random memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1148件
ACCESS METHOD FOR SYNCHRONOUS RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
同期ランダムアクセスメモリのアクセス方法 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION RANDOM ACCESS MEMORY, SPIN VALVE RANDOM-ACCESS MEMORY, SINGLE FERROMAGNETIC FILM RANDOM-ACCESS MEMORY AND MEMORY CELL ARRAY USING THEM例文帳に追加
強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ - 特許庁
MANUFACTURE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND SRAM TEST METHOD例文帳に追加
SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMのテスト方法 - 特許庁
FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
不揮発性強誘電体メモリ装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING STATIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
スタティックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND TEST METHOD OF SRAM例文帳に追加
SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMのテスト方法 - 特許庁
VOLATILE MEMORY AND EMBEDDED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY例文帳に追加
揮発性メモリおよびエンベッデッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MAGNETIC MEMORY CELL, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、及び磁気メモリセルの製造方法 - 特許庁
A RAM (Random Access Memory) 30 holds data that is to be written to the memory cell array 10 or data that is read out.例文帳に追加
RAM(Random Access Memory)30は、メモリセルアレイ10に書き込まれるデータ、又は読み出されたデータを保持する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加
磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND ACCESS METHOD TO SRAM例文帳に追加
SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMへのアクセス方法 - 特許庁
RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ランダムアクセスメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
REFRESHING SYSTEM FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのリフレッシュ方式 - 特許庁
DOMAIN WALL DISPLACEMENT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁壁移動素子、及び、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
The logical data block (202) in a magnetic random access memory (200) is disclosed.例文帳に追加
MRAM(200)の論理データブロック(202)が開示される。 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダム・アクセス・メモリとその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリの製造方法およびその方法により製造される磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
LOW POWER CONSUMPTION TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその作動方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND ITS TEST METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びそのテスト方法 - 特許庁
The random access memory array includes random access memory elements arranged in a rows and columns.例文帳に追加
ランダムアクセスメモリアレイは行及び列に配列したランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ,及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH ELLIPTICAL JUNCTION例文帳に追加
楕円接合部を有する磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
SUPERCONDUCTIVE LOGICAL GATE AND RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
超電導論理ゲ—ト及びランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MAGNETIC SHIELD FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CARD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリカードのための磁気シールド - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
METHOD OF FORMING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND CAPACITOR FORMED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法及びダイナミックランダムアクセスメモリ内に形成されたキャパシタ - 特許庁
OUTPUT CIRCUIT FOR DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリ用出力回路、及びダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁
DESTRUCTIVE READ ARCHITECTURE FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの破壊読出アーキテクチャ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法 - 特許庁
RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY WITH PARITY BIT STRUCTURE例文帳に追加
パリティビット構造を具備するランダムアクセスメモリアレイ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND READOUT METHOD FOR THE SAME例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリとその読み出し方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
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