「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A control part 132 of the SSD 130 uses a part of the main memory 120 having a DRAM (Dynamic Random Access Memory) as a buffer area 121 in the data storage into a NAND type flash memory 131.例文帳に追加

そして、ＳＳＤ１３０の制御部１３２が、ＤＲＡＭを有するメインメモリ１２０の一部を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３１へのデータ格納におけるバッファ領域１２１として利用する。 - 特許庁

An ID chip is configured in such a manner that random data generated in a memory cell array due to variation of threshold voltage of each memory cell constituting the memory cell array is used as inherent identification information.例文帳に追加

本ＩＤチップは、メモリセルアレイを構成する個々のメモリセルの閾値電圧のバラツキにより、メモリセルアレイに生成されたランダムなデータを固有の識別情報として用いた構成とされる。 - 特許庁

To make control of a semiconductor memory by a controller easy in an electronic device mounting a semiconductor memory requiring refresh to hold data such as DRAM(dynamic random access memory) and a controller.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等のように、データ保持にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置と、コントローラとを搭載する電子装置であって、コントローラによる半導体記憶装置の制御を容易にする。 - 特許庁

The generated random numbers or switched result determined by using that random numbers are stored in a memory 26 and can be suitably read out or can be used for switching control as well.例文帳に追加

発生させた乱数、またはその乱数を用いて決定した切換え結果をメモリ２６に記憶させておいて、これを適宜読出して切換え制御に用いることもできる。 - 特許庁

An image recoding method for recording image data in a hologram memory medium while carrying out optical encryption by using a random phase mask for adding random phase components to light is provided.例文帳に追加

光にランダムな位相成分を付加するランダム位相マスクを用いて光学的暗号化を行いながらホログラムメモリ媒体に画像データを記録する画像記録方法である。 - 特許庁

Then, when a program corresponding to the program purchase information is received, random numbers are generated by a random number generator 22 using the received value stored in the memory 23 as a seed.例文帳に追加

そして、番組購入情報に対応する番組を受信すると、メモリ23に格納した受信値をシードとして乱数発生器22により乱数を発生する。 - 特許庁

To realize efficiently a physical random number generation speed proportional to the number of installed physical random number adapters regardless of data transfer band between a CPU and a memory of a computer.例文帳に追加

電子計算機内のCPUとメモリ間のデータ転送帯域によらず、搭載する物理乱数アダプタ数に比例した物理乱数生成速度を効率的に実現する。 - 特許庁

The random number generator is provided with an operation memory 2 for successively storing the sorts of depressed keys on a keyboard 1, an interval counter 3 for measuring the time interval of key depressions at each short time unit, a judging unit 5 for discriminating two depressions of the same key from the depressions of three keys or more, and a random number memory 6 for storing a random number.例文帳に追加

叩いたキーボード１のキーの種類を順次記憶する操作メモリ２と、キーを叩く時間間隔を短い時間単位で計測する間隔カウンタ３と、同じキーの２回叩きと３種以上のキーの叩きを判別する判定器５と、乱数を記憶する乱数メモリ６とを設ける。 - 特許庁

By attaining a register about mode reset by a nonvolatile ferroelectric capacitor, the same function as SDR (signal Data Rate), SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory), or DDR (Double Data Rate) can be attained at the time of applying it to the nonvolatile capacitor memory.例文帳に追加

このような本発明は、モードリセットに関するレジスタを不揮発性強誘電体キャパシタで具現することにより、不揮発性キャパシタメモリに適用時ＳＤＲ（Single Data Rate）ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）又はＤＤＲ（Double Data Rate）ＳＤＲＡＭと同一の機能を具現することができるようにする。 - 特許庁

The magnetic random access memory is provided with a reference cells in a memory cell array 11 and is constituted in such a manner that the data of the reference cell in the readout is inverted to prevent the data of the selected cell from changing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１に参照セルを設け、読み出し時に参照セルのデータを反転し、選択セルのデータを変化させないようにしている。 - 特許庁

To attain high speed reading in by preventing data reading from being impossible at the time of composing an SRAM(static random access memory) circuit by a four-transistor memory cell.例文帳に追加

４ＴｒメモリセルでＳＲＡＭ回路を構成時に、データの読み出し不能を未然に防止し、高速な読み出しを可能にしたＳＲＡＭ回路の提供。 - 特許庁

To provide a defect detecting method having high detection capability with respect to a malfunction of memory cells caused by variation in manufacturing magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ素子の製造時のバラツキによって発生するメモリセルの動作不良に対し、高い検出能力を持つ不良検出技術を提供する。 - 特許庁

