「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which has low power consumption and is operated by low voltage of 1 V or less while securing static noise margin.例文帳に追加

スタティックノイズマージンを確保して、低消費電力で、かつ、１Ｖ以下の低電圧で動作するＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

Then, a signal self_refresh becomes HIGH (3), and a self-refresh operation is instructed to an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 9 through an SDRAM controller 33.例文帳に追加

すると、信号ｓｅｌｆ＿ｒｅｆｌｅｓｈがＨＩＧＨとなり（３）、ＳＤＲＡＭコントローラ３３を介してＳＤＲＡＭ９にセルフリフレッシュ動作が指示される。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory capable of suppressing effect of an adjacent bit line and improving its readout performance.例文帳に追加

隣接ビット線からの影響を抑制し読み出し性能を向上させることができる強誘電体メモリを実現する。 - 特許庁

To avoid a random access to an external memory when forming a tomographic image of an arbitrary section set in a three-dimensional space.例文帳に追加

３Ｄ空間に設定される任意断面の断層画像を形成する場合に外部メモリに対するランダムアクセスを回避する。 - 特許庁

The scramble key buffer 61 retains the acquired pseudo random number as a scramble key, and backs up it to an internal memory 62.例文帳に追加

スクランブル鍵バッファ６１は、取得した疑似乱数をスクランブル鍵として保持するとともに、内部メモリ６２にバックアップさせる。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) WITH ON- CHIP AUTOMATIC DETERMINATION OF OPTIMIZED WRITE CURRENT METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

最適化された書込み電流をオンチップで自動的に判定する方法及び装置を備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ） - 特許庁

To provide a static random access memory (SRAM) having a decreased leakage current during an active mode and to provide its operating method.例文帳に追加

アクティブモードの間、減少した漏洩電流を有するスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)及びその動作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for improving write time for a dynamic random access memory(DRAM) having destructive read architecture.例文帳に追加

破壊読取りアーキテクチャを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のための書込み時間を改善する方法を提供すること。 - 特許庁

A MPU(microprocessor unit) 170 of the optical disk apparatus 200 stores original data for a land and original data for a groove in a RAM(random-access memory) 190.例文帳に追加

光ディスク装置２００のＭＰＵ１７０は、ランド用の元データとグルーブ用の元データとをＲＡＭ１９０に格納する。 - 特許庁

To enable a feeder wiring connected to the electrode of a DRAM (dynamic random access memory) data storage capacitor to be improved in connection reliability.例文帳に追加

ＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子の電極に接続される給電用配線の接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory capable of stably operating even after being subjected to a heat treatment and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

熱処理後においても安定して動作可能な磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The probability fluctuation flag is the work area of one byte in a RAM(random access memory) and is set to a set state in a high probability state.例文帳に追加

確率変動フラグは、ＲＡＭにおける１バイトのワークエリアであり、高確率状態ではセット状態になっている。 - 特許庁

This method is a method for prepairing dynamic random access memory(DRAM) cells for write operation having a condition previously set.例文帳に追加

事前設定された状態を有する書込み動作のためにダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セルを準備する方法が開示される。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

EARLY WRITE WITH DATA MASKING TECHNIQUE FOR INTEGRATED CIRCUIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) DEVICES AND THOSE INCORPORATING EMBEDDED DRAM例文帳に追加

集積回路ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスおよび混載ＤＲＡＭを組み込むデバイス用のデータマスキング技術を使用する早期書込み - 特許庁

These inequality detecting circuits, holding circuits, and output registers are provided for each bit constituting bit width of a random access memory.例文帳に追加

これらの不一致検出回路，保持回路および出力レジスタは、ランダムアクセスメモリのビット幅を構成するビット毎に有する。 - 特許庁

To allow checking of a short circuit between a lower ferroelectric layer and an upper ferroelectric layer of a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭの下層強誘電体層と上層強誘電体層がショートしているか否かを検査することができる。 - 特許庁

