「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

SYSTEM AND METHOD AND DECODING SYSTEM FOR FOUR-CONDUCTOR RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

４導体磁気ランダムアクセスメモリセルのためのシステム及び方法並びにデコード方式 - 特許庁

To propose a magnetic random access memory (MRAM) having a cell array structure suitable for high integration of a cell.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

To obtain a partially non-volatile dynamic random access memory(PNDRAM).例文帳に追加

部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING PROCESSING OF MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

RANDOM NUMBER SEED GENERATING CIRCUIT, DRIVER PROVIDED WITH THE SAME AND SD MEMORY CARD SYSTEM例文帳に追加

乱数シード生成回路及びこれを備えたドライバ、並びに、ＳＤメモリカードシステム - 特許庁

To provide an asymmetrical static random access memory element having reduced bit line leakage.例文帳に追加

ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) using magnetic domain drag phenomenon.例文帳に追加

マグネチックドメインドラッグ現象を用いた磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

TRIPLE SAMPLE-SENSING FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) EQUIPPED WITH SERIES DIODE例文帳に追加

直列ダイオードを備える磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のためのトリプルサンプルセンシング - 特許庁

To identify a physical object having random characteristics by using a memory tag.例文帳に追加

メモリタグを用いてランダムな特徴を有する物理オブジェクトの認証を行う。 - 特許庁

Also, an array of the magnetic random access memory cells and a method for manufacturing it are provided.例文帳に追加

また、磁気ランダムアクセスメモリセルのアレイと、それを製造する方法も提供する。 - 特許庁

SELF-TERMINATION SCEME IN DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

二重データレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリデバイスにおける自動終端方式 - 特許庁

Downloading it straight off the power lines into the random access memory in this briefcase.例文帳に追加

送電線からすぐにそれをダウンロードして このブリーフケースの ランダムアクセスメモリーに - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

A memory error is detected in relation to at least one dynamic random access memory (DRAM) unit 452 on a particular memory module 450.例文帳に追加

メモリエラーは、特定のメモリモジュール４５０上の少なくとも１つのダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）４５２ユニットに関連して検出される。 - 特許庁

A random access memory device includes an array of individual memory cells arranged into rows and columns, and each memory cell has a corresponding access device.例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリ・デバイスは、行及び列に配置された個々のメモリセルのアレイを含み、各々のメモリセルは、対応するアクセス・デバイスを有する。 - 特許庁

To extract an address indicating an abnormal memory cell so that analyzing can be easily performed when a memory test of a random access memory(RAM) is performed.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のメモリテストを行ったときに、解析が容易になるように、異常のメモリセルを示すアドレスを抽出する。 - 特許庁

To provide a memory controller, a memory system and a memory control method suitable for storing data whose rewrite frequency is high and data whose rewrite frequency is low in a flash memory and a nonvolatile memory whose random access is possible.例文帳に追加

書き換え頻度が高いデータと低いデータをフラッシュメモリとランダムアクセスが可能な不揮発性メモリとに保存するときに好適なメモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁

To provide technology for shortening a time required for deciding a memory refresh frequency for a dynamic random access memory.例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリに対するメモリリフレッシュ周波数を決定する時間を減少させた技術を提供する。 - 特許庁

The memory array further includes second random access memory elements arranged in at least one additional column.例文帳に追加

本メモリアレイは、更に、少なくとも１個の付加的な列に配列された第二ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes word lines WL, memory cells C00, 01, 10, 11, and a row selecting circuit 2.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリが、ワード線ＷＬと、メモリセルＣ００、０１、１０、１１と、ロウ選択回路２とを備えている。 - 特許庁

To optimize the latency of a memory by executing inverse Fourier transformation in a pipeline structure using a random access memory(RAM).例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリを使用するパイプライン構造で逆フーリエ変換を実行し、メモリのレイテンシを最適化する。 - 特許庁

The write circuit (24) for a large array (10) of memory cells (12) of Magnetic Random Access Memory (MRAM) device (8).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置（８）のメモリセル（１２）の大規模なアレイ（１０）のための書き込み回路（２４）。 - 特許庁

Random number indicating some regularity are eliminated from the random numbers generated from them and random numbers suitable for an encryption key are selected, and a key generator 33 generates the encryption key and stores it in a memory 24.例文帳に追加

その乱数の中から、規則的なものなどを除き、暗号鍵に適した乱数を選択して、鍵生成器33で暗号鍵を生成し、メモリ24に格納する。 - 特許庁

Then, the measurement data taken from the outside are written in a data area 32 of the random access memory 3, and after the whole measurement data are written in the random access memory 3, the copy operation program 31 in the random access memory 3 is executed, to thereby write the whole measurement data in a data area 24 in the flash memory 2.例文帳に追加

その後、外部から取込まれた計測データをランダムアクセスメモリ３のデータエリア３２に書込み、ランダムアクセスメモリ３に全ての計測データが書込まれた後、ランダムアクセスメモリ３のコピー操作プログラム３１を実行して全ての計測データをフラッシュメモリ２のデータエリア２４に書込む。 - 特許庁

To reduce a layout area of a circuit relating to writing in a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリの書込に関連する回路のレイアウト面積を低減する。 - 特許庁

