「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, an ID image stored in a security memory 8-1 is used as a random number series generator.例文帳に追加

このとき、セキュリティメモリ８—１に格納されているＩＤ画像を乱数系列発生源として用いる。 - 特許庁

To decrease influences of strong magnetism even in a camera system employing a magnetoresistive random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭを用いたカメラシステムであっても、強い磁気の影響を減少させることを目的とする。 - 特許庁

TIMING VERIFYING METHOD FOR RANDOM ACCESS MEMORY PART WITH BUILT-IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND LOGICAL SIMULATION DEVICE FOR VERIFICATION例文帳に追加

半導体装置内蔵ランダムアクセスメモリ部のタイミング検証方法および検証用論理シミュレーション装置 - 特許庁

MAGNETIC FILM, MULTILAYERED MAGNETIC FILM, METHOD AND MECHANISM FOR INVERTING MAGNETIZATION OF MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁性膜及び多層磁性膜、磁性膜の磁化反転方法及び磁化反転機構、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

STATIC/RANDOM/ACCESS/MEMORY (SRAM) AND METHOD FOR CONTROLLING VOLTAGE LEVEL SUPPLIED TO SRAM例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）およびＳＲＡＭに供給される電圧レベルを制御する方法 - 特許庁

To improve the test comprehensiveness of a random instruction combination test in a memory sharing type multiprocessor system.例文帳に追加

メモリ共有型マルチプロセッサシステムにおけるランダム命令組合せ試験の試験網羅性を向上させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体装置、半導体装置の製造方法、ダイナミックランダムアクセスメモリおよびダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁

Registers (20, 22, 30, 32) are disposed to four sides of a rectangular dynamic random access memory cell array (1), respectively.例文帳に追加

矩形状のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルアレイ（１）の４辺それぞれにレジスタ（２０，２２，３０，３２）を配置する。 - 特許庁

A storage device 24 can be random-accessed at high speed like a hard disk unit and a semiconductor memory device.例文帳に追加

記憶装置２４は、ハードディスク装置及び半導体メモリ装置のように高速にランダムアクセス可能である。 - 特許庁

To provide a memory access system for shortening access time even at the time of random access to a DRAM and performing acceleration.例文帳に追加

ＤＲＡＭへのランダムアクセス時にもアクセス時間を短縮して高速化したメモリアクセスシステムを提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory element is made from a first magnetic tunnel junction and a second magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ要素が第一磁気トンネル接合及び第二磁気トンネル接合から構成されている。 - 特許庁

A synchronous random access memory device is manufactured as a dynamic storage device or a static storage device.例文帳に追加

前記の同期ランダムアクセスメモリ装置はダイナミック記憶装置またはスタティック記憶装置として製作される。 - 特許庁

His invention concerns the MIS semiconductor device and a high-integrated random access memory semiconductor device. 例文帳に追加

この発明はMIS型半導体装置とそれを用いた高集積ランダムアクセスメモリ半導体装置に関する。 - 特許庁

To provide a static random access memory whose static noise margin can easily be measured and an SNM measuring method.例文帳に追加

ＳＮＭを容易に計測可能なスタティックランダムアクセスメモリおよびＳＮＭ計測方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH SMALL-ANGLE TOGGLE WRITE LINES, ARRAY THEREOF, AND SWITCHING METHOD THEREOF例文帳に追加

微小角度トグル書き込み線を有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイス、そのアレイ及びそのスイッチング方法 - 特許庁

To provide an MRAM (Magnetic Random Access Memory) which permits readout operation stable to bit line clamping voltage levels.例文帳に追加

ビットラインクランピング電圧レベルに対して安定な読み出し動作が可能なＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A magnetic tunneling junction type magnetic random access memory cell is comprised of bit lines 20 so as to constitute a composite structure comprising a soft adjacent magnetic layer 24.例文帳に追加

隣接軟磁性層２４を含む複合構造を有するようにビット線２０を構成する。 - 特許庁

To provide a logical data block in a MRAM (magnetic random access memory) configured so that half-select errors are reduced or eliminated.例文帳に追加

半選択誤りが低減または解消されるように構成されたMRAMの論理データブロックの提供。 - 特許庁

To improve track pulling performance in seek operation with respect to a DVD/RAM(Digital Versatile Disk of Random Access Memory) disk.例文帳に追加

ＤＶＤ・ＲＡＭディスクに対するシーク動作におけるトラック引き込み性能を向上させるにある。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory whose interface magnetic layer is sufficiently crystallized, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

界面磁性層が十分に結晶化された磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SINGLE GATE ELECTRODE CORRESPONDING TO A PAIR OF CHANNEL REGIONS AND RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

一対のチャンネル領域に対応する単一ゲート電極を有する半導体素子及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

The memory module 450 includes a plurality of dynamic random access memories (DRAMs) 452 and a fault storage unit 454.例文帳に追加

メモリモジュール４５０は、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）４５２および故障記憶ユニット４５４を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory realized by application of inverted spin torque magnetization with a small write current value.例文帳に追加

書込み電流値の小さなスピントルク磁化反転を応用した磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric type nonvolatile semiconductor memory array permitting its application to random access use.例文帳に追加

ランダムアクセス用途への適用を可能とする強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイを提供する。 - 特許庁

A first program is executed to generate a second program executed in a random access memory of an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路のランダムアクセスメモリーで実行される第２プログラムを発生する第１プログラムを実行する。 - 特許庁