Then, the thumb nail image data are selected at random and outputted for display from the thumb nail file stored in the buffer memory means.例文帳に追加

そしてバッファメモリ手段に格納されたサムネイルファイルから、ランダムにサムネイル画像データを選択して表示出力させていく。 - 特許庁

When a memory clear switch is pushed, a main board transmits a command for reporting that a random number generation is initialized to a sub board, and the sub board transmits a signal indicating that the random number generation is initialized to a hall computer.例文帳に追加

メモリクリアスイッチが押されたとき、メイン基板はサブ基板へ乱数発生を初期化したことを報知するためのコマンドを送り、サブ基板はホールコンピュータへ乱数発生を初期化した旨の信号を送る。 - 特許庁

When determining the target operand and the operand, random number values (RND) are generated, and a target operand (CAL1) is determined based on a conversion table having the random number and the operand, the table being stored in a memory.例文帳に追加

被演算数および演算数の決定では、乱数値（ＲＮＤ）を発生させ、そして、メモリに記憶された乱数と演算数との変換表に基づいて、被演算数（ＣＡＬ１）を決定する。 - 特許庁

When digital contents are recorded, a recording part 105f writes identification information on the digital contents and a random number generated by a random number generation part 105e into a nonvolatile memory 110 and a built-in HDD 104.例文帳に追加

デジタルコンテンツを記録する際に、記録部１０５ｆはデジタルコンテンツの識別情報と乱数発生部１０５ｅが発生した乱数を、不揮発性メモリ１１０と内蔵ＨＤＤ１０４に書き込んでおく。 - 特許庁

To provide a game machine which can smoothly report a result, in which it has been determined whether to be a jackpot to make a player have an interest, in the game machine which has at least one memory area and is provided with a plurality of jackpot random number memory means that sequentially stores jackpot random numbers in the memory area.例文帳に追加

少なくとも１つの記憶エリアを有し、当該記憶エリアに大当たり乱数を順次記憶する大当たり乱数記憶手段が複数設けられた遊技機において、大当たりか否かの判定結果の報知をスムーズに行い、遊技者の興趣を惹き付けることができる遊技機を提供する。 - 特許庁

The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.例文帳に追加

このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁

The flash memory includes an array of memory cells arrayed in rows and columns, and a randomization and derandamization circuit configured to randomize data stored in the array, and the randomization and derandamization circuit generates an initial seed corresponding to random data according to whether data stored in the array is the random data, generates a random sequence based upon the initial seed, and randomizes the random data based upon the random sequence.例文帳に追加

ここに提供されるフラッシュメモリ装置は行と列に配列されたメモリセルのアレイと、前記アレイに格納されるデータをランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を含み、前記ランダム化及びデランダム化回路は前記アレイに格納されるデータがランダムデータであるか否かにしたがって前記ランダムデータに対応する初期シードを生成し、前記初期シードに基づいてランダムシークェンスを発生し、前記ランダムシークェンスに基づいて前記ランダムデータをランダム化させる。 - 特許庁

The random number used for determination of the first hold memory read-ahead determination processing is the same value as a value of a hard random number stored in the first hold memory area for a special pattern, so that a result of big winning determination and a result of read-ahead determination can be matched.例文帳に追加

第１保留先読み判定処理の判定で用いられる乱数は、第１特別図柄用保留記憶領域に記憶されたハード乱数の値と同じ値であるため、大当り判定の結果と先読み判定の結果を一致させることができる。 - 特許庁

Since this processing is repeated until the absorption control of a starting memory corresponding to a winning random number count value is performed, game characteristic can be improved by considering the random number count value for judging the big winning which is already extracted with respect to the starting memory.例文帳に追加

この処理を当り乱数カウント値に対応する始動メモリの消化制御が行われるまで繰り返すので、始動メモリに対して既に抽出されている大当り判定用乱数カウント値を考慮して遊技性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

