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random access input-outputの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12件
To shorten command supply interval at the time of random access and to improve a transfer rate of input/output data.例文帳に追加
ランダムアクセス時のコマンド供給間隔を短くし、入出力データの転送レートを向上する。 - 特許庁
To attain the high speed of a synchronous DRAM(dynamic type random access memory) or the like by suppressing the generation of hot carriers in a data input buffer and a data output buffer or the like without incurring an access delay especially at the munimum side of an external power source voltage VDD.例文帳に追加
特に外部電源電圧ＶＤＤのミニマム側でのアクセス遅延を招くことなく、データ入力バッファ及びデータ出力バッファ等におけるホットキャリアの発生を抑制し、シンクロナスＤＲＡＭ等の高速化を図る。 - 特許庁
The LCD driver (liquid crystal display drive device) IC chip 10 includes an input circuit 11 to which data is inputted, a RAM (Random Access Memory) 12 as a memory section, a logic circuit 13 as a data processing section, an internal semiconductor element circuit constituted in such a manner that the output circuit 14 etc., including a latch circuit and producing signal output are correlated.例文帳に追加
ＬＣＤドライバ（液晶表示駆動装置）ＩＣチップ１０は、データが入力される入力回路１１、記憶部としてのＲＡＭ（Random Access Memory）１２、データ処理部としてのロジック回路１３、及びラッチ回路を含み信号出力をする出力回路１４等が相関するように構成された内部の半導体素子回路を有している。 - 特許庁
The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.例文帳に追加
このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁
An LCD driver IC chip 10 (a liquid crystal display driving device) comprises an internal semiconductor element circuit configured so that a data input circuit 11 RAM(Random Access Memory) 12 as a storage part, a logic circuit 13 as a data processing part, an output circuit 14 for outputting a signal including a latch circuit, etc., are correlated with each other.例文帳に追加
ＬＣＤドライバ（液晶表示駆動装置）ＩＣチップ１０は、データが入力される入力回路１１、記憶部としてのＲＡＭ（Random Access Memory）１２、データ処理部としてのロジック回路１３、及びラッチ回路を含み信号出力をする出力回路１４等が相関するように構成された内部の半導体素子回路を有している。 - 特許庁
In orthogonal frequency division multiplexing multiple-input multiple-output systems, a wireless transmit/receive unit selects a random access channel (RACH) and a phase for a constant amplitude zero auto correlation (CAZAC) sequence for RACH transmission.例文帳に追加
直交周波数分割多重多入力多重出力システムにおいて、無線送受信ユニットは、ランダムアクセスチャネル（ＲＡＣＨ）およびＲＡＣＨ送信の定振幅ゼロ自己相関（ＣＡＺＡＣ）シーケンス用の位相を選択する。 - 特許庁
One of the source area and drain area of a TFT 21 for selection is connected to one of source signal lines 23 and the other is connected to the input side of an SRAM (static random access memory) 24, whose output side is connected to a light emitting element 25.例文帳に追加
選択用ＴＦＴ２１のソース領域とドレイン領域のうち、一方をソース信号線２３の１つと、他方をＳＲＡＭ２４の入力側とそれぞれ接続し、ＳＲＡＭ２４の出力側と発光素子２５とを接続する。 - 特許庁
A video server 40 is constituted of a storage means 46 using a recording medium enabling random access and a server controller 42 for controlling the means 46 and plural input and output ports 50, 60 connected to the means 46.例文帳に追加
ランダムアクセス可能な記録媒体を用いた蓄積手段４６と、この蓄積手段、この蓄積手段に接続された複数の入力ポート５０および出力ポート６０をそれぞれコントロールするサーバコントローラ４２とでビデオサーバ４０が構成される。 - 特許庁
The delay amount may be one or more currents or voltages indicating an amount of PVT compensation to be applied to input or output signals of an application circuit, such as a memory-bus driver, a dynamic random access memory, a synchronous DRAM, a processor or other clocked circuit.例文帳に追加
遅延量は、１つ以上の電流または電圧となる場合があり、メモリバスドライバ、動的ランダムアクセスメモリ、同期ＤＲＡＭ、プロセッサ、あるいは他のクロック回路のようなアプリケーション回路の入力信号または出力信号に適用されるＰＶＴ補正量を示す。 - 特許庁
The system body 13 is constituted of a known computer system provided with a central processing unit (CPU) 13a, a read-only memory (ROM) 13b, a random access memory (RAM) 13c, an input/output device (I/O) 13d, and so on.例文帳に追加
システム本体１３は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）１３ａ、読み取り専用の記憶装置（ＲＯＭ）１３ｂ、読み書き可能な記憶装置（ＲＡＭ）１３ｃ、入出力装置（Ｉ／Ｏ）１３ｄなどを備えた周知のコンピュータシステムによって構成されている。 - 特許庁
A resistive cross point memory (RXPtM) cell array device 10 (one example of which is a magnetic random access memory(MRAM) device) includes a chip 40 on which an array 12 of RXPtM cells is formed, an array 44 of sense amplifiers used in sensing resistance values of the RXPtM cells 14, and an input/output(I/O) controller 48 are formed.例文帳に追加
抵抗性交点メモリ(RXPtM)セルアレイデバイス10（この１つの例は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスである）は、RXPtＭセルのアレイ１２、RXPtＭセル14の抵抗値を読み取る際に使用されるセンス増幅器のアレイ44、及び、入力／出力(I/O)コントローラ48が形成されたチップ40を備える。 - 特許庁
This magnetic random access memory (MRAM) comprises data storage unit including a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer, a data input means connected electrically to both ends of the free layer to input data to the data storage unit, and a data output means connected electrically to the free layer and the fixed layer to output data stored in the data storage unit.例文帳に追加
固定層、非磁性体層及び自由層を含むデータ貯蔵ユニットと、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するために前記自由層の両端に電気的に接続されたデータ入力手段と、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するために前記自由層及び固定層に電気的に接続されたデータ出力手段とを含む磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）とした。 - 特許庁
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