「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURE OF BURIED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY USING SELF-ALIGNMENT SILICIDE COMPOUND TECHNIQUE例文帳に追加

セルフアライン・ケイ化化合物技術を使用する埋込み形ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの製造方法 - 特許庁

To provide a direct-current mode word line coupling noise limitation circuit for a multi-port random access memory cell.例文帳に追加

マルチプルポートのランダムアクセスメモリセル用の直流モードワードラインカップリングノイズ制限回路を提供する。 - 特許庁

Registers (20, 22, 30, 32) are arranged at each of four sides of a dynamic random access memory cell array (1).例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルアレイ（１）の４辺それぞれにレジスタ（２０，２２，３０，３２）を配置する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory having a readout circuit of a small area and consuming less power.例文帳に追加

小面積で低消費電力の読み出し回路を有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT PROVIDED WITH TEST SYSTEM AND METHOD FOR DECIDING SENSITIVITY OF SENSE AMPLIFIER例文帳に追加

センスアンプの感度を決定するためのテストシステム及び方法を具備するダイナミックランダムアクセスメモリ回路 - 特許庁

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 16M.例文帳に追加

１６Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 64M.例文帳に追加

６４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR OUTPUTTING DATA FROM DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR PROVIDING DATA STROBE SIGNAL例文帳に追加

ダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリからのデータ取り出し方法、及びデータストローブ信号提供方法 - 特許庁

To provide a uni-transistor random access memory device and method for reading, writing, and refreshing.例文帳に追加

ユニ−トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの読み出し、書き込み、そしてリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory with which read errors are reduced as far as possible and a large reproduction signal can be obtained.例文帳に追加

読み出しエラーが可及的に少なくかつ大きな再生信号を得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) and a method for reading out from the MRAM with accuracy.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びＭＲＡＭを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁

The pseudo-random number generating algorithm uses only simple calculations without requiring a memory.例文帳に追加

メモリを必要とせず、単純な演算のみを使用して擬似乱数を生成するアルゴリズムを発明する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR GENERATING RANDOM NUMBER DISTRIBUTION FOR DEVICE WITH LIMITED PROCESSING AND MEMORY CAPACITY例文帳に追加

処理及び記憶能力に制限のある装置における乱数分布発生システム及び方法 - 特許庁

a tiny ferrite toroid formerly used in a random access memory to store one bit of data 例文帳に追加

以前1ビットのデータを格納するためにランダム・アクセス・メモリで使用された小さいフェライト・トロイド - 日本語WordNet

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置並びに携帯電子機器 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR HIGH-DENSITY MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING LAMINATABLE STRUCTURE例文帳に追加

積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のための方法および装置 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING DECREASED LEAKAGE CURRENT DURING ACTIVE MODE, AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

アクティブモードの間減少した漏洩電流を有するスタティックランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁

This circuit can include a monitor random access memory(RAM) (120) and a monitor circuit (130).例文帳に追加

この回路はモニタランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）（１２０）、およびモニタ回路（１３０）を含むことができる。 - 特許庁

Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition. 例文帳に追加

集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典

These controllers offer increased random access memory (RAM) from 256 Bytes to 512 Bytes and a hardware watch dog timer. 例文帳に追加

これらのコントローラは, 256バイトから512バイトに増やしたRAMと, ハードウェア・ウォッチドッグタイマとを提供します. - コンピューター用語辞典

To provide a concurrent refresh mode using distributed row address counter in a buried dynamic random access memory.例文帳に追加

埋め込みＤＲＡＭで分散行アドレス・カウンタを用いて同時リフレッシュ・モードを提供すること。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY, AND METHOD FOR OPERATION THEREOF例文帳に追加

少なくとも１つのランダムアクセスメモリアレイを含む集積回路装置およびその動作のための方法 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory using a spin injection writing method with increased speed of data writing.例文帳に追加

データ書込み速度の速いスピン注入書込み方式の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

The portable information processor is equipped with at least a random-number generating means (21) and a volatile and/or nonvolatile memory, and a generated random number is stored in the volatile and/or nonvolatile memory (5) in advance and when a random number is necessary, the random number stored in the volatile and/or nonvolatile memory is referred to and used.例文帳に追加

