random memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1148件
The image pickup device includes a first nonvolatile memory (NAND flash 5) whose access for writing/reading image data is sequential, and a second nonvolatile memory (MRAM 4) whose access for writing/reading image data is random.例文帳に追加
画像データの書き込み/読み出しのアクセスがシーケンシャルな第1の不揮発メモリ(NANDフラッシュ5)と、画像データの書き込み/読み出しのアクセスがランダムな第2の不揮発メモリ(MRAM4)とを備える。 - 特許庁
Since data held on a cash memory unit 76 can be utilized with being near in relation to time, random access to the memory 14 can be lessened by raising the localization of reference.例文帳に追加
キャッシュ記憶部76上に保有されているデータを時間的に近接して利用することが可能となるので、参照の局所性を高めて、メモリ14へのランダムアクセスを少なくすることができる。 - 特許庁
The CPU executes the transfer control program to transfer the rewriting control program to the random access memory, and further executes the transferred rewriting control program to write prepared data into the flash memory.例文帳に追加
CPUは、転送制御プログラムを実行して、書換え制御プログラムを前記ランダムアクセスメモリへ転送し、さらに、転送された前記書換え制御プログラムを実行して、用意されたデータをフラッシュメモリへ書き込む。 - 特許庁
The CPU (14), a RAM (Random Access Memory) (15), a DMAC (Direct Memory Access Controller) 1 (16), a DMAC 2 (17), and a DMAC 3 (18) are connected to a high-speed internal bus using a simple protocol adopted by the crossbar 9×9 switch (11).例文帳に追加
CPU(14)、RAM(15)、DMAC1(16)、DMAC2(17)、DMAC3(18)は、クロスバー9×9スイッチ(11)が採用するプロトコルが簡単で高速な内部バスに接続されている。 - 特許庁
A circuit outside a memory controller in a processing system sets a dynamic random access memory to a self-refresh state by responding to a predetermined condition associated with a power-down or reset event.例文帳に追加
処理システム中のメモリ・コントローラの外部にある回路は、電源遮断またはリセット・イベントに関連付けられた所定の条件に応答して、動的ランダム・アクセス・メモリをセルフリフレッシュ状態にする。 - 特許庁
On the other hand, the signal from the circuit 2 is written in a random access memory(RAM) 6 through a memory controller 5 and the signal read out from the RAM 6 is supplied to the normal continuous photographing contact (b) of the switch 3.例文帳に追加
またフロントエンド回路2からの信号がメモリコントローラ5を通じてランダムアクセスメモリ6に書き込まれ、読み出された信号が切り換えスイッチ3の通常連写側接点bに供給される。 - 特許庁
To provide a ferroelectric random access memory device comprising a reference circuit generating reference voltage being variable in accordance with variation in a polarization state of a ferroelectric capacitor of a memory cell caused by elapse of a time.例文帳に追加
時間の経過によるメモリセルの強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a dynamic random access memory formed at a semiconductor body comprising individual paired memory cell separated each other by a vertical electric isolation trench and separated from a support circuit.例文帳に追加
垂直方向の電気的アイソレーショントレンチにより互いに分離され、かつサポート回路から分離されている個々のメモリセルペアを有する半導体ボディに形成されたダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
A random reproduction control memory 15 constituting a part of a random control means for controlling next reproducing data to be reproduced next to current reproducing data selected at random in the case of reproducing plural reproducing data recorded in an MD at random so as to select a recorded medium of a sort different from the MD corresponding to the current reproducing data is connected to the CPU 12.例文帳に追加
CPU12には、MDに記録された複数の再生データをランダム再生時、ランダム選択された今回再生データの次に再生される次回再生データを、前記今回再生データに対応するMDとは異なる種類の記録済媒体を選択するように制御するランダム制御手段の一部を構成するランダム再生制御用メモリ15を接続する。 - 特許庁
A random number generation circuit 2 which shows a transitional response up to generation of random numbers is activated from an initial state by applying a random number generation activation signal 10 just after a reset signal 9 thereto to start random number generating operation, and fetches output data to a buffer memory 6 at a time after an end signal 15 set by an operation time setting signal 13.例文帳に追加