To provide an output driver circuit which offers control and logic level adjustment for high speed data communications in a synchronous memory such as a synchronous dynamic random access memory (SDRAM).例文帳に追加

同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）などの同期メモリにおける高速データ通信のための制御および論理レベル調整を提供する出力ドライバ回路。 - 特許庁

To provide an NOR-interface flash memory device and an access method concerned in order to allow random access to data by increasing a data access rate of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータアクセス速度を上げ、データのランダムアクセスを可能にするために、ＮＯＲインターフェイスフラッシュメモリ装置及び関連アクセス方法を提供する。 - 特許庁

The data of the random access memory 17 are used for an address of a succeeding 3rd memory 19, which outputs data stored therein.例文帳に追加

このランダムアクセスメモリ１７のデータは、後続の第３のメモリ１９のアドレスとなって、第３のメモリ１９に格納されているデータを出力せしめる。 - 特許庁

A program in execution in a program storage area 15 of a random access memory 14 writes all data of a new program to a nonvolatile memory 12 at the time of program rewrite.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリ１４のプログラム格納領域１５で実行中のプログラムは、プログラム書き換え時に新規プログラムの全データを不揮発性メモリ１２に書込む。 - 特許庁

An IC (100) is equipped with a compact nonvolatile "ID" memory (110), such as a ferroelectric random access memory (FeRAM), which stores information on the manufacturing, testing, and performance of an IC.例文帳に追加

ＩＣの製造、試験及び性能に関する情報を記憶するＦｅＲＡＭ等の小型の不揮発性「ＩＤ」メモリ（１１０）を備えた集積回路（１００）。 - 特許庁

To detect minute defect existing in a PMOS load transistor of an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell without extremely increasing circuit area and at high speed.例文帳に追加

回路面積を極端に増大させることなく、かつ高速に、ＳＲＡＭメモリセルのＰＭＯＳ負荷トランジスタに存在する微小欠陥を検出すること。 - 特許庁

A storage device is arranged as a pattern memory 7 to which a random access is performed, and a pattern processor 5 stores pattern data for each column in the pattern memory 7.例文帳に追加

記憶装置をランダムアクセスの行われるパターンメモリ７として設けられており、パターンプロセッサ５はパターンメモリ７にパターンデータを列ごとに格納する。 - 特許庁

To provide a stabilized magnetic memory by eliminating a magnetization pattern in random directions in an edge region which otherwise causes predictable switching behavior of a magnetic memory cell.例文帳に追加

磁気メモリ・セルの予測可能な切換挙動の原因となる端領域内のランダムな向きの磁化パターンを除去し、安定化した磁気メモリを提供する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction(MTJ) device can be used as a magnetic field sensor in a magnetic disk drive or as a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM) array.例文帳に追加

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス（ＭＲＡＭ）アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。 - 特許庁

There are four memory sets, two sets thereof are internal SRAM, other two sets thereof are external DRAM, and a completely random access is carried out at 100 MHz of maximum speed in each external DRAM memory set.例文帳に追加

4つのメモリセットが存在し、2つが内部SRAM、他の2つが外部DRAMとなり、外部DRAMメモリセットでは完全なランダムアクセスを最高100MHzの速度で行える。 - 特許庁

At the making time of a power source, the operation program 23 is read out from the flash memory 2, and written in a program area of a random access memory 3 as a copy operation program 31.例文帳に追加

電源投入時に、フラッシュメモリ２から操作プログラム２３を読出しランダムアクセスメモリ３のプログラムエリアにコピー操作プログラム３１として書込む。 - 特許庁

The equal potentials are impressed to the bit lines selected at the reading out operation relating to the memory cells (12) in the magnetic random access memory (MRAM) and the non-selected bit lines.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)中のメモリセル(12)についての読み出し動作時に選択されたビットラインと選択されていないビットラインとに等しい電位を印加する。 - 特許庁

To provide a spin torque transfer magnetic random access memory, wherein efficient writing can be performed by memory cell selection transistors of smaller size.例文帳に追加

スピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリに関し、より小さいサイズのメモリセル選択トランジスタで効率的な書き込みが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

The electronic equipment is provided with a central processing unit(CPU) 31, a read only memory(ROM) 33 connected therewith, and a random access memory(RAM) 33.例文帳に追加

