random memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1148件
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
スタティック・ランダム・アクセスメモリおよび半導体装置 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
集積回路半導体ランダムアクセス・メモリ装置 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
強誘電体メモリおよびその製造方法 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF INITIALIZING THE SAME例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ、及びその初期化方法 - 特許庁
MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気トンネル接合素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
RANDOM NUMBER GENERATION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
乱数発生回路及び半導体記憶装置 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ACCESS METHOD TO THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ランダムアクセスメモリへのアクセス方法および磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, DEVICE COMPRISING THE CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリセル、これを含むデバイス、及びダイナミックランダムアクセスメモリ記憶装置の製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
RANDOM ACCESS MEMORY USING SUPERCONDUCTIVE LOGIC GATE例文帳に追加
超電導論理ゲートを用いたランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
To accelerate the random access speed of a serial memory device.例文帳に追加
シリアルメモリ装置のランダムアクセスを高速化する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
A memory apparatus may be a resistive cross point memory (RXPtM) cell type (e.g. a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加
抵抗性クロスポイントメモリ(resistive cross point memory(RXPtM))セルタイプ(例えば磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM))とすることが可能なメモリ装置。 - 特許庁
The random number generating method uses a random number memory table 27 which stores random numbers and numerals to derive the random numbers in cross-reference with each other to generate a random number.例文帳に追加
乱数とこの乱数を引き出すための数値とが対応付けられて記憶された乱数テーブル27を用いて乱数を発生させる。 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING EMBEDDED MEMORY例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリの製造方法及び混載メモリの製造方法 - 特許庁
STORAGE ELEMENT OF ACTIVE STRAP MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS例文帳に追加
アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子 - 特許庁
NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY CELL USING MAGNETOSTATIC COUPLING例文帳に追加
静磁気結合を利用した磁性ランダムアクセスメモリセル - 特許庁
PARTIALLY NON-VOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND METHOD FOR WRITING DATA THERETO例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリおよび半導体記憶装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加
磁気抵抗ランダムアクセスメモリおよびその駆動方法 - 特許庁
ONE-TRANSISTOR ONE-CAPACITOR TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
1トランジスタ1キャパシタ型のダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁
The buffer memory is a random access memory and has the same structure as the flash memory.例文帳に追加
バッファメモリは、ランダムアクセスが可能なメモリであり、フラッシュメモリと同一なアドレス構造を有する。 - 特許庁
SILICON ON INSULATOR NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
シリコン・オン・インシュレ—タ不揮発性ランダム・アクセス・メモリ・デバイス - 特許庁
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