リセット信号9の直後の乱数発生起動信号10が印加されることにより、乱数を発生するまでに過渡的応答を示す乱数発生回路2は、初期状態から起動して乱数発生の動作を開始し、動作時間設定信号13により設定される終了信号15後のタイミングでその出力データをバッファメモリ6に取り込む。 - 特許庁
A key 40 reads an ID code IDCD and random numbers CD0 to CD3 from a fixed value memory 11 and summating an overlap prohibit data OVLP_0 and a random number RND 1 newly creates overlap prohibit data OVLP.例文帳に追加
鍵40で、その固定値メモリー11からIDコードIDCDおよび乱数CD0〜CD3を読み出し、重複禁止データOVLP_0と乱数RND1とを加算して重複禁止データOVLPを新たに生成する。 - 特許庁
On the other hand, when a ball gets into a right or left second ordinary electric prize device to win a prize, a jackpot random number is stored in a second jackpot relating information memory area, and the jackpot determination is carried out based on the stored random number.例文帳に追加
一方で、左右の第二普通電動役物へ遊技球が入賞した場合には、第二大当たり関係情報記憶エリアに大当たり乱数が記憶され、記憶された乱数に基づいて大当たり判定が行われる。 - 特許庁
A transmission data encrypting device in a keyboard is provided with: a control part equipped with an index preparing means 211, a random number column preparing means 212, an encryption processing means 213 and a synchronous information preparing means 214; and a memory 22 for storing an uniform random table.例文帳に追加
キーボード内の伝送データ暗号化装置は、インデックス作成手段211、乱数列作成手段212、暗号化処理手段213、同期情報作成手段214を有する制御部と、一様乱数表を格納するメモリ22と備える。 - 特許庁
For the random display of image data recorded in a recording medium, rather than the image data itself but a thumb nail file, obtained by gathering thumb nail image data corresponding to each image data file, is read at random, and buffered in a buffer memory means.例文帳に追加
記録媒体に記録された画像データのランダム表示のためには、その画像データ自体ではなく、各画像データファイルに対応するサムネイル画像データを集めたサムネイルファイルをランダムに読み出し、バッファメモリ手段にバッファリングする。 - 特許庁
A CPU 11 stores the disk/track reproduced by random reproduction in a memory 12 and when a Track Down key 15b of an operating part 15 is operated, the disk/track reproduced by the random reproduction is selected by tracing it by stored records.例文帳に追加
CPU11は、メモリ12内にランダム再生により再生したディスク/トラックを記憶しておき、操作部15のTrack Downボタン15bが操作されると、記憶している履歴によりランダム再生で再生したディスク/トラックを遡って選択する。 - 特許庁
To provide a spin transfer type MTJ-MRAM (magnetic random access memory) cell that can keep a switching magnetic field without increasing switching current and cell size.例文帳に追加
スイッチング電流およびセルサイズの増大という不都合を伴うことなくスイッチング磁界を確保し得るスピントランスファー型MTJ−MRAMセルを提供する。 - 特許庁
The ultrasonic beam forming system, which has a simple constitution and is produced at a low cost, uses an analog random access memory (RAM) element in each beam forming channel.例文帳に追加
簡単かつ低コストな超音波ビーム成形システムは、それぞれのビーム成形チャネルについて、アナログのランダムアクセスメモリ(RAM)素子を使用している。 - 特許庁
When it is the first processing after the power-on (S1: YES), first RAM is initialized (S2), and then the value of an initial value memory is written to a random number counter (S3).例文帳に追加
電源投入後の最初の処理であれば(S1:Yes)、まず、RAMの初期化を行い(S2)、その後、初期値メモリの値を乱数カウンタへ書き込む(S3)。 - 特許庁
The magnetic random-access memory cell 1 has a structure in which a free layer 2, a non-magnetic layer 3 (a main non-magnetic layer) in the cell and a pin layer 4 are laminated.例文帳に追加
磁性ランダムアクセスメモリセル1は、フリー層2と、セルにおける非磁性層(主非磁性層)3とピン層4とが積層された構造を有している。 - 特許庁
The active matrix display device 1 has static random access memory (SRAM) devices 5 and digital to analog converters (DAC) 6, which are both allocated to each of sub-pixels 3 of a divided pixel 2.例文帳に追加
アクティブマトリクス型の表示装置1は、画素2が分割されたサブ画素3の各々に設けられたSRAM5とDAC回路6を備える。 - 特許庁
A musical piece data for expressing each note in a divided phrase section is stored in a random access memory (RAM) 14, by dividing a melody part and a plurality of accompaniment parts into phrase units.例文帳に追加
RAM14には、メロディパートおよび複数の伴奏パートをフレーズ単位に区切り、区切られたフレーズ区間の各音を表す曲データが記憶される。 - 特許庁
