「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory apparatus in which a random cycle time (tRC) at the time of write-in operation can be reduced.例文帳に追加

書き込み動作時におけるランダムサイクルタイム(ｔＲＣ）を低減できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a random signal generater capable of shortening a test time, and reducing the storage capacity of a memory.例文帳に追加

試験時間の短縮化ができる上に、メモリの記憶容量を低減化できるランダム信号発生装置の提供。 - 特許庁

The CPU 17 specifies a customer that is the transmitter, reads the purchase history of the customer from a customer file stored in a RAM (random access memory) 13, sorts commodity names in order of the purchased number, and displays a list thereof on a liquid crystal touch panel 14.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は該発信者である顧客を特定し、ＲＡＭ（Random Access Memory）１３に記憶されている顧客ファイルから該顧客の購買履歴を読み出し、購買数の順に品名をソーティングして、液晶タッチパネル１４にリスト表示する。 - 特許庁

An extra bus control apparatus 2 comprises a first and a second extra bus controllers 15 and 16 corresponded respectively to a plurality of devices, such as a SRAM (Static Random Access Memory) and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) connected to an extra bus EXBUS, and an extra bus arbiter 17.例文帳に追加

外部バス制御装置２は、外部バスＥＸＢＵＳに接続された複数の装置（例えば、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ）に各々対応した第１及び第２バスコントローラ１５、１６と、外部バスアービタ１７とを有している。 - 特許庁

A tally processing part 61 of the USB memory 6 generates tally information from a data file of a transmitting side terminal 1, by using the random number ID information 63 retained in the USB memory 6, stores the tally information in the USB memory 6, and deletes the used random number ID information 63.例文帳に追加

ＵＳＢメモリ６の割符処理部６１は、差出側端末１のデータファイルから、ＵＳＢメモリ６内に保管されている乱数ＩＤ情報６３を用いて割符情報を生成させ、割符情報をＵＳＢメモリ６内に記憶させ、使用した乱数ＩＤ情報６３は削除させる。 - 特許庁

To provide a readout circuit that reduces weight of bus cycles at a processor side and accelerates readout speed of the processor to a random accessible flash memory in a semiconductor memory device equipped with the memory.例文帳に追加

ランダムアクセス可能なフラッシュメモリを備えた半導体記憶装置において、プロセッサ側のバスサイクルのウェイトを減らし、メモリに対するプロセッサの読み出し速度を高速化する読み出し回路を提供する。 - 特許庁

A memory 3 stores the random number generated by the random number generating part and a cellular phone number reported by the user through the cellular phone 8 with one-to-one correspondence.例文帳に追加

メモリ３は、乱数発生部が発生した乱数および電話番号宛てに利用者が携帯電話８から通知してくる携帯電話番号を洗濯設備と一対一対応で記憶する。 - 特許庁

When it is temporarily determined that a ready-to-win variation pattern is performed, an illustrated data table is used to select the variation pattern out of random number values stored in a ready-to-win mode determination random number memory.例文帳に追加

リーチの変動パターンを行うことが一旦決定すると、本図に示すデータテーブルを用いて、リーチ態様決定乱数メモリに記憶された乱数値より変動パターンを選択する。 - 特許庁

The synchronous random access memory 30 performs further write or read of a data bus 25 through a synchronous burst operation (BT) or a synchronous wrap operation (WT), in addition to a synchronous random access operation.例文帳に追加

前記の同期ランダムアクセスメモリは更に同期ランダムアクセス動作に加えて、同期バースト動作（ＢＴ）または同期ラップ動作（ＷＴ）でデータ（２５）の書き込みまたは読み出しを行う。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory device capable of write-in at low current and having an enhanced magnetic resistance change ratio.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、低電流で書き込み可能にするとともに、磁気抵抗変化比を向上する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which allows the bit cost thereof to be more efficiently reduced while keeping the number of times of reading and writing.例文帳に追加

読み書き回数を維持しつつ、より効率的にビットコストを低減可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To prevent a writing error by maximizing an operation window in a free magnetic structure of a magnetoresistive element which is used as a cell of a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリのセルとして用いられる磁気抵抗素子の自由磁気構造の動作窓を最大化する。 - 特許庁

To provide a method of forming a resistive random access memory array and a fuse array on the same substrate and an integrated circuit therefor.例文帳に追加

抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。 - 特許庁

An SRAM (Static Random Access Memory) system 1 has an SRAM array 2, a storage part 3, a search part 4 and a power control part 5.例文帳に追加

ＳＲＡＭシステム１は、ＳＲＡＭアレイ２と、格納部３と、検索部４と、電力制御部５とを有している。 - 特許庁

Musical piece data downloaded from a server 3 are stored in one buffer of a RAM (random access memory) of a mobile telephone set 1 and reproduced.例文帳に追加

サーバ３からダウンロードした楽曲データは、携帯電話機１のＲＡＭの一方のバッファに記憶され再生される。 - 特許庁

To provide an improved method for etching magnetic materials for manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) device.例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造のために磁性材料をエッチングする改善された方法を提供する。 - 特許庁

