「quantum well layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The active layer is, for example, a multi-quantum well including an InGaN layer as a quantum well.例文帳に追加

活性層は、例えばＩｎＧａＮ層を量子井戸とする多重量子井戸とする。 - 特許庁

The second quantum well layer 26 has larger emission wavelength than the first quantum well layer 22.例文帳に追加

第２量子井戸層２６は、第１量子井戸層２２よりも発光波長が長い。 - 特許庁

An active layer 95 has a quantum well structure.例文帳に追加

活性層９５を量子井戸構造とする。 - 特許庁

Therein, the thickness of a quantum well layer of the multiple quantum well layer of the light deflection part 3 is set so as to become thinner than the thickness of a quantum well layer of a multiple quantum well layer of the laser part 2.例文帳に追加

そして光偏向部３の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さは、レーザ部２の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さより薄くなるように設定されている。 - 特許庁

An active layer 15 has a quantum well structure.例文帳に追加

活性層（１５）を量子井戸構造とする。 - 特許庁

The band gap of the second quantum well layer is larger than the band gap of the first quantum well layer.例文帳に追加

第２の量子井戸層のバンドギャップが該第１の量子井戸層のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

A first quantum well layer and a second quantum well layer which are interposed between barrier layers to define quantum wells are laminated.例文帳に追加

バリア層で挟まれて量子井戸を画定する第１の量子井戸層及び第２の量子井戸層が積層されている。 - 特許庁

The quantum well structure comprises: a well support layer containing a group III nitride; a quantum well layer containing the group III nitride on the well support layer; and a cap layer containing the group III nitride on the quantum well layer.例文帳に追加

量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。 - 特許庁

A barrier layer B21, a quantum well layer W21, a barrier layer B22, a quantum well layer W22, a barrier layer B23, a quantum well layer W23, and a barrier layer B24 of the active layer 71 are provided in order.例文帳に追加

活性層７１の障壁層Ｂ２１、量子井戸層Ｗ２１、障壁層Ｂ２２、量子井戸層Ｗ２２、障壁層Ｂ２３、量子井戸層Ｗ２３、障壁層Ｂ２４が、順に設けられている。 - 特許庁

As the quantum well layer 5, an inclined quantum well layer 5 comprising an inclined band gap is used.例文帳に追加

さらに量子井戸層５として、傾斜形状バンドギャップを有する傾斜型量子井戸層を用いる。 - 特許庁

An asymmetric strain is produced in the surface of the strained quantum well of the semiconductor quantum well layer 13.例文帳に追加

半導体量子井戸層１３の歪量子井戸の面内には非対称な歪が発生する。 - 特許庁

The optical waveguide layer has a quantum well active layer 16 including a well layer 28 and a barrier layer 30.例文帳に追加

光導波路層は、井戸層２８と障壁層３０を含む量子井戸活性層１６を有する。 - 特許庁

Both of the first quantum well layer 11 and the second quantum well layer 12 are composed of π conjugate molecules.例文帳に追加

第１の量子井戸層１１及び第２の量子井戸層１２を何れもπ共役系分子により構成する。 - 特許庁

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.例文帳に追加

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

The multiple quantum well layer 22 has such a structure as the quantum well layer and the barrier layer are laminated alternately a plurality of times.例文帳に追加

多重量子井戸層２２は、量子井戸層とバリア層とを交互に複数回繰り返し積層した構造を有している。 - 特許庁

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.例文帳に追加

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

The active layer 4 has a multiple quantum well structure or single quantum well structure in which a well layer 7 is sandwiched between barrier layers 6.例文帳に追加

また、活性層４は、井戸層７をバリア層６で挟んだ単一量子井戸構造もしくは多重量子井戸構造とされる。 - 特許庁

LONG-WAVELENGTH PHOTONICS DEVICE INCLUDING GaAsSb QUANTUM WELL LAYER例文帳に追加

ＧａＡｓＳｂ量子井戸層を含む長波長フォトニクスデバイス - 特許庁

This laser structure has an InAsP quantum well layer.例文帳に追加

このレーザー構造(100)はＩｎＡｓＰの量子井戸層を有する。 - 特許庁

The first quantum well layer 221 generates ultraviolet region light, and the second quantum well layer 222 generates blue light.例文帳に追加

第１量子井戸層２２１は紫外領域光を発生し、第２量子井戸層２２２は青色光を発生する。 - 特許庁

The p type layer of the active region may be a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁

The p-type layer in the active region can be a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁

The active layer 10 has a multiple quantum well structure for which an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer are stacked.例文帳に追加

活性層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

The multiple quantum well active layer 3 has two quantum well layers 3a, barrier layers 3b formed on both sides of each quantum well layer 3a, and guide layers 3c and 3d.例文帳に追加

多重量子井戸活性層３は、２層の量子井戸層３ａと、各量子井戸層３ａの両側に設けられた障壁層３ｂと、ガイド層３ｃ，３ｄを有している。 - 特許庁

The ZnO-based semiconductor active layer 3 is a quantum well structure having a well layer and a barrier layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体活性層３は、井戸層と障壁層を備える量子井戸構造である。 - 特許庁

