「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

When the IrDA part 23 of the terminal equipment 2 receives the ID from the physical key 3, the CPU 21 compares the received ID with the random number, and in the case that they match, stores the received ID in the ID memory 22 as the ID for the collation.例文帳に追加

端末装置２のＩｒＤＡ部２３が物理キー３からＩＤを受信すると、ＣＰＵ２１は受信したＩＤを、上記乱数と比較し、一致する場合に、受信したＩＤを照合用のＩＤとしてＩＤメモリ２２に格納する。 - 特許庁

In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加

本発明のＭＲＡＭ構造では、ワード線またはゲート線（ＷＬ）がプログラミング線（ＰＲＬ）と低オーム結合されており、選択トランジスタ（Ｔ）のソース（Ｓ）を、ゲート（Ｇ）またはプログラミング線（ＰＲＬ）と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁

The second converter 34 drives and controls a controller 36, in accordance with data of one control method selected at random from data of plural control methods which are read out from a program memory 35, in accordance with received condition explanation data.例文帳に追加

第二変換器３４は受信した状況説明データに従ってプログラムメモリ３５から読み出した複数の制御方法のデータのうち、ランダムに選択されたいずれか一の制御方法のデータに従って制御機器３６を駆動制御する。 - 特許庁

When lottery conditions are satisfied, a main control circuit 31 obtains a count value of a jackpot-determining random number counter updating the initial value of a memory, in a predetermined area of a RAM 33, and determines whether the count value is equal to a set value or not.例文帳に追加

主制御回路３１は、抽選条件の成立に起因して、ＲＡＭ３３の所定の領域の、記憶装置初期値更新型の大当たり判定用乱数カウンのカウント値を取得して設定値と一致しているか否かを判別する。 - 特許庁

The large capacity multi-port cache memory having random access band width, to which parallel access from plural ports are enabled and suitable for use for the most advanced microprocessor with low probability of the erroneous cache is easily provided since the multi-port cache memory is formed by using one port cell block suitable for capacity increase as the component.例文帳に追加

本発明のマルチポートキャッシュメモリは、大容量化に適した１ポートセルブロックを構成要素として形成されるため、高いランダムアクセスバンド幅を有し、複数のポートからの並列アクセスが可能で、かつ、キャッシュミスの確率が小さい最先端のマイクロプロセッサへの使用に適した大容量のマルチポートキャッシュメモリを容易に提供することが可能になる。 - 特許庁

Therefore, efficient access to an external memory 50 can be performed by directly issuing the external bus access request to the external memory interface 3 in a case such as random data access to discrete addresses, and issuing the DMA transfer request to the DMAC 4 in a case such as block transfer of data or page swapping requested by a virtual storage management mechanism.例文帳に追加

従って、離散したアドレスにランダムにデータアクセスを行う場合などは直接外部メモリインタフェース３に外部バスアクセス要求を発行し、データのブロック転送や仮想記憶管理機構が要求するページスワップなどを行う場合にはＤＭＡＣ４にＤＭＡ転送要求を発行することで、外部メモリ５０への効率的なアクセスが可能となる。 - 特許庁

Therefore, when performing data access to dispersed addresses at random, the external bus access request is directly issued to the external memory interface 3, and when performing a block transfer of data or a page swap requested by a virtual storage management mechanism, an efficient access to the external memory 50 is possible by issuing the DMA transfer request to the DMA 4.例文帳に追加

従って、離散したアドレスにランダムにデータアクセスを行う場合などは直接外部メモリインタフェース３に外部バスアクセス要求を発行し、データのブロック転送や仮想記憶管理機構が要求するページスワップなどを行う場合にはＤＭＡＣ４にＤＭＡ転送要求を発行することで、外部メモリ５０への効率的なアクセスが可能となる。 - 特許庁

