１２上に形成され、導電型がｎ型である。 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