This dynamic random access memory(DRAM) has a pair of bit lines provided with first bit lines and second bit lines.例文帳に追加

本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ (ＤＲＡＭ)は第一ビット線と第二ビット線とを具備するビット線対を有している。 - 特許庁

To suppress read disturbance in a reference element in a magnetic random access memory performing spin injection writing.例文帳に追加

スピン注入書き込みを行う磁気ランダムアクセスメモリにおいて、参照素子における読み出しディスターバンスの発生を抑制する。 - 特許庁

To obtain a dynamic random access memory(DRAM) circuit using a test system and a method for deciding sensitivity of a sense amplifier.例文帳に追加

センスアンプの感度を決定するテストシステム及び方法を使用するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory device which is improved in reliability and can obtain a high sensing margin when performing write operation.例文帳に追加

信頼性が向上した、読出し動作をする時、高いセンシングマージンを得られる強誘電体ラム装置を提供する。 - 特許庁

To improve refresh performance in a DRAM (Dynamic Random Access Memory) sense amplifier by providing bias sensing suitable for the DRAM sense amplifier.例文帳に追加

ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）センス増幅器の好適なバイアスセンシングを提供してリフレッシュ性能を向上させる。 - 特許庁

To provide static random access memory cells which have a faster driving current and smaller short channel effect.例文帳に追加

より速い駆動電流およびより小さな短チャネル効果を備え、微細化されたスタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。 - 特許庁

To provide a data processing apparatus capable of reducing a chip area by reducing the number of buffer SRAMs (Static Random Access Memory).例文帳に追加

バッファＳＲＡＭの個数を減らしてチップ面積を削減することが可能なデータ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random-access memory where fatigue characteristics and deterioration and reliability are improved.例文帳に追加

本発明は、疲労特性や劣化や信頼性が改善された強誘電体ランダムアクセスメモリ装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A RAM (random access memory) 502 stores a CAT (conditional access table) packet PCAT and an EMM (entitlement management message) packet PEMM which are separated by a transport decoder 501.例文帳に追加

ＲＡＭ５０２は、トランスポートデコーダ５０１で分離されたＣＡＴパケットＰ_CAT と、ＥＭＭパケットＰ_EMM とを格納する。 - 特許庁

The corresponding relation between the physical addresses and the logical addresses of these pages is stored in a RAM (Random Access Memory) 123 as a form of a BPT (Block Pointer Table).例文帳に追加

このページの物理アドレス及び論理アドレスの対応関係はＢＰＴの形でＲＡＭ１２３に記憶される。 - 特許庁

With the control of a central processing unit 51, the sampling data of the A-D converter 55 and the top dead center signal both are stored in a random-access memory 53.例文帳に追加

ＣＰＵ５１の制御により、Ａ／Ｄ変換器５５のサンプリングデータと上死点信号をＲＡＭ５３に記憶する。 - 特許庁

N pieces (N<M) of player identification information are extracted at random from the player identification information on the main memory (S20).例文帳に追加

主メモリ上のプレイヤ識別情報の中からＮ個（Ｎ＜Ｍ）のプレイヤ識別情報をランダムに抽出する（Ｓ２０）。 - 特許庁

This synchronous random access memory 30 responds directly to the system clock signals 67 and is operated in synchronism with a related microprocessor.例文帳に追加

同期ランダムアクセスメモリ（３０）がシステムクロック信号（６７）に直接応答して、関連するマイクロプロセッサに同期して動作する。 - 特許庁

A CPU (central processing unit) 41a initializes the virgin region and the virgin stack region of a RAM (random access memory) 41c in each game.例文帳に追加

ＣＰＵ４１ａは、１ゲーム毎にＲＡＭ４１ｃの未使用領域及び未使用スタック領域を初期化する。 - 特許庁

A random reproduction control section 9 is connected to the memory controller 8a of a recording control section 8 and to a reproduction control section 5.例文帳に追加

記録制御部８のメモリコントローラ８ａ及び再生制御部５にはランダム再生制御部９が接続されている。 - 特許庁

In response to physical random number requests generated from a plurality of arbitrary user processes at an arbitrary timing with an arbitrary quantity of data in a computer, physical random numbers are written from arbitrary physical random number adapters into a memory area directly managed by the user processes.例文帳に追加

電子計算機内の、任意の複数のユーザプロセスから任意のタイミング、任意のデータ量で発生する物理乱数要求に対して、任意の物理乱数アダプタから直接ユーザプロセスが管理するメモリ領域へ物理乱数を書き込む。 - 特許庁

A plurality of non-random access non-volatile memories are used, and the switching is executed based on the busy information of each of those non-random access non-volatile memories so that the delay of the execution of a program due to the busy period of the non-random access non-volatile memory can be reduced.例文帳に追加