DISTRIBUTED DECODING SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING DENSITY OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM)例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）の密度を向上させるための分散型復号化システムおよび方法 - 特許庁

MULTI-BANK SCHEDULING TO IMPROVE PERFORMANCE ON TREE ACCESS IN DRAM BASED RANDOM ACCESS MEMORY SUBSYSTEM例文帳に追加

ＤＲＡＭベースのランダム・アクセス・メモリ・サブシステムでツリー・アクセスに関する性能を改善するためのマルチ・バンク・スケジューリング - 特許庁

A magnetic random access memory (MRAM) includes an array (12) of cells (14), and a plurality of first conductors on a first side of the array (12).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスは、セル(14)のアレイ(12)と、アレイ(12)の第1の側に複数の第1の導体とを含む。 - 特許庁

DIELECTRIC COMPOSITION USED FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING STABILITY WITH RESPECT TO REDUCING ATMOSPHERE例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリに用いられる還元雰囲気に対して安定性を有する誘電体組成物 - 特許庁

To suppress random variation in transistor characteristics which becomes remarkable by downsizing, in a memory such as an SRAM etc.例文帳に追加

ＳＲＡＭ等のメモリにおける、微細化で顕著になるトランジスタ特性のランダムばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) using a carbon nanotube (CNT) thin film.例文帳に追加

炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ ＮａｎｏＴｕｂｅ）薄膜を利用したＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which protects a magnetoresistance effect element against outgas from an inter-layer film and suppresses deterioration of the magnetic characteristics.例文帳に追加

層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

Then, an ID image stored in a security memory 8-1 is used as a random number series source.例文帳に追加

このとき、セキュリティメモリ８—１に格納されているＩＤ画像を乱数系列発生源として用いる。 - 特許庁

This read/reset system is so formed that after reading stored data, write data to the random access memory is changed over into reset information by an output differentiating a signal, which makes the address to be read/reset into read enabling one, by a write clock of the random access memory and an address to be written in the random access memory is changed into the address.例文帳に追加

格納されているデータをリードした後にリード・リセットすべきアドレスをリード・イネーブルにする信号を該ランダム・アクセス・メモリのライト・クロックによって微分した出力により、該ランダム・アクセス・メモリへのライト・データをリセット情報に切り替え、該ランダム・アクセス・メモリにライトするアドレスを当該アドレスに切り替えるように構成する。 - 特許庁

A decryption processing part 22 of the receiving-side terminal 2 generates the random number ID information again, by using the identification information of the USB memory 6 and the random numbers in the random number file DB 31, and decrypts the original data file from the tally information by using the random number ID information.例文帳に追加

受取側端末２の復号処理部２２は、ＵＳＢメモリ６の識別情報および乱数ファイルＤＢ３１内の乱数を用いて乱数ＩＤ情報を再び生成し、その乱数ＩＤ情報を用いて割符情報から元のデータファイルを復元する。 - 特許庁

To provide a method for controlling operation of a dynamic random access memory(DRAM) system having a plurality of memory cells constituted of rows and columns.例文帳に追加

ロウおよびカラムに編成された複数のメモリ・セルを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）システムの動作を制御する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a DRAM(dynamic random access memory) being a semiconductor memory element with an error correcting function and to reduce the time incapable of performing access operation caused by error correcting operation.例文帳に追加

半導体記憶素子であるＤＲＡＭに関し、エラー訂正機能を持ち、かつエラー訂正動作に伴うアクセス不可能な時間を少くする。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell includes a magnetic tunnel junction being formed of an insulating layer included between a sense layer and a memory layer.例文帳に追加

本発明は、センス層および記憶層間に含まれる絶縁層から形成された磁気トンネル接合部を含む磁気ランダムアクセスメモリセルに関する。 - 特許庁

The random data input/output circuit receives data in units of sectors from the buffer memory or outputs the data in units of sectors to the buffer memory.例文帳に追加

ランダムデータ入出力回路は、バッファメモリからセクタ単位にデータを入力されるか、或いはバッファメモリにセクタ単位にデータを出力する。 - 特許庁

When a clear switch is set to a prescribed operation state at the restart of a power feed, the memory contents of a RAM(random access memory) are initialized.例文帳に追加

そして、電力供給再開時に、クリアスイッチが所定の操作状態とされていた場合には、ＲＡＭの記憶内容を初期化する。 - 特許庁

The random data input/output circuit receives data in units of sectors from the buffer memory or outputs the data in units of sectors to the buffer memory.例文帳に追加

ランダムデータ入出力回路は、バッファメモリからセクタ単位にデータを入力されるか、或いはバッファメモリにセクタ単位にデータを出力する。 - 特許庁

To require much time since system start is constrained after the completion of the transfer of all programs from a flash memory to a random accessible external memory.例文帳に追加

システム起動は、フラッシュメモリからランダムアクセス可能な外部メモリへの全プログラム転送完了後に制約されるので、多くの時間を要する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory MRAM capable of accurately determining data stored in a magnetic memory cell without using any reference cell.例文帳に追加

基準セルを使用せず、マグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを正確に判別することができるマグネチックランダムアクセスメモリＭＲＡＭが提供される。 - 特許庁

A flicker decrease system for the random row access type imager has a memory connected to the imager and a controller connected to the memory and the imager.例文帳に追加

ランダム行アクセス式のイメージャ用のフリッカ減少システムは、イメージャに結合されたメモリと、メモリ及びイメージャに結合されたコントローラとを有する。 - 特許庁

The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。 - 特許庁