The quantum random address memory device 30 is provided with plural address ports of a low dimension A0-A3 and some ports that reverse them, plural magnetic nano-memory elements 40, a mixer element 32 coupling address ports to plural magnetic nano-memory element of a high dimension, a data output section coupled to plural magnetic nano-memory elements.例文帳に追加

量子ランダム・アドレス・メモリ装置(30)は、低次元の複数のアドレス・ポート(A,A0-A7)と、複数の磁性ナノ・メモリ素子(40)、アドレス・ポートを高次元の複数の磁性ナノ・メモリ素子に結合するミキサ素子(32)と、複数の磁性ナノ・メモリ素子に結合されたデータ出力部を備える。 - 特許庁

To supply a large bit line write current without reducing a size of a bit line driver while guaranteeing the pressure resistance of a memory cell transistor in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁場書込型磁気抵抗性メモリ（ＭＲＡＭ）において、メモリセルトランジスタの耐圧を保証しつつ、ビット線ドライバのサイズを低減させることなく大きなビット線書込電流を供給する。 - 特許庁

The random number used for salting is associated with a user account and a password and stored in a read/write protected non-volatile memory or a non-volatile memory which can be accessed only by a BIOS.例文帳に追加

ソルティングに使われる乱数は、ユーザ・アカウントおよびパスワードと対応づけられ、リード／ライト保護された不揮発性メモリ、もしくはＢＩＯＳだけがアクセス可能な不揮発性メモリに格納される。 - 特許庁

To achieve a ferroelectric memory cell which allows polarization data of ternary or more multiple-value to be stored to attain a ferroelectric random access memory with high density and high integration.例文帳に追加

１つの強誘電体素子中に３値以上の多値の分極データを記憶可能な強誘電体メモリセルを実現し、強誘電体メモリの高密度化、高集積化を実現する。 - 特許庁

When the content of a first RAM is '0' cleared (S13), the value of a next initial value memory of a second RAM is written in the random number counter and a present initial value memory of the first RAM (S14 and S15).例文帳に追加

第１ＲＡＭの内容が「０」クリアされた場合には（Ｓ１３）、第１ＲＡＭの乱数カウンタ及び現初期値メモリへ第２ＲＡＭの次初期値メモリの値を書き込む（Ｓ１４、Ｓ１５）。 - 特許庁

When the contents of the first RAM are cleared down to 'zero' (S13), values of the subsequent initial value memory of the second RAM are loaded into a random number counter and the initial value memory involved of the first RAM (S14 and S15).例文帳に追加

第１ＲＡＭの内容が「０」クリアされた場合には（Ｓ１３）、第１ＲＡＭの乱数カウンタ及び現初期値メモリへ第２ＲＡＭの次初期値メモリの値を書き込む（Ｓ１４、Ｓ１５）。 - 特許庁

To provide particular performance data that are not generally obtained by a large-scale integrated testing method by evaluating the performance characteristic of each memory cell in particular about a random access memory cell.例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリ・セルに関し、特に、個々のメモリ・セルの性能特性を評価し、それによって、一般に大規模統合テスト方法では得られない特定の性能データを与える。 - 特許庁

The disk drive system includes a processing element which executes various operations and a hard disk controller having a buffer which provides an interface for the memory device such as a random access memory or the like.例文帳に追加

ディスク駆動システムが種々の動作を実行する処理要素及びランダムアクセスメモリ等のメモリ装置に対するインターフェースを与えるバッファを具備するハードディスク制御器を有している。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for performing a command cancel (CC) function on a dynamic random access memory (DRAM) semiconductor device for enhancing reliability and speed of a memory system.例文帳に追加

メモリ・システムの信頼性および速度を向上させるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）半導体デバイス上でコマンド取消し（ＣＣ）機能を実行するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a three-dimensional large capacity random access memory device formed by stacking memories individually in which individual memory layers can be sorted and removed.例文帳に追加

