| 例文 |
phase shift methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 553件
The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加
石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁
The method for cleaning a mask substrate having a light shielding film or phase shift film on a transparent substrate comprises a first process of irradiating the mask substrate with ultraviolet ray; a second process of cleaning the mask substrate by dipping it in ozone water; a third process of cleaning the mask substrate by dipping it in hydrogen water, ammonia water or ammonia hyperhydration; and a fourth process of drying the mask substrate.例文帳に追加
透明基板上に遮光膜や位相シフト膜を設けたマスク基板の洗浄方法であって、前記マスク基板に紫外線を照射する第1の工程と、前記マスク基板をオゾン水に浸漬して洗浄する第2の工程と、前記マスク基板を水素水、またはアンモニア水、またはアンモニア過水に浸漬して洗浄する第3の工程と、前記マスク基板を乾燥させる第4の工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
In this manufacturing method, when a group of resist patterns are formed, a first photo mask 1 composed of a phase shift mask is used for exposure by circular illumination, and a second photo mask 6 composed of a chrome mask is used for exposing by oblique incidence deformation illumination, thus allowing accurate transfer in both the patterns to be transferred by the first and second photo masks 1 and 6.例文帳に追加
一群のレジストパターンを形成する際、まず、位相シフトマスクで構成される第1のフォトマスク1を用いて円形照明により露光し、次いでクロムマスクで構成される第2のフォトマスク6を用いて斜入射変形照明により露光することにより、第1のフォトマスク1で転写されるパターンおよび第2のフォトマスク6で転写されるパターンの両者において高精度な転写が可能となる。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|