When the resistance random access memory element is miniaturized, variations in electrical characteristics due to the surface irregularities of the variable resistance film can be reduced.例文帳に追加
抵抗変化型メモリ素子を微細化した場合に、抵抗変化膜表面の凹凸に起因した素子間の電気特性のバラツキを小さくすることができる。 - 特許庁
The selection control unit selects the data to be stored in the memory circuit so that the random number data may be stored after the intermediate data is stored.例文帳に追加
前記選択制御部は、前記中間データが格納された後に前記乱数データが格納されるように、前記記憶回路に格納するデータを選択する。 - 特許庁
A PLD (Programmable Logic Device) 41 deletes image data of a range unnecessary to the image processing including the blank region, and deploys the remaining image data to RAM (random access memory) 46.例文帳に追加
PLD41はそのブランク領域を含む、画像処理に不要な範囲の画像データを削除し、残りの部分の画像データをRAM46に展開する。 - 特許庁
To enable high speed random read-out without setting bit line voltage for memory elements in which setting of bit line voltage is required before or after read-out.例文帳に追加
読み出し前後にビット線電圧の設定が必要な記憶素子に対し、ビット線電圧の設定を待つことなく、高速なランダム読み出しを可能とする。 - 特許庁
This recorder is so configured as to hold thumbnail images by using a memory 105 mounted generally on a video recorder using media accessible at random.例文帳に追加
ランダムアクセス可能なメディアを用いる録画装置に一般的に搭載されているメモリ105を利用してサムネール画像の保持を行う構成とした。 - 特許庁
The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加
半導体装置は、ビットライン22が容量素子31より下方にあるスタック型の構成を有するDRAMとSRAMとが混載されてなる。 - 特許庁
This process is repeated until a start memory corresponding to a winning random number count value are consumed, the interesting property can be improved.例文帳に追加
この処理を当り乱数カウント値に対応する始動メモリの消化制御が行われるまで繰り返すので、遊技性を向上させることが可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device, such as a high-performance semiconductor integrated circuit device whose soft errors of a SRAM(static random access memory) are reduced.例文帳に追加
半導体集積回路装置、例えば、SRAMのメモリセルのソフトエラーを低減させた高性能の半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide means for generating a chip-unique ID by making use of the fact that a defective bit in a memory with a built-in chip is generated at a random address, and for utilizing it.例文帳に追加
チップ内蔵メモリのビット不良がランダムなアドレスで発生することを利用して、チップ固有IDを生成し、これを活用する手段を提供する。 - 特許庁
Security data read by a boot block code stored in a BIOS storage device are written in a non-volatile random access memory(NVRAM).例文帳に追加
BIOS記憶装置に記憶されたブート・ブロック・コードによって読み取られる機密保護データが不揮発性ランダム・アクセス・メモリ(NVRAM)に書き込まれる。 - 特許庁
A corresponding color correction table and a half tone processing table are set, for example, in a high speed random access memory, etc., according to the set color processing at a color processing part.例文帳に追加
この設定された色処理に従って、色処理部では対応する色補正テーブルやハーフトーン処理テーブルを例えば高速ランダムアクセスメモリ等に設定する。 - 特許庁
To provide a ferroelectric random access memory device which carries out an asynchronous operation using an address transition detection system and its control method.例文帳に追加
アドレス遷移検出方式を利用した非同期式動作を実行する強誘電体ランダムアクセスメモリ装置及びそれの制御方法を提供する。 - 特許庁
The corrected bit split sequence is stored in a 2-port random access memory 802 and then accessed thereafter by a processor 806 and a sequencer 304.例文帳に追加
修正されたビット・スプリット・シーケンスは、2ポート・ランダム・アクセス・メモリ802に蓄積され、その後そこでプロセッサ806及びシーケンサ304によってアクセスされる。 - 特許庁
To enable screening of a defective memory cell by a die sort test by shortening a RAS restore time of a random cycle time at a normal mode more than that at a test mode.例文帳に追加
テストモード時にランダムサイクルタイムのRASリストア時間を通常モード時よりも短縮してダイソートテストによる不良メモリセルをスクリーニングできるようにする。 - 特許庁
After that, random number counter updating processing (S10), each processing (S4), and initial value memory updating processing (S20) are in order performed to end the reset interrupt processing for that time.例文帳に追加
その後は、順に、乱数カウンタ更新処理(S10)、各処理(S4)、初期値メモリ更新処理(S20)を実行し、その回のリセット割込処理を終了する。 - 特許庁