本発明の目的は、個別にメモリを積重して形成され、個々のメモリ層を選別し、除去することができる３次元大記憶容量ランダムアクセスメモリ素子を提供することである。 - 特許庁

When the contents of a first RAM are cleared to '0' (S13), the value of the next initial value memory of a second RAM is written in the random number counter and present initial value memory of the first RAM (S14 and S15).例文帳に追加

第１ＲＡＭの内容が「０」クリアされた場合には（Ｓ１３）、第１ＲＡＭの乱数カウンタ及び現初期値メモリへ第２ＲＡＭの次初期値メモリの値を書き込む（Ｓ１４、Ｓ１５）。 - 特許庁

An illustrative unit cell of a nonvolatile memory, such as a phase change random access memory (PRAM), is linked to an address line, and a data line and includes a MOS transistor that receives application of a voltage from the data line.例文帳に追加

相変化ランドムアクセスメモリ（ＰＲＡＭ）のような不揮発性メモリの例示的な単位セルはアドレスラインとデータラインに連結され、データラインから電圧の印加を受けるＭＯＳトランジスタを含む。 - 特許庁

When the BB is not in the duration, the sub-CPU reads out demonstration image display data from a sub-ROM (Read-Only Memory) with a first rate (> a second rate) to download it to a sub-RAM (Random-Access Memory).例文帳に追加

ＢＢの持ち越し中でない場合、サブＣＰＵはサブＲＯＭからデモ画像表示データを第１速度（＞第２速度）で読み出してデモ画像表示データをサブＲＡＭにダウンロードする。 - 特許庁

A personal computer (PC) 100 comprises a central processing unit (CPU) 1, a read only memory (ROM) 2, and a random access memory (RAM) 3, and processing of data is performed in CPU 1.例文帳に追加

パーソナルコンピュータ（ＰＣ）１００には、中央処理装置（ＣＰＵ）１とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）２及びランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）３が設けられて、データの処理がＣＰＵ１で行われる。 - 特許庁

This apparatus is the semiconductor integrated circuit apparatus 100 including a memory controller 110 performing access control based on access request from a host for a dynamic random access memory having a self-refresh function.例文帳に追加

セルフリフレッシュ機能を有するダイナミックランダムアクセスメモリに対し、ホストからのアクセス要求に基づくアクセス制御を行うメモリーコントローラ１１０を含む半導体集積回路装置１００である。 - 特許庁

After that, the memory card 2 encrypts a created random number with the session key and transmits the result, the IC card 1 couples the random number decrypted by the session key to a data decryption key and thereafter encrypts the result with the session key and transmits the result, and the memory card 2 confirms the presence of the random number in the decryption result by the session key to obtain the data decryption key.例文帳に追加

その後、メモリカード２は生成した乱数をセッション鍵で暗号化して送信し、ＩＣカード１はセッション鍵で復号した乱数をデータ暗復号鍵と結合した後にセッション鍵で暗号化して送信し、メモリカード２はセッション鍵での復号結果に上記乱数の存在を確認して上記データ暗復号鍵を得る。 - 特許庁

The two-chip/single-die switching device architecture includes an internal memory storage block on the single-die, an external memory storage interface to a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM), an external memory manager, and a packet data transfer engine effecting packet data transfers between an internal memory store and the external DDR SDRAM memory.例文帳に追加

この２チップ／単一ダイの交換装置アーキテクチャは、単一ダイ上の内部記憶装置ブロック、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）への外部記憶装置インタフェース、外部記憶装置マネージャ、及び内部記憶装置と外部ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ記憶装置との間でパケット・データの転送を実行するパケット・データ転送エンジンを含む。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) and its data read-out method in which sensing margin can be secured sufficiently and which has strong noise proof.例文帳に追加

センシングマージンを十分確保可能でノイズに強い磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）およびそのデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