To provide the device structure of a superconducting random access memory of ultra high speed and a large scale, of which the high temperature process can be employed for most of manufacturing processes, a memory cell can be miniaturized, an inductance can be efficiently formed on a DC bias current supply line, and a magnetic field is not affected by the bias current.例文帳に追加

大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。 - 特許庁

A variable display pattern of identification information is decided on the basis of a result decided by a predetermination means, a reserve memory count stored by a reserve memory means when start conditions for variable display are satisfied, a value of a random number for variable display decision extracted by an extraction means, and a determination value corresponding to a plurality of kinds of variable display patterns.例文帳に追加

事前決定手段の決定結果と、可変表示の開始条件が成立したときの保留記憶手段が記憶する保留記憶数と、抽出手段により抽出された可変表示決定用乱数の値と、複数種類の可変表示パターンに対応した判定値とにもとづいて、識別情報の可変表示パターンを決定する。 - 特許庁

This memory cell is composed of two MIS elements forming specific circuit in the memory cell circuit and a capacitor in which the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the former, further the either the source or drain of the first MIS element (QW11) is made function as the gate to the second MIS element (QR11) carrying a capacitor (CS11) thereby achieving a semiconductor random access memory device which is simplified. 例文帳に追加

特定のメモリセル回路を構成する２個のMIS素子と１個の情報蓄積用キャパシタとよりなるメモリセルを、第１のMIS素子（Qｗ11）と、この上に積み重ね形成され、かつ、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとした第２のMIS素子（QＲ11）と、第２のMIS素子（QＲ11）のゲート部分に寄生する容量（Cｓ11）とで構成しているので、複雑な素子構造をなくした半導体ランダムアクセスメモリ装置を達成できる。 - 特許庁

To provide a technology for writing data into a magnetic recording layer using the movement of a magnetic wall and easily initializing a magnetization fixed region of the magnetic recording layer and the position of the magnetic wall for a magnetic random access memory having the magnetic recording layer having vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁壁移動によって磁気記録層へのデータ書き込みを行い、且つ磁気記録層の磁気異方性が垂直方向である磁気ランダムアクセスメモリに対して、磁気記録層の磁化固定領域及び磁壁位置の初期化を容易に行うための技術を提供する。 - 特許庁

When accordance decision is performed by the collation part 20, the CPU 10 specifies a replacement instruction storage address corresponding to the replaced instruction storage address in reference to a correspondence address table 63 stored in a RAM (Random Access Memory) 60 in place of an instruction of the execution address.例文帳に追加

そして、照合部２０により合致判定されると、ＣＰＵ１０は、当該実行アドレスの命令に代えて、ＲＡＭ６０に格納された対応アドレステーブル６３を参照し、当該被置換命令格納アドレスに対応する置換命令格納アドレスを特定する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory enabling remarkable reduction of a writing current value and writing of high reproducibility at a short pulse by contriving the crystal state of a magnetic layer of writing wiring with a yoke covering at least a part with a magnetic body.例文帳に追加

少なくとも一部が磁性体で被覆されたヨーク付きの書き込み配線の磁性層の結晶状態を工夫することにより、書き込み電流値の大幅な低減と、短パルスで再現性の高い書き込みを可能とした磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a SRAM (Static Random Access Memory) cell capable of performing reading and writing operations simultaneously without collision while reducing a size of cell, by providing a dual port SRAM cell constituted of six transistors.例文帳に追加

６個のトランジスタから構成されたデュアルポートＳＲＡＭセルを提供することによって、セルのサイズを縮小しながらも読み出しと書き込みが衝突なし同時に可能にしたＳＲＡＭ(Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ)セルを提供すること。 - 特許庁

In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加

不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層と、注入要素の上に重なるＳＯＩ層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁

When a purchaser N_k performs an operation for purchasing at least one software, from terminals devices 31 and 32 to a server 10, the server 10 sells at least one software selected at random from a plurality of softwares stored in a first memory 11, to the purchaser N_k.例文帳に追加