To effectively eliminate dark current noise while considering increase of random component noise by noise reduction without providing a large capacity memory and a large capacity sensor.例文帳に追加
大容量のメモリやセンサを設けることなく、ノイズリダクションによるランダム成分ノイズの増加を考慮しつつ、暗電流ノイズを効果的に除去する。 - 特許庁
The integrated circuit also includes a single transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) cell 212 arranged adjacent to and integrated with the bulk IC.例文帳に追加
この集積回路はまた、バルクICに隣接して設けられ且つ一体化された単一トランジスタのダイナミックランダムアクセスメモリ(1T−DRAM)セル212を備えている。 - 特許庁
An authentication apparatus decrypts a management data code text received from the memory device (S303), a head random number is removed therefrom to extract an amount of money (S304).例文帳に追加
認証装置は、メモリ装置から受信した管理データ暗号文を復号し(S303)、そこから先頭の乱数を除去して、金額を抽出する(S304)。 - 特許庁
A program used for debugging or performance measurement is transmitted to a RAM (random access memory) 30 of a mobile terminal device 1 through communication I/F (interface) 2 from an external terminal unit 3 for storage.例文帳に追加
デバッグあるいは性能測定を行うプログラムは外部端末装置3から通信I/F2を介して携帯端末装置1のRAM30に転送され、格納される。 - 特許庁
To provide a receiver for receiving a random access signal, capable of reducing the amount of processing on the reception of a message and further reducing the memory capacity required for reception of the message.例文帳に追加
メッセージ受信の際の処理量及び必要なメモリ容量を削減することができるランダムアクセス信号受信装置を提供すること。 - 特許庁
Transmission of control data developed in RAM(random-access memory) 20 is asked to a main control part 200 of both game machines 300a and 300b (step S2020).例文帳に追加
両方の遊技機300a、300bの主制御部200にRAM203に展開されている制御データの送信を依頼する(ステップS2020)。 - 特許庁
The authentication processing section 32 is comprised of a communication interface 40, a random number generator 41, an encrypter 42, a seed key register 43, a non-volatile memory 44 and a control section 45.例文帳に追加
認証処理部32は、通信インタフェース40、乱数発生器41、暗号化器42、シードキーレジスタ43、不揮発性メモリ44、制御部45で構成される。 - 特許庁
An optical head section 2, a signal processing circuit 3, an operating key section 4, a random reproduction operating key 9, a display 6, and a memory 8 are connected to a system controller 1.例文帳に追加
システムコントローラ1に光学式ヘッド部2と信号処理回路3と操作キー部4とランダム再生操作キー9と表示器6メモリ8を接続する。 - 特許庁
To hold functional information before and after event occurrence in an MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) built in a data processor, and to prevent falsification or erasure of the held functional information.例文帳に追加
データプロセッサに内蔵するMRAMにイベント発生前後の機能情報を保持し、保持した機能情報の改竄や消去を防止する。 - 特許庁
When the videoscope 20 is connected with the processor 30, the program data are transferred from the EEPROM 27 to a RAM (random access memory) 51 in the processor 30 and developed.例文帳に追加
そしてビデオスコープ20がプロセッサ30に接続されると、プログラムデータをEEPROM27からプロセッサ30内のRAM51へ転送し、展開させる。 - 特許庁
To provide a random access memory device in which area of circuit arrangement is reduced by reducing area occupied by a pull-down circuit, and to provide its driving method.例文帳に追加
プルダウン回路の占める面積を減少することにより回路アレンジの面積を減少させたランダムアクセスメモリデバイス及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
When a power stoppage occurs, a main substrate perform a power feed stopping process including a RAM(random access memory) access prohibiting process, then is set to be in a standby state.例文帳に追加
主基板では、電源断が発生すると、RAMアクセス禁止処理を含む電力供給停止時処理を行った後に待機状態となる。 - 特許庁
To provide a magnetic random access memory without the need for preparing a tunnel junction in an extremely well controlled vacuum state and to provide a manufacturing method.例文帳に追加
非常によく制御された真空状態でトンネル接合を作成する必要のない磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.例文帳に追加
実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁
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