「oxide interfaces」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Impurities, such as moisture, existing in the oxide semiconductor film and also in a gate insulating layer are reduced, and impurities, such as moisture, existing on interfaces between films and the oxide semiconductor film, which are provided vertically in contact with each other, are reduced.例文帳に追加

また、酸化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 - 特許庁

To stabilize electric characteristics of thin-film transistors by preventing a change in compositions, film quality, interfaces, or the like of oxide semiconductor regions for forming active layers in thin-film transistors using oxide semiconductors as the active layers.例文帳に追加

酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。 - 特許庁

A second thermal oxidation film is formed even at the surface of the thin oxide film 20, and the same conditions are selected for interfaces between the first thermal oxide film and second thermal oxidation films, and the substrate to form a flat substrate having no step on the surface after the first thermal oxide film and second oxide film are removed.例文帳に追加

この第二の熱処理により薄い酸化膜２０の表面部分にも第二の熱酸化膜が形成され、このとき第一の熱酸化膜及び第二の熱酸化膜の基板との界面が等しく条件を選択することによって、第一の熱酸化膜と第二の熱酸化膜を除去した後には表面には段差のない平坦な基板を形成することが可能となる。 - 特許庁

Since the silicon oxide film 40, the silicon film 60 and the silicon oxide film 70, are successively formed without exposing them to the atmosphere, the amount of impurity which may be stuck to interfaces between the films 40, 60, 70 during the manufacturing process of the films is reduced and the density of the interface levels is reduced.例文帳に追加

このように、酸化シリコン膜４０、シリコン膜６０および酸化シリコン膜７０を大気に晒すことなく連続して成膜するので、製造プロセス時にそれらの界面に付着する不純物が少なくなり、界面準位の密度が低くなる。 - 特許庁

Namely, the tunneling barrier layer 50 is flat and smooth, and comprised of aluminum oxide, or Al_2O_3 stoichiometry in both interfaces between a free layer 61 and an upper ferromagnetic layer 323 especially.例文帳に追加

すなわち、トンネルバリア層５０が平滑であると共に特にフリー層６１と上部強磁性層３２３との両界面において化学量論的にＡｌ_2Ｏ_3である酸化アルミニウムにより構成されることとなる。 - 特許庁

The mixed phase of these phases such as Cu liquid phase forms a region 21 at which a Cu oxide is present in a discontinuous manner inside the Cu plating film 22 at least at the interfaces between the ceramic body 9 and the Cu plating films 22.例文帳に追加

これらＣｕ液相等の混合相は、Ｃｕめっき膜２２の内部における、少なくともセラミック素体９との界面側に、不連続状にＣｕ酸化物が存在する領域２１を形成する。 - 特許庁

To provide a biological activation material where the metallic glass surface of the material is firmly connected with HAp because of similarities between the network of the metallic glass surface and the network of bio-tissues, and connections with HAp are more strengthened with an oxide as roots and component of interfaces with HAp.例文帳に追加

金属ガラス表面が生態組織と類似のネットワークを形成してHApとの接着が強固であり、更にHApとの接合が界面構成物の根状酸化物により強固に結合された生体活性化材料を提供する。 - 特許庁

To provide a composite ceramic material that has high distributability and composition controllability of zirconia particles and nickel, many three-phase interfaces, and high electron conductivity, a method of manufacturing the composite ceramic material, and a solid oxide type fuel cell.例文帳に追加

ジルコニア粒子及びニッケルの分布性、組成制御性に優れ、しかも三相界面が多く、電子伝導性に優れた複合セラミックス材料及びその製造方法並びに固体酸化物形燃料電池を提供する。 - 特許庁

In a state that compound interfaces of these both membranes are continuously joined together, the hydrogen permeable membrane 2 is formed on the surface of at least the gas side of the proton conductive oxide membrane 1, and the composite membranes 1, 2 are furthermore supported by a porous support S.例文帳に追加

これら両膜の複合界面が連続接合した状態で、プロトン導電性酸化物膜１の少なくとも前記ガス側の表面に水素透過膜２が成膜され、尚かつ当該複合膜１，２が多孔質支持体Sによって支持されている。 - 特許庁

Coatings 70, 72, 74, and 76 for preventing wide band reflections formed of a pair or a plurality of pairs of two thin layers of a high refractive index and low refractive index are applied to these layers, by which the unwanted double reflections produced from the interfaces between the indium tin oxide 30a and the adjacent layers 22a and 32a are minimized.例文帳に追加

高屈折率、低屈折率の薄い２層の１対もしくは複数対で形成される広帯域反射防止コーティング７０，７２，７４，７６を施すことにより、酸化すずインジウム３０ａと隣接層２２ａ，３２ａの間のインターフェースから生ずる望ましくない重複反射が最小限にされる。 - 特許庁