購入者N_kが端末装置３１，３２からサーバ１０へ少なくとも１つのソフトウェアの購入操作を行うと、サーバ１０は第１メモリ１１に記憶された複数のソフトウェアからランダムに選択された少なくとも１つのソフトウェアを購入者N_kに販売する。 - 特許庁

The resistance random access memory element 20 includes: a variable resistance film having a titanium oxide film 2 and a zirconium oxide film 3; a first electrode 1 formed under the titanium oxide film 2; and a second electrode 4 formed on the zirconium oxide film 3.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子２０は、酸化チタン膜２と酸化ジルコニウム膜３とを有する抵抗変化膜と、前記酸化チタン膜２下に形成された第１の電極１と、前記酸化ジルコニウム膜３上に形成された第２の電極４とを備えている。 - 特許庁

The magnetoresistive random access memory architecture 10 includes a plurality of data columns each including a first plurality of non-volatile magnetoresistive elements 13, and a reference column 12 arranged adjacent to the plurality of data columns and including a second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements 12.例文帳に追加

磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ１０は、各々第１の複数の不揮発性磁気抵抗エレメント１３を含む複数のデータ列と、複数のデータ列に隣接して配置され、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントを含む基準列１２とを含む。 - 特許庁

To improve image quality by preventing blurring while controlling a weighting amount of the weighted average in units of pixels according to an imaged image by suppressing random noise, caused by an image sensor, by the frame weighted-average processing with a simple circuit in interframe noise correction using a frame memory.例文帳に追加

フレームメモリを用いたフレーム間ノイズ補正において、簡易な回路でイメージセンサに起因するランダムノイズをフレーム加重平均処理により抑制し、撮像画像に応じて画素単位で加重平均の重み付け量を制御することでボケを防ぎ、画質を向上させる。 - 特許庁

Firstly, when the audio recording and reproducing device HU is instructed from an operation part HU of HU for recording, for example, when starting random reproduction of a CD, the audio recording and reproducing device HU reads TOC information of the CD including melody numbers as shown in the recording medium (a) and stores them in memory 26.例文帳に追加

まず、オーディオ記録再生装置ＨＵが記録媒体、例えばＣＤのランダム再生開始時にＨＵの操作部ＨＵより記録の指示がなされると、（ａ）に示すような曲番を含むＣＤのＴＯＣ情報を読み出し、メモリ２６に記憶する。 - 特許庁

In a step 120, picture data corresponding to a display picture being displayed at present among entire picture data of map pictures stored in the first storage area M1 of a VRAM(video random access memory) 11 are copied and stored in another forth storage area of the VRAM 11.例文帳に追加

ステップ１２０では、ＶＲＡＭ１１の第１記憶領域Ｍ１に記憶されている地図画像全体の画像データのうち、現在表示されている表示画像に該当する画像データを、ＶＲＡＭ１１の他の第４記憶領域Ｍ４にコピーして記憶する。 - 特許庁

This AV information recording device is provided with a writable disk 1 such as a hard disk or a DVD-RAM(digital versatile disk-random access memory), a hard disk driving section driving the disk 1, a first head 2 reading/writing data from/to the disk 1, and a second head 3 reading data from the disk 1.例文帳に追加

本発明のAV情報記録装置は、ハードディスク、DVD-RAMのような書き込み可能なディスク1と、このディスク1を駆動するハードディスク駆動部と、ディスク1にデータの読み取り／書き込みを行う第一ヘッド2と、ディスク1からデータの読み取りを行う第二ヘッド3を有する。 - 特許庁

At least one of a CF card 4 installed to the drive recorder body 5 via a CF card IF 17 and a hard disk 25 of a navigation device 2 is made to record peripheral information, stored in a recorder side RAM (Random Access Memory) 16 in each prescribed condition.例文帳に追加