複数の非ランダムアクセス型不揮発メモリを使用し、その切替えを個々の非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー情報で行うことで、非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー期間によるプログラム実行の遅延を抑えることができる。 - 特許庁

This game machine having a memory clear switch MCLR for initializing a part or all of the contents of a storage part, is provided with a random number generator 40a-1 for generating random numbers, and a shuffle process part 40a-2 for executing a process of mixing the random numbers.例文帳に追加

記憶部の内容の一部又は全部を初期状態にするためのメモリクリアスイッチMCLRを備える遊技機において、乱数を発生する乱数発生器４０ａ−１と、前記乱数をかき混ぜる処理を行うシャッフル処理部４０ａ−２を備える。 - 特許庁

One random number is stored in a memory as a random number to be used in a game after N game rounds based on the operation of an operation means SL in each game round, and a lottery in the current game round is executed by using the random number stored before the N game rounds.例文帳に追加

各ゲームにおける操作手段ＳＬの操作に基づいて、１の乱数をＮゲーム後の抽選に用いる乱数としてメモリに記憶させるとともに、Ｎゲーム前に記憶された１の乱数を用いて現在のゲームの抽選を行う。 - 特許庁

In a memory of the pachinko machine 11, a random number updating program for adding a specified value for each interruption processing (for instance, the updating of the random number counter and a switch input processing) and also changing an updating method of a random number by a specified condition is stored.例文帳に追加

パチンコ機１１のメモリ４３には、割り込み処理（例えば、乱数カウンタの更新及びスイッチ入力処理）毎に特定値を加算すると共に、特定の条件で乱数の更新方法を変化させる乱数更新プログラムが格納されている。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory comprises multiple magnetic memory cells 10, a current supply section 43+47+49, and a control section 41+70+80.例文帳に追加

スピン注入方式の磁気ランダムアクセスメモリは、複数の磁気メモリセル１０と電流供給部４３＋４７＋４９と制御部４１＋７０＋８０とを具備する。 - 特許庁

To provide memory cell array structure of a non-volatile semiconductor memory unit, which can read data more quickly in the case of high-speed random access and accessing data of a small number.例文帳に追加

高速のランダムアクセス及び少数のデータをアクセスする際により速くデータを読み取ることができる不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for designating an address with lower power consumption than before in a nonvolatile memory device while conforming to a specification of an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) of JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).例文帳に追加

不揮発性メモリ装置において、ＪＥＤＥＣのＳＤＲＡＭの規格に準拠しつつ、アドレス指定を従来よりも低消費電力で行う方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory uses a magnetoresistive effect film composed of a multilayered magnetic film as a memory element or the mechanism for inverting the magnetization as an information writing means.例文帳に追加

本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、上記多層磁性膜からなる磁気抵抗効果膜をメモリ素子とし、或いは、上記磁化反転機構を情報の書き込み手段とする。 - 特許庁

Therefore, single chip design characteristic of both of a dynamic random access memory DRAM and an electrically programmable read only memory EPROM can be obtained.例文帳に追加

これにより、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、及び電気的にプログラマブルな読出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）の両方を特徴とする単一チップ設計がもたらされる。 - 特許庁

When control instruction data of the microcontroller device 10 are reset, resetting is canceled and the data are read from the flash memory 13 and written again into the random access memory 14.例文帳に追加

マイクロコントローラ装置１０における制御指示データがリセットされ場合、そのリセットを解除した後、フラッシュメモリ１３からデータを読み出し、ランダムアクセスメモリ１４へ再度を書込む。 - 特許庁

The method for determining previously the initial state of the flip-flop type random access memory is achieved when the memory increases the power of the previously determined initial state.例文帳に追加

メモリが予め決定された初期状態をパワーアップする場合、フリップフロップ型ランダム・アクセス・メモリのメモリ・セルの初期状態を予め決定する方法が達成される。 - 特許庁

The read memory and the write memory of each random access memory device are updated respectively in relation to a spare read memory in common to read memories of all parallel branches and a spare write memory in common to write memories of all parallel branches.例文帳に追加

本発明は、各ランダムアクセスメモリ装置の読取りメモリと書込みメモリが、それぞれ、並列な全てのブランチの読取りメモリに共通である予備読取りメモリおよび並列な全てのブランチの書込みメモリに共通である予備書込みメモリに関連して更新されることを特徴とする。 - 特許庁

In this boot coding method, an electronic device has: a read only memory storing a first stage boot code 12; a second stage boot code 16; a boot random access memory 18 receiving the second stage boot code when executing the first stage boot code; and a system memory 20 connected to the boot random access memory, executing the second stage boot code.例文帳に追加

第１段階ブートコード（１２）を記憶するリードオンリーメモリと、第２段階ブートコード（１６）と、前記第１段階ブートコードの実行時に前記第２段階ブートコードを受信するブートランダムアクセスメモリ（１８）と、そして前記ブートランダムアクセスメモリに接続し、前記第２段階ブートコードを実行するシステムメモリ（２０）とを具備した電子デバイスを提供する。 - 特許庁