In an LED with a light emitting layer of quantum well texture consisting of AlGaN, a difference in an AL composition between a barrier layer forming the quantum well texture and the quantum well texture layer is within 15%, and the AL composition of the quantum well texture layer is 2% or more, and the thickness of the quantum well texture layer is 4 nm or less.例文帳に追加

ＡｌＧａＮからなる量子井戸構造の発光層を有するＬＥＤにおいて、前記量子井戸構造を構成する障壁層と量子井戸層のＡｌ組成の差が１５％以内であり、かつ前記量子井戸層のＡｌ組成が２％以上であり、かつ、前記量子井戸層の厚さが４ｎｍ以下である。 - 特許庁

A quantum well layer 16b positioned on the center in the three quantum well layers 16a-16c is thinner than other two quantum well layers 16a, 16c.例文帳に追加

該３層の量子井戸層１６ａ〜１６ｃのうち中央に位置する量子井戸層１６ｂは、他の２層の量子井戸層１６ａ，１６ｃより薄い。 - 特許庁

A multi quantum well barrier layer 5 is formed on the light emitting layer.例文帳に追加

発光層上には多重量子井戸障壁層５が形成されている。 - 特許庁

A p-type ZnMgO layer is formed on the ZnO/ZnMgO quantum well layer surface (e).例文帳に追加

（ｅ）ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層表面上に、ｐ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

The quantum well layer (32) is sandwiched in between a first barrier layer (33) and a second barrier layer (34).例文帳に追加

量子井戸層(32)は第１の障壁層(33)と第２の障壁層(34)の間に挟まれる。 - 特許庁

Further, the quantum well layer 17 of the quantum well structure of the layer 2 of the laser is set to three or less layers.例文帳に追加

さらに、半導体レーザの活性層２における量子井戸構造の量子井戸層１７を３層以下に設定している。 - 特許庁

A well layer in an active region of the multiple quantum well is formed by a GaInNas layer.例文帳に追加

多重量子井戸の活性領域の井戸層はＧａＩｎＮＡｓ層で形成されている。 - 特許庁

The active region includes a quantum well layer and a barrier layer containing indium.例文帳に追加

活性領域は、量子井戸層と、インジウムを含有する障壁層とを含む。 - 特許庁

A substance having n-type conductivity is used as an impurity for the quantum well layer of this multiplex quantum well semiconductor element, and only the quantum well layer is doped, or it is mainly doped with the substance.例文帳に追加

多重量子井戸半導体素子の量子井戸層をｎ型導伝性とする物質を不純物として量子井戸層のみ、もしくは、主に量子井戸層にドーピングする。 - 特許庁

The diffraction lattice 18 is constituted of the InGaAsP barrier layer 30e in the quantum well structure active layer and the lattice layer of InGaAs quantum well layers 28f and 28e and an InP buried layer having composition different from the quantum well layer.例文帳に追加

回折格子１８が、量子井戸構造活性層のＩｎＧａＡｓＰ障壁層３０ｅ及びＩｎＧａＡｓ量子井戸層２８ｆ、２８ｅの格子層と、量子井戸層とは異なる組成のＩｎＰ埋め込み層２０とから構成される。 - 特許庁

The light emitting layer 10 has a multiple quantum well structure which is constructed with an AlGaN with Al component of 50% or more as a multiple-quantum well layer.例文帳に追加

発光層１０は、Ａｌ組成が５０％以上のＡｌＧａＮ層を量子井戸層とした多重量子井戸構造を有する。 - 特許庁

The active region includes a second semiconductor layer of a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域は、量子井戸層又は障壁層のいずれかである第２半導体層を含む。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor lower layer in repetitive structure of an electron barrier layer and a quantum well layer.例文帳に追加

電子障壁層と量子井戸層の繰返し構造を有する半導体下層を備えている。 - 特許庁

The emission layer 3 includes a quantum well layer comprising InxGa1-xN (0.1≤x≤0.6).例文帳に追加

発光層３は、Ｉｎ_XＧａ_1-XＮ（０．１≦ｘ≦０．６）からなる量子井戸層を含む。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic memory includes a structure configured such that a layer for forming a quantum well is adjoining to a ferromagnetic layer.例文帳に追加

また、強磁性層に量子井戸形成層を隣接した構成を有する。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

Further, the cavity 2 is constituted of a single quantum well structure comprising GaAs as a well layer.例文帳に追加

また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 - 特許庁

Moreover, the cavity 2 consists of a single quantum well structure including GaAs as a well layer.例文帳に追加

また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 - 特許庁

In a quantum well structure 12 with a quantum well layer 10 formed on an InP substrate, the quantum well layer 10 is crystal-grown at a temperature of ≥440°C and ≤510°C and the quantum well layer 10 has compression distortion of ≥2% and <10%.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上に量子井戸層１０が形成される量子井戸構造１２において、前記量子井戸層１０は４４０℃以上５１０℃以下の温度下で結晶成長し、該量子井戸層１０は２％以上１０％未満の圧縮歪を有した。 - 特許庁

The semiconductor device has a gate electrode for applying a voltage to the quantum well layer of the semiconductor upper layer.例文帳に追加

半導体上層の量子井戸層に電圧を印加するゲート電極を備えている。 - 特許庁