所定の条件毎に、レコーダ側ＲＡＭ１６に記憶された周囲情報を、ＣＦカードＩＦ１７を介してドライブレコーダ本体５に装着されるＣＦカード４およびナビゲーション装置２のハードディスク２５の少なくともいずれか一方に記録させる。 - 特許庁

The magnetic random access memory is equipped with: multiple MRAM arrays 32 wherein magnetoresistive elements are integrated; and multiple magnetic shields 33, each of which is provided for each MRAM array 32 to prevent interlinkage of a disturbing magnetic field with the MRAM array 32.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗素子が集積化された複数のＭＲＡＭアレイ３２と、ＭＲＡＭアレイ３２のそれぞれに対して設けられ、外乱磁界がＭＲＡＭアレイ３２に鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド３３とを具備している。 - 特許庁

The DVD terminal 20 reads a terminal key and a terminal ID that are stored in a terminal information memory unit 25, encrypts the received random number R using a terminal key (SK_X) (S308) and sends it and the terminal ID (ID_X) to the authentication server 40 (S310).例文帳に追加

ＤＶＤ端末２０は、端末情報記憶部２５に記憶している端末鍵と端末ＩＤを読み出し、端末鍵（ＳＫ＿Ｘ）で受信した乱数Ｒを暗号化し（Ｓ３０８）、これと端末ＩＤ（ＩＤ＿Ｘ）とを認証サーバ４０に送信する（Ｓ３１０）。 - 特許庁

The device includes a plurality of static random access memory cells 300 each of which includes a pair of driver transistors 302a and 302b each including a pFET, a pair of load transistors 304a and 304b each including an nFET, and a pair of transfer gates 306a and 306b each including a pFET.例文帳に追加

ｐＦＥＴからなる一対のドライバトランジスタ３０２ａ、３０２ｂと、ｎＦＥＴからなる一対の負荷トランジスタ３０４ａ、３０４ｂと、ｐＦＥＴからなる一対のトランスファゲート３０６ａ、３０６ｂとからなる複数のスタティックランダムアクセスメモリセル３００を具備する。 - 特許庁

A graphic processor comprises two or more graphic controllers which generate drawing data according to drawing commands and a frame memory where the generated drawing data can be written at random and frame image data can be read out in sequence at the same time, and which is common to the graphic controllers.例文帳に追加

描画コマンドに基づいて描画データを生成する２以上のグラフィックコントローラと、生成された描画データのランダム書き込み及びフレーム画像データの順次読み出しを同時に行うことができる各グラフィックコントローラに共通のフレームメモリとを備えて構成される。 - 特許庁

To provide a small-scale read/reset system reading information stored in a prescribed address and resetting a storage region of the address, when using a random access memory as a status register for storing an alarm of a monitored device and status information.例文帳に追加

監視対象の装置のアラームやステータス情報を格納するステータス・レジスタとしてランダム・アクセス・メモリを使用する場合に、特定のアドレスに格納されている情報を読み出した後に当該アドレスの記憶領域をリセットするリード・リセット方式を小規模で提供する。 - 特許庁

It is determined whether the first random number extracted by the first random number extraction means coincides with the number stored in a prize lottery winning number memory part 352 and when both coincides, a control microcomputer 81 having a function as the first prize display control means displays a prize stored in a lottery winning image ROM 351 at a given position of a liquid crystal display device 5 (performance display means).例文帳に追加

第１の乱数抽出手段により抽出された第１の乱数と景品当籤番号記憶部３５２に記憶された番号とが一致している否かを判定し、一致していた場合には、第１の景品表示制御手段としての機能を有する制御マイコン８１は、液晶表示装置５（演出表示手段）の所定の位置に、当籤画像ＲＯＭ３５１に記憶された景品の表示を行う。 - 特許庁

To provide a game machine controlling a variable display game so that the variable display game has a special display result, when the variable display game is started based on start memory and it is determined that a random number value stored corresponding to the start memory has a specific value, wherein previous notice is provided without making a player feel suspicious.例文帳に追加