少なくとも乱数発生手段（２１）と揮発性及び／又は不揮発性メモリを備えた可搬情報処理装置（１）において、あらかじめ発生させた乱数を揮発性及び／又は不揮発性メモリ（５）に記憶しておき、乱数を必要とするときは前記揮発性及び／又は不揮発性メモリに記憶した乱数を参照して使用するようにしたものである。 - 特許庁

The CCD-RAW data stored in the memory 58 are read out of the memory 58 to a random noise embedding circuit 66 wherein random noise is embedded in an area of the invalid data of low-order 4 bits and afterwards the data are recorded on a memory card 64.例文帳に追加

メモリ５８に記憶されたＣＣＤ−ＲＡＷデータは、メモリ５８からランダムノイズ埋め込み回路６６に読み出され、ここで下位４ビットの無効データの領域にランダムノイズが埋め込まれたのちメモリカード６４に記録される。 - 特許庁

When a value of a random number counter is equal to a value of a current initial value memory (S34: Yes), then the random number counter is determined to have ended the renewal of one period.例文帳に追加

乱数カウンタの値と現初期値メモリとの値とが等しい場合には（Ｓ３４：Ｙｅｓ）、乱数カウンタは、１周期の更新が終了したということである。 - 特許庁

In this case, a value of a next initial value memory is written into the random number counter (S36), so an initial value for the renewal of the random number counter is randomly varied.例文帳に追加

この場合には、次初期値メモリの値が乱数カウンタに書き込まれるので（Ｓ３６）、乱数カウンタの更新の初期値がランダムに変更される。 - 特許庁

To dissolve increase in parasitic capacitance load of word lines or reduction in yield due to wiring particles in a 6-transistor SRAM (static random access memory) memory cell having a horizontal memory cell layout.例文帳に追加

横型メモリセルレイアウトの６トランジスタ型ＳＲＡＭメモリセルにおいて、ワード線の寄生容量負荷の増大や、配線パーティクルによる歩留低下を解消する。 - 特許庁

This memory control device 37 imposed between a plurality of masters M1-Mn and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) includes a memory sequence control circuit 64, and a latency improvement circuit 67 or the like.例文帳に追加

複数のマスターＭ１〜ＭｎとＤＲＡＭとの間に介在するメモリーコントローラー３７は、メモリーシーケンス制御回路６４とレイテンシー改善回路６７等を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory, etc., which are small in the number of elements and is greatly improved in scale of memory integration by laminating plural magnetic memory elements to a single transistor.例文帳に追加

単一のトランジスタに複数の磁性記憶素子を積層して、素子数が少なくメモリ集積度を大幅に向上した磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which matches an access time of a large-capacity nonvolatile memory and an access time of a random access memory, and includes the large-capacity nonvolatile memory.例文帳に追加

大容量の不揮発性メモリのアクセス時間とランダム・アクセス・メモリのアクセス時間との整合を図り、大容量不揮発のメモリを含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF TRANSISTOR AND MEMORY CELL WITH CAPACITOR, METHOD OF FORMING STACKED CAPACITOR ON UPPER SURFACE OF SILICON WAFER, AND MEMORY CELL USED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

トランジスタおよびキャパシタを含むメモリセルの形成方法、スタックトキャパシタをシリコンウェハの上表面に形成する方法、およびダイナミックランダムアクセスメモリで使用されるメモリセル - 特許庁

A DMA (Direct Memory Access) controller 17 for conducting the DMA transfer of an MAC (Memory Access Controller) frame is positioned between a RAM (Random Access Memory) 11 and an MAC layer controller 20 to reduce the load of the CPU.例文帳に追加

ＲＡＭ（１１）とＭＡＣ層コントローラ（２０）との間でＭＡＣフレームのＤＭＡ転送を行うためのＤＭＡコントローラ（１７）を設け、ＣＰＵの負荷軽減を図る。 - 特許庁

To provide an apparatus and driving method for use with multi-bank Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) circuits, modules, and memory systems.例文帳に追加

マルチバンク同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）回路、モジュール及びメモリシステムとともに使用される装置及び駆動方法を提供する。 - 特許庁

