「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体ランダムアクセスメモリ装置の製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DATA READING METHOD例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ及びそのデータ読み出し方法 - 特許庁

NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY WITH GLOBAL WRITE LINE例文帳に追加

グローバル書込線を具備する磁気ランダムアクセスメモリアレイ - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING SHARED GLOBAL WORD LINE例文帳に追加

共用グローバルワード線を有する磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁

REFRESHING METHOD, MEMORY SYSTEM, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM OPERATING METHOD, AND LOGIC EMBEDDED MEMORY SYSTEM例文帳に追加

リフレッシュ方法、メモリシステム、ダイナミックランダムアクセスメモリ装置、メモリシステムの動作方法及びロジックエンベディッドメモリシステム - 特許庁

LOGICAL DATA BLOCK, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, MEMORY MODULE, COMPUTER SYSTEM, AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

論理データブロック、磁気ランダムアクセスメモリ、メモリモジュール、コンピュータシステムおよび方法 - 特許庁

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

A memory cell has a chalcogenide random access memory, CRAM, cell 40 and a CMOS circuit.例文帳に追加

メモリセルはカルコゲニドランダムアクセスメモリ（CRAM）セル４０とCMOS回路とを有している。 - 特許庁

QUANTUM RANDOM ADDRESS MEMORY WITH MAGNETIC READOUT AND/OR NANO-MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気読出部及び／又はナノ・メモリ素子を使用する量子ランダム・アドレス・メモリ - 特許庁

MANUFACTURE OF EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

埋め込まれたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーの製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DATA READ-OUT METHOD例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリおよびそのデータ読み出し方法 - 特許庁

To speed up random write access to a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリのランダムライトアクセスの高速化を図る。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

METHOD FOR INITIALIZING MAGNETIC ORIENTATION OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセルの磁気配向初期化方法 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICE例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造方法 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory having high integration.例文帳に追加

集積度の高い磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置とその検査方法 - 特許庁

This device is a magnetic random access memory(MRAM) device (100).例文帳に追加

メモリセル(104)のアレイ(102)を含む磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）デバイス(100)。 - 特許庁

The resistive random access memory device has: a memory chip using a resistive random access memory cell; and a heater which imparts a temperature bias for accelerating state change of the memory cell to the memory chip.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

The data memory device can be a magnetic random access memory(MRAM).例文帳に追加

データ記憶装置は、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置とすることができる。 - 特許庁

An asynchronous transmission DMA(Direct Memory Access) 31 performs DMA transfer of data stored in a RAM(Random Access Memory) connected with a host bus 2 to an asynchronous transmission FIFO(First In, First Out) 32 by unit of packet.例文帳に追加

アシンクロナス送信DMA３１は、ホストバス２に接続されているRAM(Random Access Memory)に格納されているデータをパケット単位でアシンクロナス送信FIFO３２にDMA(Direct Memory Access)転送する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

GENERATION OF REFERENCE SIGNAL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成 - 特許庁

UNI-TRANSISTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加

ユニ・トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの制御方法 - 特許庁

MAGNETIC ELEMENT AND INTERGRATED CIRCUIT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

ARCHITECTURE OF SPACE TIME SWITCH USING RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリを用いた空間・時間スイッチのアーキテクチャ - 特許庁

To attain the high speed of random cycle time being characteristics of a semiconductor memory circuit such as a fast cycle random access memory.例文帳に追加

ファーストサイクルランダムアクセスメモリ等の半導体メモリ回路の特徴であるランダムサイクルタイムの高速化を図る。 - 特許庁

DATA SENSING METHOD FOR FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法 - 特許庁

METHOD FOR OPTIMUM MEMORY MAPPING FOR RANDOM ADDRESSING OF BLOCK DATA例文帳に追加

ブロックデータのランダムアドレッシング用最適メモリマッピング方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING HIGH CURRENT DENSITY例文帳に追加

高い電流密度を有する磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND TEST METHOD THEREFOR例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置およびその検査方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE, IN PARTICULAR, PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH TRANSISTOR, AND METHOD FOR FABRICATING MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリデバイス、特に、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE, PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE PARTICULARLY PROVIDED WITH TRANSISTOR, AND MEMORY DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

メモリデバイス、特にトランジスタを有する相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスの形成方法 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device performing an operational margin test suitable for a mechanism of TTRAM (Twin-Transistor Random Access Memory) which is one of capacitorless memory.例文帳に追加

キャパシタレスメモリの１つであるＴＴＲＡＭ（Twin-Transistor Random Access Memory）のメカニズムに適した動作マージンテストを行なう半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

RANDOM NUMBER GENERATOR, RANDOM NUMBER GENERATION CONTROL METHOD, MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE, AND COMMUNICATION DEVICE例文帳に追加

乱数生成装置、乱数生成制御方法、メモリアクセス制御装置、および、通信装置 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING READING ACCESS OF MEMORY CELL, AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリセルの読み出しアクセスを制御する方法およびダイナミックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

A random access memory device has a memory array, and a refresh rate generator circuit.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリデバイスは、メモリアレイと、リフレッシュ速度生成器回路とを備えている。 - 特許庁

The individual memory elements may comprise magnetic random access memory elements.例文帳に追加

個別的なメモリ要素は磁気ランダムアクセスメモリ要素を包含することが可能である。 - 特許庁