random memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1148件
This system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加
本発明に従うフラッシュメモリ(セルアレイ)と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁
To provide a memory access method, with which random access performance can be improved without having to use expensive high-speed memory.例文帳に追加
高価な高速メモリを使用することなくランダムアクセス性能を向上させることができるメモリアクセス方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which high speed random access memory can be realized while realizing less area.例文帳に追加
高速なランダムアクセスを実現しつつ、かつ小面積化を実現することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The random access memory device (300) includes planes (200) of one or a plurality of memory arrays (100) stacked one upon another.例文帳に追加
ランダムアクセスメモリ素子(300)は、互いの上に積重された1つまたは複数のメモリアレイ(100)の面(200)を含む。 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁
The magnetoresistive random access memory (MRAM) including a plurality of layers on a substrate is disclosed.例文帳に追加
基板上に複数の層を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)が開示される。 - 特許庁
To provide a distributed memory array which supports both random access and file storage operations.例文帳に追加
ランダムアクセス動作及びファイル格納動作をサポートする分散型メモリアレイを提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic random access memory (RAM) with a reference cell more stably magnetized.例文帳に追加
磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SPATIAL LIGHT MODULATOR USING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗素子ならびにこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリおよび空間光変調器 - 特許庁
To provide a method and a device for debugging circuit design having a random access memory.例文帳に追加
ランダムアクセスメモリを有する回路設計をデバッグするための方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high-density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a 4M storage capacity.例文帳に追加
4Mの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)回路を提供する。 - 特許庁
A method for controlling a static random access memory device adopting twin cell structure is provided.例文帳に追加
ツインセル構造を採用するスタティックランダムアクセスメモリ装置を制御する方法を提供する。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR SHORTENING WRITE OPERATION TIME IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリにおいて書込み動作時間を短縮する方法および装置 - 特許庁
To provide a wiring and structure suitable for a synchronous dynamic random access memory (SDRM) circuit.例文帳に追加
同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)回路に好適な配線及び構造を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic random access memory in which reading margin can be made large.例文帳に追加
読み出しマージンを大きくできる磁気ランダムアクセスメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁
SINGLE-TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT, ITS DRIVING METHOD AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加
単一トランジスタ型磁気ランダムアクセスメモリ素子及びその駆動方法並びにその製造方法 - 特許庁
QUANTUM DOT-BASED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY THEREOF AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
量子ドットをベースにした磁気ランダムアクセスメモリセルとそのアレイ、および、これらの製造方法 - 特許庁
FORCED PAGE PAGING SYSTEM FOR MICROCONTROLLERS WITH VARIOUS SIZE TO USE DATA RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
データランダムアクセスメモリを用いる様々なサイズのマイクロコントローラのための強制ページページング方式 - 特許庁
a method of computer search by which memory data can be read immediately from any position, called random access 例文帳に追加
ランダムアクセスという,どの部分からでも即座に記憶データが読み出せる探索方法 - EDR日英対訳辞書
METHOD FOR REDUCING ELECTRIC POWER OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY, AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリアレイの電力を低減するための方法および集積回路装置 - 特許庁
To improve random-read and random-write performance without increasing the storage capacity of a randomly-accessible memory which stores management information.例文帳に追加
管理情報を記憶するランダムアクセス可能なメモリの記憶容量を増大させることなく、ランダムリード及びランダムライト性能を向上させる。 - 特許庁