To improve access cycle time of a dynamic random access memory (DRAM) system having a plurality of memory cells constituted of rows and columns.例文帳に追加

ロウおよびカラムに編成された複数のメモリ・セルを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）システムのアクセス・サイクル・タイムを向上させる。 - 特許庁

Magnetic random access memory (MRAM) devices (100, 200, 300) include the magnetic memory cells (102, 202, 302) which can be changed between two states due to the influence of magnetic field.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100,200,300)は、磁界の影響を受けて２つの状態間で切り替わることができる磁気メモリセル(102,202,302)を含む。 - 特許庁

To provide a transistor-mounted resistor switching memory device such as a phase change random access memory (PCRAM), and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

相変化ランダムアクセスメモリ（「ＰＣＲＡＭ」）などの、トランジスタを備えた抵抗スイッチングメモリデバイス及びそのメモリデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁

The single memory therefore stores both video and graphic data and a processor, on the other hand, still accesses the random access port of the memory.例文帳に追加

従って、単一のメモリがビデオ及びグラフィックの両データを記憶し、一方、プロセッサは依然としてメモリのランダムアクセスポートにアクセスする。 - 特許庁

Then the value of the initial value setting memory is converted into a value within the updating range of a random number counter by each processing of S54 and S55, and the converted value of the initial value setting memory is written in the random number counter.例文帳に追加

次いで、Ｓ５４及びＳ５５の処理により初期値設定メモリの値を乱数カウンタの更新範囲内の値に加工し、その加工後の初期値設定メモリの値を乱数カウンタに書き込む。 - 特許庁

To attain sure maintenance of stored data in an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing the stored data from being destructed by a latch-up phenomenon even when a soft error occurs due to a neutron.例文帳に追加

ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）において、中性子によるソフトエラーが発生した場合であってもラッチアップ現象によって記憶データが破壊されることを防止して、記憶データを確実に維持できるようにする。 - 特許庁

To provide a static random access memory with a non-volatile data holding function and its operating method, where a static random access memory is made to have the non-volatile data holding function so as to be further reduced in power consumption and manufacturing cost.例文帳に追加

不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法に関し、不揮発データ保持機能を持たせることによって、さらなる低消費電力化、低価格化を実現する。 - 特許庁

As access mode for the CF/ATA card 31, a special memory space access mode wherein a common memory space is made effective is added and in the mode, a random access memory 8 is allocated to the common memory space; when the mode is selected, data stored on the CF/ATA card 31 are transferred to the memory 8 and the data in the memory 8 are accessed at random.例文帳に追加

ＣＦ／ＡＴＡカード３１へのアクセスモードとして、コモンメモリ空間を有効にした特殊メモリ空間アクセスモードなるモードを追加し、そのモードでのコモンメネリ空間に、ランダムアクセス可能なメモリ８を割り当て、前記モードの選択時には、ＣＦ／ＡＴＡカード３１に記憶のデータを前記メモリ８に転送した上で、そのメモリ８上のデータに対し、ランダムアクセスする。 - 特許庁

To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.例文帳に追加

貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁

A winning memory address pointer SP is provided to designate memory storage buffers 1 to n for storing random number values obtained at starter winnings and a varying memory address pointer HP to designate the memory storage buffers 1 to n from which the random number values are taken out at the start of varying patterns is provided.例文帳に追加

始動入賞時に取得された乱数値を格納する記憶格納バッファ１〜ｎを指定するための入賞記憶アドレスポインタＳＰと、図柄変動開始時に乱数値が取り出される記憶格納バッファ１〜ｎを指定するための変動記憶アドレスポインタＨＰとを設ける。 - 特許庁

A process ST 210 in which a value of a memory 101 is initialized before inspection is provided, after the value of the memory 101 is decided, a random pattern is applied to logic circuits 102, 103 accessing the memory 101 from a pseudo random pattern generation circuit 105.例文帳に追加

検査前にメモリ１０１の値を初期化する工程ＳＴ２０１を設けて、メモリ１０１の値を確定させた後に、メモリ１０１をアクセスする論理回路１０２，１０３に対して、擬似ランダムパタン発生回路１０５からランダムパタンを印加する。 - 特許庁