「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY OF CMOS, MEMORY CIRCUIT, AND METHOD FOR GENERATING SENSE-ENABLE SIGNAL例文帳に追加

ＣＭＯＳのスタティック・ランダム・アクセス・メモリ、メモリ回路、及び、センスイネーブル信号の発生方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR BODY, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRIC ISOLATION, AND MANUFACTURE OF MEMORY CELL例文帳に追加

半導体ボディ、ダイナミックランダムアクセスメモリならびに電気的アイソレ—ションおよびメモリセルの形成方法 - 特許庁

The writing circuit (24) for a large-scale array (10) of a memory cell (12) of the magnetic random access memory(MRAM) device (8).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(8)のメモリセル(12)の大規模なアレイ(10)のための書き込み回路(24)。 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, METHOD FOR ACCESSING SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ素子、ダイナミックランダムアクセスメモリ素子にアクセスする方法、半導体メモリ素子 - 特許庁

A semiconductor memory device includes at least: a memory cell array 11 where a plurality of memory cells MC is disposed; a random number generation circuit 16 for generating random numbers; and a controller 19 for controlling the memory cell array 11 and the random number generation circuit 16.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体記憶装置は、複数のメモリセルＭＣが配置されるメモリセルアレイ１１と、乱数（Random number）を発生させる乱数発生回路１６と、メモリセルアレイ１１および乱数発生回路１６を制御するコントローラ１９とを少なくとも具備する。 - 特許庁

In this information processor, a cache memory 11, DRAM (dynamic random access memory) 20 and a flash memory 30 are connected to respective system buses.例文帳に追加

キャッシュメモリ１１と、ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）２０と、フラッシュメモリ３０とを各々システムバスに接続する。 - 特許庁

In some embodiments, the MLC memory cell comprises a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

いくつかの実施形態においては、ＭＬＣメモリセルは、スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルを備える。 - 特許庁

A memory such as RAM(Random Access Memory) is built in a character string comparator circuit 2 and in this memory, a character string corresponding to the communication protocol class is stored while fixing an address for each communication protocol class.例文帳に追加

文字列比較回路２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを内蔵し、このメモリには通信プロトコル種別に対応した文字列を、その通信プロトコル種別毎にアドレスを固定して記憶している。 - 特許庁

To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.例文帳に追加

相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁

RANDOM NUMBER GENERATION METHOD AND CIPHER COMMUNICATION METHOD AS WELL AS MEMORY MEDIUM STORING RANDOM NUMBER GENERATION PROGRAM例文帳に追加

乱数発生方法及び暗号通信方法並びに乱数発生プログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁

POWER-SAVING REFRESHING CIRCUIT FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力リフレッシュ回路および方法 - 特許庁

DRIVING CIRCUIT FOR NONVOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動回路及び駆動方法 - 特許庁

To provide a magnetic random-access memory, having reference magneto-resistance.例文帳に追加

基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリを提供すること。 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF WRITING DATA THEREOF例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法 - 特許庁

The device (8) can be made as a magnetic random access memory ('MRAM') device.例文帳に追加

データ記憶デバイス(8)は磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)デバイスとすることができる。 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY EQUIPPED WITH TRENCH CAPACITOR, AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

トレンチキャパシタを備えたダイナミック・ランダムアクセスメモリとその製造方法 - 特許庁

EMBEDDED CONTACT BAND, FORMING METHOD THEREFOR AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

埋め込み接触帯とその形成方法及び動的随時アクセスメモリ - 特許庁

To reduce the memory band width for random addressing of a block data.例文帳に追加

ブロックデータのランダムアドレッシング用のメモリ帯域幅を減少させる。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 - 特許庁

A random access memory and a fuse array use the same active material.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリとヒューズアレイは同一の有効材料を使用する。 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE OF ENHANCED-BUS TURNAROUND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

エンハンスド・バス・ターンアラウンド集積回路ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR CORRECTING SOFT ERROR IN RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

ランダムアクセスメモリ装置におけるソフトエラーを補正するシステム及び方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MEASURING METHOD FOR PSEUDO STATIC NOISE MARGIN例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ、および擬似スタティックノイズマージンの計測方法 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR ACCESSING FOUR-CONDUCTOR MAGNETISM RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

４導体磁気ランダムアクセスメモリにアクセスするためのシステム及び方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND DATA READ METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ読み出し方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PERFORMING STANDBY MODE IN RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ランダムアクセスメモリにおいてスタンバイモードを実行するための方法と装置 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory having small parasitic capacitance.例文帳に追加

寄生容量の少ない強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

An object set is stored in a memory such as a nonvolatile random access memory in a data processing system.例文帳に追加

オブジェクトの組が、データ処理システム内の不揮発性ランダム・アクセス・メモリなどのメモリに記憶される。 - 特許庁

The resistive memory cells 170, 173, 175, 177 are provided with magnetic random access memory cells 265 connected electrically to a diode 260.例文帳に追加

抵抗性メモリセル(170,173,175,177)は、ダイオード(260)に電気的に接続される磁気ランダムアクセスメモリセル(265)を備える。 - 特許庁

To increase the operating speed of a microcomputer device having a flash memory and a random access memory.例文帳に追加

フラッシュメモリとランダムアクセスメモリを有するマイクロコントローラ装置において、動作速度を高速化すること。 - 特許庁

A magnetic random access memory (MRAM) (100) includes an array of magnetic memory cells (102) arranged on intersection grids (104, 106, 108).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)(100)は、交点グリッド(104,106,108)上に配列された磁気メモリセル(102)のアレイを含む。 - 特許庁

To simply and inexpensively manufacture a resistor for taking a measure against a soft error in an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのソフトエラー対策用の抵抗体を簡単且つ安価に提供する。 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH EASY AXIS BIASING WITH STACKED TOGGLE MEMORY CELLS OPPOSITELY DIRECTED THEREIN例文帳に追加

積層されたトグルメモリセルが反対に方向付けられた容易軸バイアスを有する磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

When data read is stored in the random access memory, the device for controlling storage device reads the read data from the random access memory; and when read data is stored in the first storage device, the device for controlling storage device copies the read data in the random access memory, and reads the read data from the random access memory.例文帳に追加

記憶装置管理装置は、読み出しデータがランダムアクセスメモリに格納されている場合、読み出しデータをランダムアクセスメモリから読み出し、読み出しデータが第１記憶装置に格納されている場合、読み出しデータをランダムアクセスメモリにコピーし、読み出しデータをランダムアクセスメモリから読み出す。 - 特許庁

A random access memory array includes first random access memory elements arranged in a plurality of rows and columns for storing data words at a multiple memory locations.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリアレイは、複数のメモリ位置においてデータワードを格納するために複数個の行及び列に配列された第一ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁

A method and an apparatus are provided for writing data to a magnetic memory cell such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリセルへデータを書込むための方法および装置。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY例文帳に追加

半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁

A method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND CIRCUIT AND METHOD FOR DATA SENSING OF THE SAME例文帳に追加

マグネチックランダムアクセスメモリ及びそのデータセンシング回路とデータセンシング方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリおよびその動作方法およびその製造方法 - 特許庁

To prevent complex configuration of a prefetch circuit in a multiport MRAM (magnetic random access memory).例文帳に追加

マルチポートＭＲＡＭにおいて、プリフェッチ回路の複雑化を防止する。 - 特許庁