始動記憶に基づき変動表示ゲームを始動し当該始動記憶に対応して記憶された乱数値が特定値であると判定された場合に該変動表示ゲームの表示結果を特別表示結果となるように変動表示ゲームを制御する遊技機において、遊技者に対して不信感を抱かせてしまうことのない予告報知を行えるようにする。 - 特許庁

To prevent hopes and interest in a variation display game by execution of advance notice from decreasing in a game machine which plays the variation display game on the basis of start memory, leads a special result mode in the variation display game, and generates a special game state advantageous for a player when jackpot random number value stored in association with the start memory is specific value.例文帳に追加

始動記憶に基づき変動表示ゲームを実行するとともに当該始動記憶に対応して記憶された大当り乱数値が特定値であった場合に、該変動表示ゲームで特別結果態様を導出するとともに遊技者にとって有利な特別遊技状態を発生する遊技機において、予告の実行による変動表示ゲームに対する期待感や興趣の低下を防止する。 - 特許庁

The method of manufacturing a dynamic random access memory, having a memory array region arranged on a semiconductor substrate, a peripheral circuit region, and a silicon nitride film provided in between the memory array and peripheral circuit regions includes at least a process 1 for removing the silicon nitride film provided in the peripheral circuit region and a process 2 for treating a substrate to be treated obtained by the process 1 under a hydrogen gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板に配置されたメモリアレイ領域と、周辺回路領域とを備え、 前記メモリアレイ領域と前記周辺回路領域とに設けられた窒化シリコン膜を有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法であって、（１）前記周辺回路領域に設けられた窒化シリコン膜を除去する工程と、（２）水素ガス雰囲気下に前記工程（１）により得られた被処理基板を処理する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁

A level detector 12 of a DRAM (dynamic random access memory) resets a flip-flop 27, 28, when the external reference voltage VR2 becomes lower than the threshold potential in the voltage test mode, to produce the internal power-supply potential VCCP according to the external reference potential VR2, and releases the voltage test mode.例文帳に追加

ＤＲＡＭのレベル検出器１２は、外部基準電位ＶＲ２に従って内部電源電位ＶＣＣＰを生成するための電圧テストモードにおいて、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下したことに応じてフリップフロップ２７，２８をリセットし、電圧テストモードを解除する。 - 特許庁

When a predetermined specified display (ready-for-winning with a girl character in the example) appears a prescribed number of times (three times in the example) in a variation display, '7' being a value for generating a big hit is written in a random number counter and the value is stored in a pattern rotation memory as variation display data.例文帳に追加

変動表示に予め定められた特定表示（本実施例では女の子リーチ）が所定回数（本実施例では３回）現出する場合には、乱数カウンタに大当たりが発生する値である「７」を書き込み、その値を変動表示のデータとして図柄回転メモリに記憶する。 - 特許庁

For determination if it is a special prize or not, it is already decided by a random number value stored in a memory area at the timing when fluctuation of a special pattern is started, but since a pattern is gradually formed till a stopped pattern becomes a special prize pattern of 8-8-8, feel of expectation is aroused.例文帳に追加

大当りかハズレの判定は、特別図柄の変動が開始された時点の記憶エリアに格納された乱数値によって既に決定されているが、停止図柄が「８−８−８」の大当り図柄になるまでは図柄が徐々に形作られていくので、期待感が煽られる。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

The game machine includes an advance determination means (a game controller 100) for executing the determination concerning the occurrence of the special result based on a random number corresponding to a start memory, and a notification means (a performance controller 300) capable of informing the determined result whether the special result according to the advance determination means is generated.例文帳に追加

始動記憶に対応する乱数に基づいて特別結果の発生に関する判定を行う事前判定手段（遊技制御装置１００）と、事前判定手段による特別結果が発生するか否かの判定結果を報知可能な報知手段（演出制御装置３００）と、を備える。 - 特許庁