A dot area modulation method is used, and each sub-pixel is provided with static random access memory.例文帳に追加

面積階調方式を用い、副画素ごとに、スタティックランダムアクセスメモリを備える。 - 特許庁

To provide a method of a random access memory device and/or to provide a synchronous random access memory device having burst transfer capability in architecture, in detail.例文帳に追加

本発明は、一般的にはランダムアクセスメモリ装置の方法、及び／又は、アーキテクチャに関し、より詳細には、バースト転送能力を持つ同期式ランダムアクセスメモリ装置に関する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR LOADING DIRECTLY DATA ON BIT LINES IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリにおけるビット線上へ直接ロードする方法及び装置 - 特許庁

The subtraction result S40 is data written in a random access memory 17, the data are added to an address signal S3 and the sum is again written in the random access memory 17.例文帳に追加

この減算結果Ｓ４０は、ランダムアクセスメモリ１７に書き込まれているデータで、信号Ｓ３をアドレスとするものと加算され、再度ランダムアクセスメモリ１７に書き込まれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which random access speed can be increased.例文帳に追加

ランダムアクセスの高速化を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

WIRING FOR ELECTRICAL/MAGNETIC CIRCUIT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF THEIR FORMATION例文帳に追加

電気、磁気回路用配線、マグネティック・ランダム・アクセス・メモリ及びそれらの形成方法 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory whose high integration is possible and manufacture is easy.例文帳に追加

高集積化が可能でかつ製造が容易な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

The PDPRAM (partial dual port random access memory) 20 is composed of a clock synchronization SRAM (static random access memory) interface (IF) 21, a DRAM cell array 22, a dual port DRAM cell array 23, and a DRAM cell array 24.例文帳に追加

ＰＤＰＲＡＭ２０は、クロック同期ＳＲＡＭインタフェース（ＩＦ）２１と、ＤＲＡＭセルアレイ２２と、デュアル・ポートＤＲＡＭセルアレイ２３と、ＤＲＡＭセルアレイ２４とから構成されている。 - 特許庁

CAPACITIVELY COUPLED FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

容量的に結合された強誘電体ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

A CPU 1 sets a random number generated by a random number generator 3 in an area of a memory 2 before setting an input value to be provided to a coprocessor 4 in an area of the memory 2.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、コプロセッサ４に与える入力値をメモリ２の領域に設定する前に、メモリ２の領域に乱数発生器３が発生した乱数を設定する。 - 特許庁

To provide a phase change random access memory with a transistor for enhancing operation in a memory cell by micro-fabricating the memory cell in dimension, and method for fabricating the memory device.例文帳に追加

メモリセルの寸法を微細化し、メモリセルでの動作を改善するための、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high integration memory cell which has a function of reversing spin-torque magnetization and has super-low power consumption in a nonvolatile magnetic memory, and also to provide a random access memory using the memory cell.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリにおいて、スピントルク磁化反転機能を持つ超低消費電力な高集積メモリセルおよびそれを用いたランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルク注入ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子にデータを書込むための方法および装置を提供する。 - 特許庁

DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC TYPE RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリ、半導体記憶回路装置及び半導体集積回路装置 - 特許庁

When the random access memory has an empty area available for storing write data, the device for control storage device stores the write data in the random access memory; copies data in the random access memory into the first storage device in the order of time from the last access; and releases an area in which the data copied in the random access memory has been stored.例文帳に追加

記憶装置管理装置は、ランダムアクセスメモリが書き込みデータを格納できる空き領域を有している場合、書き込みデータをランダムアクセスメモリにおいて格納し、ランダムアクセスメモリ内のデータを最後にアクセスされてからの時間順に第１記憶装置内にコピーし、ランダムアクセスメモリ内のコピーされたデータを格納していた領域を開放する。 - 特許庁

A phase change memory may be replaced with a low-cost NAND flash because the phase change memory may have sufficiently low cost, and the phase change memory may be replaced with a static random access memory and/or a random access memory in buffer memory packaged in combination with a NAND flash memory because the phase change memory has sufficiently high performance.例文帳に追加

相変化メモリは十分に低コストであることが可能であるため、低コストのＮＡＮＤフラッシュと置き換えることが可能であり、相変化メモリは十分高い性能を有するため、ＮＡＮＤフラッシュメモリを伴ってパッケージングされるバッファメモリにおいてスタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリと置き換えることが又できる。 - 特許庁

To provide a memory cell which has excellent data retention stability, and operates at a low current, and to provide a magnetic random access memory using the same.例文帳に追加

データ保持安定に優れ、かつ低電流で動作するメモリセル及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that corrects a random error generated when reading out a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの読み出し時に発生するランダムエラーを補正することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Transfer means transfers the program stored in the read-only memory to random access memory by the program module.例文帳に追加

転送手段は、前記リードオンリーメモリに格納された前記プログラムを、前記プログラムモジュール単位でランダムアクセスメモリに転送する。 - 特許庁

An apparatus and an associated method for a non-volatile memory cell such as a multi-bit magnetic random access memory cell are provided.例文帳に追加

マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルなどの不揮発性メモリセルについての装置および関連の方法が提供される。 - 特許庁

The system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加

本発明に従うフラッシュメモリ（セルアレイ）と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