「n-ma」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thermal treatment is performed thereon diffusing an n-side cap layer 8A inside the gate electrode metal film M beneath the n-side cap layer 8A and allowing the former to react with the latter, thereby forming an n-side gate electrode metal film MA inside the nFET region Rn.例文帳に追加

その上で、熱処理を行って、ｎ側キャップ層８Ａを、その直下のゲート電極用金属膜Ｍ内に拡散・反応させて、ｎＦＥＴ領域Ｒｎ内にｎ側ゲート電極用金属膜ＭＡを形成する。 - 特許庁

When the number of times of counting with the set value (a) is defined as m times, and the number of times of counting with the set value b is defined as n times, the targeted number N is expressed with N = ma + nb.例文帳に追加

設定値ａでの計数回数をｍ回、設定値ｂでの計数回数をｎ回として、前記目標数ＮはＮ＝ｍａ＋ｎｂで表される。 - 特許庁

Memory transistors MA which have floating gates and control gates, and N channel MOS transistors QA of which the gates are connected to the floating gates of the memory transistors and which turns on or off in accordance with the storage data of the memory transistors MA, are included in the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

この半導体集積回路装置では、浮遊ゲートおよび制御ゲートを有するメモリトランジスタＭＡと、ゲートが浮遊ゲートに接続され、メモリトランジスタＭＡの記憶データに応じてオンまたはオフするＮチャネルＭＯＳトランジスタＱＡとを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device, while the contact width in a P+ type body layer 6 of a sense cell Se is C1 identical to that of a main cell Ma, the contact width C2 in an N+ type source layer 7 is smaller than the contact width C1 of the main cell Ma (C2<C1).例文帳に追加

センスセルＳｅのＰ＋型ボディ層６におけるコンタクト幅はメインセルＭａと同じＣ１であるが、Ｎ＋型ソース層７におけるコンタクト幅Ｃ２が、メインセルＭａのコンタクト幅Ｃ１よりも狭くなっている（Ｃ２＜Ｃ１）。 - 特許庁

A transistor M5 of a level shift circuit 10 is connected between V_BOOT and V_LX, and generates an output signal for driving the gate of a high-side NMOS (N-channel Metal-Oxide Semiconductor) transistor MA.例文帳に追加

レベルシフト回路１０が有するトランジスタＭ５は、Ｖ＿ＢＯＯＴとＶ＿ＬＸの間に結合され、ハイサイドＮＭＯＳトランジスタＭＡのゲートを駆動するための出力信号を生成する。 - 特許庁

More specifically, the contact area between the N+ type source layer 7 of the sense cell Se and a sense side source electrode film 31 is smaller than the contact area between the N+ type source layer 7 of the main cell Ma and a main side source electrode film 21.例文帳に追加

つまり、センスセルＳｅのＮ＋型ソース層７とセンス側ソース電極膜３１とのコンタクト面積が、メインセルＭａのＮ＋型ソース層７とメイン側ソース電極膜２１とのコンタクト面積よりも小さくなっている。 - 特許庁

Fluid flow passages 6 for refrigerant and for water are formed alternately between a plurality of heat transfer plates 1 while the fluid flow passages 6 for water around the peripheral parts (n) of the refrigerant passage hole 2 of the heat transfer plates 1 are formed as closed spaces Ma, into which water Q will not flow.例文帳に追加

複数の伝熱プレート１の間に冷媒用流体流路５と水用流体流路６を交互に形成し、伝熱プレート１の冷媒通路孔２の周辺部分ｎの水用流体流路６を水Ｑが流入しない閉塞空間Ｍａとして形成する。 - 特許庁

After four seconds, switches 24 and 48 are switched to the N-side, the variable current source 10 is controlled based on the magnitude of a thermoinic emission current, the filament current rises and reaches 1.8A corresponding to a desired thermoinic emission current of 0.5 mA to maintain the stationary state thereafter.例文帳に追加

４秒後にスイッチ２４、４８がＮ側に切り替えられ、可変電流源１０は熱電子放出電流の大きさに基づいて制御され、フィラメント電流は所望の０．５ｍＡ熱電子放出電流に対応する１．８Ａに上昇し、達するとそれ以降その定常状態を維持する。 - 特許庁