「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application 例文帳に追加

MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

DISTRIBUTED MEMORY ARRAY SUPPORTING RANDOM ACCESS AND FILE STORAGE OPERATIONS例文帳に追加

ランダムアクセス動作及びファイル格納動作をサポートする分散型メモリアレイ - 特許庁

EQUI-POTENTIAL SENSING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING SERIES DIODE例文帳に追加

直列ダイオードを有する磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の等電位センシング - 特許庁

INVERTER, SEMICONDUCTOR LOGIC CIRCUIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DATA LATCH CIRCUIT例文帳に追加

インバータ、半導体論理回路、スタティックランダムアクセスメモリ、及びデータラッチ回路 - 特許庁

2T-1C TYPE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

２Ｔ−１Ｃ型強誘電体ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY(DRAM) AND FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY(FERAM)例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び強誘電性ランダムアクセスメモリ（ＦＥＲＡＭ）用の３次元的金属—絶縁体—金属コンデンサを製造する方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, ELECTRONIC APPARATUS, PRODUCTION PROCESS OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, AND PRODUCTION PROCESS OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁

The random number generation circuit 16 includes a random number control circuit 162 for generating a random number parameter (PRESET) based on results of reading the memory cell MC by a generated control parameter (read voltage parameter) and a pseudo random number generation circuit 161 for generating random numbers using the random number parameter (PRESET) as a seed value.例文帳に追加

乱数発生回路１６は、生成した制御パラメータ（Read voltage parameter）によりメモリセルＭＣを読み出した結果にもとづく乱数パラメータ（PRESET）を生成する乱数制御回路１６２と、乱数パラメータ（PRESET）をシード値として用いて乱数（Random number）を発生させる擬似乱数生成回路１６１とを備える。 - 特許庁

To allow a memory hub permit a graphics processor to access random access memories such as dynamic random access memories (DRAMs).例文帳に追加

メモリハブがグラフィックス処理装置にダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）などランダムアクセスメモリへのアクセスを提供すること。 - 特許庁

To provide a technique of forming a memory cell in a magnetic random access memory (MRAM) while suppressing oxidation of a ferromagnetic film in the memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell which has high selectivity of the memory cell and a large margin of write current and to provide a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

メモリセルの選択性が高く、書き込み電流のマージンの大きいメモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of scan path registers are connected by an array of static random access memory (SRAM) units of a plurality of memory cells.例文帳に追加

複数のスキャンパスレジスタは、複数のメモリセルからなるスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイによって接続される。 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL WITH DUAL JUNCTION FOR TERNARY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY AND READING AND WRITING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

三値連想メモリ用デュアル接合式磁気ランダムアクセスメモリセルとそのメモリセルの書込み及び読出し方法 - 特許庁

To realize high speed of read-operation of a semiconductor memory, especially, a static random access memory(SRAM).例文帳に追加

半導体記憶装置、特にスタティック・ランダム・アクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のリード動作の高速化を実現すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and a programming method for a non-volatile memory cell of a multi-bit magnetic random access memory cell.例文帳に追加

マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルの不揮発性メモリセルのための装置およびプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes a plurality of memory cells 1 for storing the information, according to the inside magnetization direction.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、内部の磁化方向に応じて情報を記憶する複数のメモリセル１を含む。 - 特許庁

To enlarge the operation margin of a memory cell of a flip-flop type such as a static type random access memory (SRAM).例文帳に追加

スタティック型ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のようなフリップフロップ型のメモリセルの動作マージンを拡大する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

The output pseudo random numbers P0-P03 are stored in a buffer memory 11.例文帳に追加

出力された疑似乱数Ｐ０〜Ｐ３は、バッファメモリ１１に格納される。 - 特許庁

To provide a resistance random access memory element achieving small variations in switching characteristics and suitable for high integration, and to provide a method of controlling the resistance random access memory element.例文帳に追加

スイッチング特性のバラツキが小さく高集積化に適した抵抗変化型メモリ素子および抵抗変化型メモリ素子制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a static random access memory further stabilized for reading.例文帳に追加

向上した読み取り安定性を有する静的ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistance random access memory element equipped with an n+ interface layer.例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-port memory of a clock synchronizing system which can perform random access, which respect to a multi-port memory, having plural random access ports.例文帳に追加