To provide a virtual static random access memory device having a function for refreshing data of a memory cell by using a dynamic memory cell and its driving method.例文帳に追加
ダイナミック型メモリセルを使用し、メモリセルのデータをリフレッシュさせる機能を有する仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
A soft random number generation part 116a generates a software random number value D2 using low-order 4 bits of the register value which is acquired by the acquisition means 115, and stores it in a random access memory 65.例文帳に追加
ソフト乱数生成部116aは、取得手段115が取得したレジスタ値の下位4ビットを用いてソフトウェア乱数値D2を生成してRAM65に格納する。 - 特許庁
For the random access data, the number of accesses to the HDD at the time of using the random access data use is reduced by normally storing the data in the buffer memory area for the random access data.例文帳に追加
そして、ランダムアクセスデータについては、常にランダムアクセスデータ用のバッファメモリ領域内に記憶させておくことで、ランダムアクセスデータ使用時のHDDへのアクセス回数を減らす。 - 特許庁
An embedded control device read-outs fixed-value data stored in a read-only memory to expand the fixed-value data into a random access memory, refers to the fixed-value data on the random access memory to execute control action.例文帳に追加
本発明に係る組込制御装置は、読取専用メモリに格納されている固定値データを読み出して読書両用メモリに展開し、読書両用メモリ上の固定値データを参照して制御動作を実行する。 - 特許庁
The main microcomputer 5, when started by a boot program, develops the program for the main microcomputer 5 stored in the flash memory 10 into SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 6 and starts it, and transfers the program for the sub microcomputer 8 to the sub microcomputer 8.例文帳に追加
メインマイコン5は、ブートプログラムにより起動したとき、フラッシュメモリ10に記憶されているメインマイコン5用のプログラムをSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)6に展開し、起動するとともに、サブマイコン8用のプログラムをサブマイコン8に転送する。 - 特許庁
The minimum number of memory banks for storage of the multiple copies of the given data item is selected as a function of a random cycle time and a random bank access delay of the memory banks, e.g. as an integer greater than or equal to a ratio of the random cycle time to the random bank access delay.例文帳に追加
与えられたデータ項目の複数のコピーを格納するためのメモリバンクの最小数は、それらメモリバンクのランダムサイクル時間とランダムバンクアクセス遅延の関数として、例えばランダムサイクル時間のランダムバンクアクセス遅延に対する比より大きいかこれに等しい整数として選択される。 - 特許庁
To provide a random access memory operated in synchronism with system clock signals for eliminating the standby time of a microprocessor, since the microprocessor is operated faster than the random access memory.例文帳に追加
マイクロプロセッサがランダムアクセスメモリよりも速く動作するようになったので、マイクロプロセッサの待ち時間をなくするために、システムクロック信号と同期して動作するランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
To use a memory cell having a small number of elements as an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing a case where the data are written or read to or from a memory cell and the memory cell is refreshed at the same time.例文帳に追加
メモリセルのデータの書き込み又は読み出しとメモリセルのリフレッシュとが同時に行われることを防止することにより、素子数の少ないメモリセルをSRAMとして用いる。 - 特許庁
This device comprises a cross point type ferroelectric memory 30 and a write-back type cache memory 40 being able to perform random access, access for the cross point type ferroelectric memory 30 is performed through a second memory.例文帳に追加
クロスポイント型強誘電体メモリ30と、ランダムアクセスが可能なライトバック型のキャッシュメモリ40を含み、クロスポイント型強誘電体メモリ30へのアクセスは第2のメモリを介して行う。 - 特許庁
By directing an MPX, data which are cumulative values added with random numbers generated from the random number generators of the random number generating system and appended with random number information are stored in a buffer memory 5 and the data are recorded on an optical disk 9.例文帳に追加
MPXに指示して、その乱数発生系統の乱数発生器から発生された乱数が加算された累積値と乱数情報が付加されたデータをバッファメモリ5に蓄積し、そのデータを光ディスク9に記録する。 - 特許庁
To take out values of random numbers from memory storage buffers without increasing loads on the main control despite increase in the numeral storage of the random number values.例文帳に追加
乱数値の格納数が増加した場合においても、主制御の負荷を増大させることなく、記憶格納バッファから乱数値を取り出す。 - 特許庁
To enable efficient management of digital TV broadcasting data in building streamers utilizing a random accessible DVD(digital video disc)- RAM(random access memory).例文帳に追加
