n-maとは 意味・読み方・使い方

The memory gates of memory cells of a plurality of memory arrays MA<0>, MA<1>, MA<2>, to, MA<n> in write units WU of a nonvolatile memory module NVMU are connected to a memory gate line MG<0> for writing or erasing.例文帳に追加

不揮発性メモリモジュールＮＶＭＵの書き込み単位WUの複数のメモリアレーMA＜0＞、MA＜1＞、MA＜2＞…MA＜n＞のメモリセルのメモリゲートは、書き込みもしくは消去のためにメモリゲート線MG＜0＞に接続されている。 - 特許庁

An acid spiro compound expressed by (CH_2)_nN^+(CH_2)_mA^- (A is an acid radical; and n and m are each 2-6) is produced by reacting the halogenated spiro compound with an acid or an acid salt.例文帳に追加

次いで、ハロゲン化スピロ化合物は、酸又は酸塩と反応させて、式：(CH_2)_nN^+(CH_2)_mA^-(Aは、酸根、n、mは２〜６)で表される酸スピロ化合物を製造する。 - 特許庁

When rotation inertia of the collector shoe 12 in a section AB is In, the torsion moment Mf is expressed by Mf=(-MA+MB)+ In.例文帳に追加

区間ＡＢにおける舟体１２の回転慣性をＩ_nとすると、ねじりモーメントＭ_fはＭ_f＝（−Ｍ_A＋Ｍ_B）＋Ｉ_nで表される。 - 特許庁

Successively, B_0(1∼), B_1(1∼)-B_N(1∼) are obtained (S105), and p(1∼,t) in an equation (11) is calculated by solving MA×VB=Vb of an equation (10), (S106).例文帳に追加

次に、式（１０）のＭＡ×ＶＢ＝Ｖｂを解くことにより、Ｂ_0(ｌ〜)、Ｂ_1(ｌ〜)、・・・、Ｂ_N(ｌ〜)を求め（Ｓ１０５）、式（１１）のｐ(ｌ〜，ｔ)を算出する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

A control circuit makes voltage VRESET+N*Vα change based on a position of selection memory cells MC10-MC13 in the memory cell array MA.例文帳に追加

制御回路は、電圧ＶＲＥＳＥＴ＋Ｎ＊ＶαをメモリセルアレイＭＡ内での選択メモリセルＭＣ１０〜ＭＣ１３の位置に基づいて変化させる。 - 特許庁

Thermal treatment is performed thereon diffusing an n-side cap layer 8A inside the gate electrode metal film M beneath the n-side cap layer 8A and allowing the former to react with the latter, thereby forming an n-side gate electrode metal film MA inside the nFET region Rn.例文帳に追加

その上で、熱処理を行って、ｎ側キャップ層８Ａを、その直下のゲート電極用金属膜Ｍ内に拡散・反応させて、ｎＦＥＴ領域Ｒｎ内にｎ側ゲート電極用金属膜ＭＡを形成する。 - 特許庁

When the number of times of counting with the set value (a) is defined as m times, and the number of times of counting with the set value b is defined as n times, the targeted number N is expressed with N = ma + nb.例文帳に追加

設定値ａでの計数回数をｍ回、設定値ｂでの計数回数をｎ回として、前記目標数ＮはＮ＝ｍａ＋ｎｂで表される。 - 特許庁