本発明は、複数のランダムアクセスポートを有するマルチポートメモリに関し、ランダムアクセス可能なクロック同期式のマルチポートメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

A refresh control circuit 10 receives an interrupt signal REFTEND which requests the refresh of a dynamic random access memory DRAM 200 and is asserted at a specified timing.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路１０は、所定のタイミングごとにアサートされるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２００のリフレッシュを要求する割込信号ＲＥＦＴＥＮＤを受ける。 - 特許庁

FLASH MEMORY SYSTEM CAPABLE OF INPUTTING/OUTPUTTING SECTOR-BY-SECTOR DATA AT RANDOM例文帳に追加

データをセクタ単位にランダムに入出力することができるフラッシュメモリシステム - 特許庁

EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a magnetic random access memory element which has higher speed and is more efficient.例文帳に追加

より高速でより効率的な磁気ランダムアクセスメモリ要素を提供する。 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH NON-VOLATILE DATA HOLDING FUNCTION AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法 - 特許庁

The device for controlling storage device 3 is connected to a random access memory 4a and to a first storage device 4b, having a smaller number for upper limit on rewriting than for the random access memory.例文帳に追加

記憶装置管理装置３は、ランダムアクセスメモリ４ａと、これより少ない書き換え上限回数の第１記憶装置４ｂと接続される。 - 特許庁

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT SUCH AS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM)例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）等の集積回路用の基準電圧発生器 - 特許庁

FERROMAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS READING/WRITING OPERATION CONTROL METHOD例文帳に追加

強誘電体ランダムアクセスメモリ装置及びそのリード／ライト動作制御方法 - 特許庁

Execution means executes program codes of the program modules transferred to the random access memory by the transfer means, on the random access memory.例文帳に追加

実行手段は、前記転送手段により前記ランダムアクセスメモリに転送された前記プログラムモジュールのプログラムコードを前記ランダムアクセスメモリ上で実行する。 - 特許庁

To provide a dynamic random access memory system having bank conflict avoidance features.例文帳に追加

バンク衝突回避機能を備える動的ランダムアクセスメモリシステムを提供する。 - 特許庁

A receiving-side terminal 2 generates random number ID information 63, by using identification information unique to a USB memory 6 and random numbers, and retains it in the USB memory 6.例文帳に追加

受取側端末２は、ＵＳＢメモリ６固有の識別情報および乱数を用いて乱数ＩＤ情報６３を生成し、ＵＳＢメモリ６に保管する。 - 特許庁

A control unit 11 of the television receiver 100 has a CPU (central processing unit) 12, a RAM (Random Access Memory) 13, storage unit 14, or the like, for example, as shown in Fig.2.例文帳に追加

テレビジョン受像機１００の制御部１１は、例えば、図２に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１２，ＲＡＭ（Random Access Memory）１３，記憶部１４等を備えている。 - 特許庁

An IDRAM (ID random access memory) 13 stores the value held by the fuse circuit 12 as an ID.例文帳に追加

ＩＤＲＡＭ１３はヒューズ回路１２の保持値をＩＤとして記憶する。 - 特許庁

The page buffer circuit has two planes consisting of a random access memory array.例文帳に追加

ページバッファ回路は、ランダムアクセスメモリアレイからなる２つのプレーンを有している。 - 特許庁

NON-VOLATILE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PLATE LINE DRIVING METHOD例文帳に追加

不揮発性強誘電体ランダムアクセスメモリ装置及びプレートライン駆動方法 - 特許庁

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING HIGH BANDWIDTH AND OCCUPYING SMALL AREA例文帳に追加

高帯域幅を有し且つ小さな領域を占めるスタティックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁

DIELECTRIC FILM, CAPACITOR PROVIDED WITH THE FILM AND RANDOM ACCESS MEMORY PROVIDED WITH THE CAPACITOR例文帳に追加

誘電体膜、それを備えたキャパシタ及びそれを備えたランダムアクセスメモリ - 特許庁

CONCURRENT REFRESH MODE USING DISTRIBUTED ROW ADDRESS COUNTER IN BURIED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

埋め込みＤＲＡＭでの分散行アドレス・カウンタを用いた同時リフレッシュ・モード - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY HAVING REFERENCE MAGNETO-RESISTANCE AND READ-OUT METHOD THEREFOR例文帳に追加

基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリ及びその読出し方法 - 特許庁