ランダムアクセス可能なDVD−RAMを利用したストリーマを構築する上で、デジタルTV放送データの効率の良い管理を可能とする。 - 特許庁
The random number written in the memory 12 is read, and compared with the original number generated from the random generation circuit 11 by a comparator 13.例文帳に追加
メモリ12に書き込まれた乱数は読み出されて、乱数発生回路11から発生された元の乱数とコンパレータ13により比較される。 - 特許庁
When the information on the prescribed number of bits is stored in the memory 6, the information is outputted from the memory 6 as a random number.例文帳に追加
乱数メモリ6に所定のビット数の情報が蓄積されたとき、乱数メモリ6から乱数として外部へ出力する。 - 特許庁
The magnetic random access memory 1 is provided with memory cells 10 having magnetic resistance elements 11, a control circuit 20, and a detecting circuit 40.例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ1は、磁気抵抗素子11を有するメモリセル10と、制御回路20と、検出回路40とを備える。 - 特許庁
To provide a method of carrying out retrieval by a write-in to a ternary content addressable memory (TCAM) based on a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)に基づいた三値連想メモリ(TCAM)に書き込んで検索する方法を提供する。 - 特許庁
In this microcomputer, a CPU, an I/O port, the flash memory and a random access memory are constituted in a single semiconductor chip.例文帳に追加
本発明のマイクロコンピュータは、CPUとI/Oポートとフラッシュメモリとランダムアクセスメモリとを単一の半導体チップに構成される。 - 特許庁
In a method of manufacturing a magnetic random access memory (MRAM), any memory cells within the MRAM array are insulated until selection is performed.例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)を作成するための方法は、選択されるまでは、動作中にMRAMアレイ内のどのメモリセルも絶縁する。 - 特許庁
A method for performing a read operation from a magnetic random access memory (MRAM) cell (70a/70b/70c/70d) in a memory cell string (12) is provided.例文帳に追加
メモリセルストリング(12)内の磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル(70a/70b/70c/70d)からの読出し処理を実施する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory provided with an interface having interchangeability with an interface of a normal static random access memory.例文帳に追加
通常のスタティック・ランダム・アクセス・メモリのインターフェイスと互換性を有するインターフェイスを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To speed up a random access cycle by shortening a finish time of write operation into a memory cell in a semiconductor memory.例文帳に追加
半導体記憶装置において、メモリセルに対する書き込み動作の完了時間を短縮し、ランダムアクセスサイクルの高速化を図る。 - 特許庁
To suppress the unintended change of storage information in the semi-selected state of a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM).例文帳に追加
磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)において、メモリ・セルの半選択状態での意図しない記憶情報の変更を抑制する。 - 特許庁
A system includes: a nonvolatile memory (14); a random number generator (12); and a controller (11) capable of accessing the nonvolatile memory, and determines an area for refreshment with the controller based on random numbers generated by the random number generator whenever the nonvolatile memory is accessed.例文帳に追加
不揮発性メモリ(14)と、乱数発生器(12)と、上記不揮発性メモリにアクセス可能なコントローラ(11)とを含むシステムで、上記不揮発性メモリへのアクセスが行われる毎に、上記乱数発生器で発生された乱数に基づいて、リフレッシュ対象領域を上記コントローラで決定する。 - 特許庁
A memory C is a memory corresponding to a column 902 in which 1 exists at random in code parts, and a memory D is a memory corresponding to a parity part 1003 in which 1 exists step-wise, each of them being configured by a normal memory.例文帳に追加
メモリCは符号部分の内のランダムに1が存在している列902に対応したメモリ、メモリDは階段状に1が存在しているパリティ部分1003に対応したメモリであり、いずれも通常なメモリで構成する。 - 特許庁
The method (500) of erasing a logical data block of a MRAM (magnetic random access memory) is disclosed.例文帳に追加
本発明の一実施形態によるMRAMの論理データブロックを消去する方法(500)が開示される。 - 特許庁
To provide an on-screen display device capable of effectively using a video RAM (random access memory) area.例文帳に追加
ビデオRAM領域を有効に活用することができるオンスクリーン表示装置を提供する。 - 特許庁
A dual port random access memory comprises four NMOS transistors NM11-14 and four PMOS transistors PM11-14.例文帳に追加
デュアルポートランダムアクセスメモリは、4個のNMOSトランジスタと4個のPMOSトランジスタとを含む。 - 特許庁
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