中央演算装置（ＣＰＵ）３１とこれに接続された読み出し専用メモリー（ＲＯＭ）３２、読み書き可能メモリー（ＲＡＭ）３３が設けられている。 - 特許庁

A magnetic random access memory 10 comprises a memory cell MC, and a reference cell RC which is referred to at the time of reading out data in order to generate a reference level.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ１０は、メモリセルＭＣと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルＲＣとを備える。 - 特許庁

When a plurality of processes acquire random numbers simultaneously, throughput of the random numbers available in all of the processes is improved by copying a random number on a memory and delivering it to each of the processes if no relation exists among the processes and if there is no problem even when a same random number is delivered to each of the processes.例文帳に追加

複数のプロセスが同時に乱数を取得する際、それらのプロセス間に関係が無く、それぞれに同一の乱数を渡しても問題が無い場合には、メモリ上で乱数をコピーにて各プロセスに渡すことで、プロセス合計で利用できる乱数のスループットを向上させる。 - 特許庁

According to the device 1 with the above configuration, since the generated data for a random number are stored in the memory 3, arithmetic operations can continuously be performed without being delayed by utilizing the data for a random number stored in the memory even in the case of performing such high-speed operation processing in which the necessary frequency of random numbers, etc., surpasses the generation frequency of random pulses.例文帳に追加

上記構成の確率的選択装置１によれば、生成された乱数用データはメモリ３に蓄積されているので、乱数等の必要頻度がランダムパルスの発生頻度を上回るような高速演算処理を実行した場合でも、メモリに蓄積されている乱数用データを利用して滞り無く演算を継続することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which attains large capacity and high integration, and realizes the acceleration of an access speed.例文帳に追加

大容量化や高集積化が図れ、アクセス速度の高速化も実現出来る磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a random access magnetic memory or logic element with thermally-assisted writing using a magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合を用いる熱アシスト書き込みを用いるランダムアクセル磁気メモリまたは論理素子を提案する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory and its operating method in which erroneous write-in probability can be reduced.例文帳に追加

誤書き込み確率を低減することができる磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory system configured to be mountable with an ECC (error correcting code) system that responds to random errors and lump errors.例文帳に追加

ランダムエラー及び塊エラーに対応するＥＣＣシステムを搭載可能に構成されたメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of generating high-performance random numbers and improving prediction difficulty.例文帳に追加

高性能な乱数を生成することができ、予測困難性を向上できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A control parameter obtained in time series from a control unit 2 is temporarily recorded in a random access memory 8.例文帳に追加

制御ユニット２から時系列的に取得した制御パラメータがランダムアクセスメモリ８に一時的に記録される。 - 特許庁

A latch signal is outputted to a random number value memory circuit 531 synchronizing a clock signal inverted or delayed.例文帳に追加

また、反転または遅延させたクロック信号に同期して、ラッチ信号を乱数値記憶回路５３１に出力する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device and a technique for detecting and monitoring a temperature particularly for dynamic random access memory (DRAM).例文帳に追加

集積回路装置、特に動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のための温度検知および監視の技術を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, PORTABLE TERMINAL APPARATUS, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCTION APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 - 特許庁

To provide a system and method for generating random number distribution for a device with limited processing and memory capacity.例文帳に追加

処理及び記憶能力に制限のある装置における乱数分布発生システム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM(dynamic random-access memory) control circuit in which circuit constitution is simplified, operation speed is increased, and circuit scale is small.例文帳に追加

回路構成が簡略化され、動作が高速化され、回路規模の小さいＤＲＡＭ制御回路を提供する。 - 特許庁

To optimize focus offset in a recording time in a recordable optical disk device, such as a DVD-RAM(digital versatile disc random access memory).例文帳に追加

ＤＶＤ−ＲＡＭ等の記録可能な光ディスク装置において、記録時のフォーカスオフセットを最適化する。 - 特許庁

a virtual drive that is created by setting aside part of the random-access memory to use as if it were a group of sectors 例文帳に追加

ランダムアクセスメモリの一部を残すことで作られ、セクタの集まりであるかのように使用する仮想ドライブ - 日本語WordNet

A digital video device 100 includes a processor 113 and a digital random-access memory 140 communicating with the processor 113.例文帳に追加

デジタルビデオ装置１００は、プロセッサ１１３と、プロセッサ１１３と通信するデジタルランダムアクセスメモリ１４０とを備える。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes a plurality of first write lines 1 extending along a first direction while separating each other.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、相互に離れて第１方向に沿って延びる複数の第１書き込み線１を含む。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, THE SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PORTABLE ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及び携帯電子機器 - 特許庁