The power supply for a dynamic random access memory is equipped with multiple array blocks and multiple pads arranged in the center of the multiple array blocks, arranged near the multiple pads and equipped with multiple voltage source for generating the supply voltage to the multiple array blocks.例文帳に追加

本発明は、複数のアレイブロックと、複数のアレイブロックの中央に配置された複数のパッドとを具えるダイナミックランダムアクセスメモリ用の電源であって、複数のパッドの近傍に配置され、複数のアレイブロックへの供給電圧を生成するための複数の電圧源を具えている。 - 特許庁

This portable computing device uses a first processor used to provide the functionality of a greater part of the portable computing device, and a second processor used to read an audio file from a random access memory and to present the read file to a user.例文帳に追加

本発明の一態様によれば、ポータブルコンピューティングデバイスは、ポータブルコンピューティングデバイスの大部分の機能性を提供するために使用される第１のプロセッサと、ランダムアクセスメモリからオーディオファイルを読み出し、この読み出したものをユーザに提示するために使用される第２のプロセッサと、を利用する。 - 特許庁

Therefore, there is no longer a need for storing all drawing results, and by reducing the memory capacity to store the random number value drawn in response to winning of a game ball in a special pattern start opening 104, a change of the upper limit value of the number of start memories can be coped with.例文帳に追加

したがって、従来のように総ての抽選結果を記憶しておく必要がなくなり、特別図柄始動口１０４への遊技球の入賞に応答して抽選された乱数値を格納するメモリ容量を少なくして始動メモリ数の上限値の変更等に対処しうるようになる。 - 特許庁

This device is a dynamic random access memory cell operated with read lines (r1), word lines (w1), and bit lines (b1), and comprising of a first transistor connected between a bit line and a word line, a second transistor connected between a bit line and a read-line, and a third other transistor connected between two transistors and accumulating electric charges.例文帳に追加

リードライン（ｒｌ）、ワードライン（ｗｌ）、およびビットライン（ｂｌ）で動作し、ビットラインとワードライン間に接続された第一のトランジスタ、ビットラインとリードライン間に接続された第二のトランジスタ、他の二つトランジスタの間に接続されて電荷の蓄積を行う第三のトランジスタからなるダイナミックランダムアクセスメモリセル。 - 特許庁

The game machine comprises a memory part for storing a program for game actions and a CPU reading the program and performing actions, and executes the lottery process to determine whether a profit condition advantageous to a player should be generated or not based on the switch input from a game board and a random value for the lottery.例文帳に追加

遊技動作用のプログラムを記憶する記憶部と、前記プログラムを読み出して動作するＣＰＵとを含み、遊技盤からのスイッチ入力と、抽選用乱数値とに基づいて遊技者に有利な利益状態を発生させるか否かの抽選処理を行う遊技機である。 - 特許庁

This system is provided with a frequency dividing function part 2 for frequency-dividing a clock source 1, a reference address generation part 3 for generating and outputting a random address by address start signals 6 from the frequency dividing function part 2 and a reference data storage memory part 4 for providing the frequency dividing function part 2 with a frequency division numerical value 8.例文帳に追加

クロック源１を分周する分周機能部２と、分周機能部２からのアドレス開始信号６にてランダムアドレスを生成出力する参照アドレス生成部３と、分周機能部２へ分周数値８を提供する参照データ格納メモリ部４を有している。 - 特許庁

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

The game machine comprises a memory part for storing the programs for the operation of the games and a CPU which operates reading the programs and a lottery processing is carried out to determine whether the state advantageous for the players is generated based on the switch inputs from the game board and the random numbers for the lottery.例文帳に追加

遊技動作用のプログラムを記憶する記憶部と、前記プログラムを読み出して動作するＣＰＵとを含み、遊技盤からのスイッチ入力と、抽選用乱数値とに基づいて遊技者に有利な利益状態を発生させるか否かの抽選処理を行う遊技機である。 - 特許庁