「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The mobile device includes a volatile memory and a non-volatile random access memory as the memory of a control unit, and the volatile memory and the non-volatile random access memory are connected to a common bus.例文帳に追加

制御部のメモリとして、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとは共通バスに接続されたことを特徴とする携帯機器。 - 特許庁

A method for manufacturing the magnetic random access memory cell is also provided.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセルを製造する方法も提供する。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING INITIAL STATE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリの初期状態を決定する方法 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment includes a silicon substrate.例文帳に追加

実施形態の磁気ランダムアクセスメモリは、シリコン基板を持つ。 - 特許庁

LAYOUT WITH RELAXED STORAGE NODE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの蓄積ノ—ドの緩和されたレイアウト - 特許庁

To reduce the current consumption of a dynamic random access memory (DRAM).例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）の消費電流を低減する。 - 特許庁

To reduce current consumption of a dynamic random access memory DRAM.例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）の消費電流を低減する。 - 特許庁

BIT LINE DETECTING CIRCUIT AND METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ用ビット線検知回路及び方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁

VIRTUAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルとその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS WRITE CONTROL METHOD例文帳に追加

磁気抵抗ランダムアクセスメモリおよびその書き込み制御方法 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY SYSTEM WITH BANK CONFLICT AVOIDANCE FEATURE例文帳に追加

バンク衝突回避機能を備える動的ランダムアクセスメモリシステム - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL OF TWO TRANSISTOR AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

２個トランジスタのスタティックランダムアクセスメモリーセルとその駆動方法 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁

SPIN-INJECTED MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スピン注入磁化反転素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR COLUMN INTERLEAVED ARRAY例文帳に追加

列インタリ—ブド・アレイのためのマルチポ—ト・スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MAGNETIC INFORMATION WRITE METHOD例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリ及びその磁気情報書き込み方法 - 特許庁

THERMALLY ASSISTED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT WITH IMPROVED ENDURANCE例文帳に追加

耐久性が改良された熱アシスト磁気ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁

These delay elements include analog random access memory elements, respectively.例文帳に追加

この遅延素子は、アナログのランダムアクセスメモリ素子を含んでいる。 - 特許庁

DATA BUS ARCHITECTURE FOR ACCELERATED COLUMN ACCESS IN RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ランダムアクセスメモリにおける列アクセスの加速化用データバス構造 - 特許庁

ACCESS METHOD OF NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS ARCHITECTURE例文帳に追加

不揮発性ランダムアクセスメモリのアクセス方法、およびそのアーキテクチャ - 特許庁

MULTIBIT MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL WITH IMPROVED READ MARGIN例文帳に追加

読み出しマージンが改良されたマルチビット磁気ランダムアクセスメモリセル - 特許庁

At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.例文帳に追加

第１ラッチ回路１０および第２ラッチ回路２０の少なくとも一方がＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）型で構成される。 - 特許庁

The memory cell M00 consists of an SRAM (static random access memory) 4 and FeRAMs (ferroelectric RAMs) 5-0 to 5-n.例文帳に追加

メモリセルＭ００は、ＳＲＡＭ４と、ＦｅＲＡＭ５−０〜５−ｎとからなる。 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL USING SPIN TORQUE AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING SAME例文帳に追加

スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To suppress variation in data writing characteristics of a memory cell in a static random access memory.例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリの、メモリセルのデータの書き込み特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁

A random number generated in a prescribed cycle from a random number generating circuit 11 is written in a memory 12.例文帳に追加

乱数発生回路１１から所定サイクルで発生される乱数をメモリ１２に書き込む。 - 特許庁

To provide a memory controller and a memory module for improving random access performance by using a conventional memory element in a memory controller and a memory module for performing access to a memory element capable of performing random access.例文帳に追加

ランダムアクセスが可能なメモリ素子にアクセスするメモリ制御装置及びメモリモジュールに関し、ランダムアクセス性能を従来のメモリ素子を用いて向上できるメモリ制御装置及びメモリモジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR VOLTAGE CLAMPING FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ装置用の電圧クランプ方法及び装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

HIGH-BANDWIDTH MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATION THEREOF例文帳に追加

高帯域幅磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスとその操作方法 - 特許庁

ASYMMETRICAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT HAVING REDUCED BIT LINE LEAKAGE例文帳に追加

ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子 - 特許庁

PATTERNING METHOD OF MAGNETIC SUBSTANCE, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).例文帳に追加

不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁

A magnetic random access memory has a semiconductor substrate.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、半導体基板を持つ。 - 特許庁

The data storage device 8 can be a magnetic random access memory(MRAM).例文帳に追加

データ記憶装置(8)は、磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)とすることができる。 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ITS DATA SENSING CIRCUIT, AND ITS METHOD例文帳に追加

マグネチックランダムアクセスメモリ及びそのデータセンシング回路及びその方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁

RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR READING, WRITING, AND REFRESHING例文帳に追加

ランダムアクセスメモリ及びその読み出し、書き込み、及びリフレッシュ方法 - 特許庁

BIT LINE RECOVERING METHOD AND DEVICE IN A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリにおけるビット線回復方法及び装置 - 特許庁

MAGNETIC RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY, ITS WRITING METHOD AND TEST METHOD例文帳に追加

磁気抵抗ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法、およびテスト方法 - 特許庁

ELECTRONIC APPARATUS AND DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

電子装置及びダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

a random access memory in which memories of each bit vanish after a specific interval 例文帳に追加

メモリの各ビットの記憶がある時間経過すると消えるRAM - EDR日英対訳辞書