「random memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The device is the semiconductor memory device constituted by arranging NAND strings in which a plurality of electrically rewritable non-volatile memory cells are connected in series, the device has a first data region and a second data region which has smaller capacity than that of the first data region and achieves high speed random access.例文帳に追加

複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続されたＮＡＮＤストリングを配列して構成される半導体記憶装置であって、第１のデータ領域と、前記第１のデータ領域に比べて小容量でかつ高速のランダムアクセスが可能な第２のデータ領域とを有する。 - 特許庁

A storage frame into a reference frame memory 18 and coding parameters D, S thereof are determined so that a decoding processing load may be within a permissible range for all the speeds instructable in the double speed/random reproduction in start of coding during an H.264 encoding processing process, and a reference frame memory history table 24 is created and updated.例文帳に追加

Ｈ．２６４エンコード処理過程で、符号化開始時に、倍速／ランダム再生で指示可能とする全速度について、デコード処理負荷が許容範囲内となるように、参照フレームメモリ１８への保存フレームとその符号化パラメータＤ，Ｓを決定し、参照フレームメモリ履歴テーブル２４を作成更新する。 - 特許庁

The solid state storage device 100 is constituted by comprising a memory device 114 including any one of an atomic resolution storage device (ARS) and a magnetic random access memory (MRAM), a controller 400, and an integrated connector 104 to be used for directly connecting the storage device 100 with the other device.例文帳に追加

原子分解能記憶装置（ＡＲＳ）と磁気ランダム・アクセス・メモリ装置（ＭＲＡＭ）とのいずれか１つを含むメモリ装置１１４と、コントローラ４００と、記憶装置１００を別の装置に直接に接続するために使用される一体型コネクタ１０４とを含んでなる固体記憶装置１００を提供する。 - 特許庁

In an H.264 encoding processing process, at the start of encoding, a storage frame to a reference frame memory 18 and encoding parameters D and S are determined so that a decoding processing load is within an allowable range on entire speed that can be instructed in the double-speed/random reproduction, and a reference frame memory history table 24 is created/updated.例文帳に追加

Ｈ．２６４エンコード処理過程で、符号化開始時に、倍速／ランダム再生で指示可能とする全速度について、デコード処理負荷が許容範囲内となるように、参照フレームメモリ１８への保存フレームとその符号化パラメータＤ，Ｓを決定し、参照フレームメモリ履歴テーブル２４を作成更新する。 - 特許庁

When read-out is performed and memory elements on the same bit line are selected continuously, read-out of next memory element can be performed during the resetting of bit line voltage after read-out by switching a read-out bit line by switching selection transistors TL or TR, high speed random read-out can be performed.例文帳に追加

読み出し時、連続で同一ビット線上の記憶素子が選択された場合、選択トランジスタＴＬとＴＲを切り換えにより読み出すビット線を切り換えることで、読み出し後のビット線電圧をリセットしている間に、次の記憶素子の読み出しが可能となり、高速なランダム読み出しが可能となる。 - 特許庁

A main control device of a Pachinko machine makes an alternative decision of a big win or not according to an inner random counter value while it suspends establishment of a starting condition (S206), and it stores the alternative decision in a vacant memory area (S207).例文帳に追加

パチンコ機のメイン制御装置は、始動条件の成立を保留する際に内部乱数カウンタ値に基づいて大当りか否かの当否判定を行い（Ｓ２０６）、その当否判定結果を空き記憶エリアに格納する（Ｓ２０７）。 - 特許庁

To previously and speedily grasp the presence of a big win in a random number count value for judging the big win which is already extracted with respect to a starting memory with appearing patterns and to make a player physically feel that a winning appearing pattern is coming up.例文帳に追加

始動メモリに対して既に抽出されている大当り判定用乱数カウント値に大当りがあることを事前に出目で把握可能にすることを迅速に行うとともに、当り出目が近づいてくることを体感させる。 - 特許庁

A pixel replacement part 7b performs the pixel replacement processing using random number generation to the background part of the signal part and the background part separated in the separation part 7a, and writes an image subjected to the pixel replacement processing, in a memory 7c.例文帳に追加

画素入替部７ｂは、分離部７ａで分離された信号部分と背景部分のうち、背景部分について、乱数発生を用いて画素の入れ替え処理行い、画素の入れ替え処理が行われた画像をメモリ７ｃに書き込む。 - 特許庁

A magnetic random access memory includes a magnetic recording layer 10 which is a ferromagnetic layer having vertical magnetic anisotropy, a pin layer 30, and a non-magnetic tunnel barrier layer 32 provided between the magnetic recording layer 10 and the pin layer 30.例文帳に追加

本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、垂直磁気異方性をもつ強磁性層である磁気記録層１０と、ピン層３０と、磁気記録層１０とピン層３０との間に設けられた非磁性のトンネルバリア層３２とを具備する。 - 特許庁

In this method for inserting an electronic seal into contents of a document in a computer system by using an electronic key, the electronic key is provided with a memory which stores random parameters, and the computer system is provided with a storage device and an add-in program.例文帳に追加

電子キーを利用して電子印鑑をコンピューターシステムにおける書類の内容に差し込む方法を提供し、電子キーがランダムパラメーターを貯蔵したメモリーを具え、コンピューターシステムは貯蔵装置とアドインプログラムとを具える。 - 特許庁

To suppress conventional overheads for rewriting of operation setting to a RAM (Random Access Memory) after transfer of an operational state when transferring from a normal operational state to a power-saving state in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、通常の動作状態から省電力状態に移行した際に、従来における動作状態の移行後にあるＲＡＭへの動作設定の書き換えのためのオーバーヘッドを抑えることを目的とする。 - 特許庁

The combination part 8 reads the tones and rhythms out of the first memory 4 and selects one sound out of n×n kinds formed by the combination of n kinds of tone and n kinds of rhythms based on the output random numbers.例文帳に追加

組み合わせ部は、出力された乱数に基づいて、第１の記憶装置から音色とリズムを読み出し、ｎ種類の音色とｎ種類のリズムとを組み合わせてなるたｎ×ｎ種類の音のなかから一つの音を選択する。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) cell circuit which makes a dedicated read line unnecessary by suppressing limiting conditions on transistor dimensions in ensuring certain write operation and read operation and reducing the number of transistors used, and to provide its driving method.例文帳に追加

書き込み動作や読み出し動作を確実にすることに伴うトランジスタ寸法への制約条件を抑制し、使用トランジスタ数を少なくし、読み出し専用線を不要とするＳＲＡＭセル回路およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

An FPD correction part 154 generates a correction YUV 203, in which the FPD is corrected, from an FPD YUV 202 (image data converted from FPD RAW 201), in which the FPD is caused, and stores it in a DRAM (Dynamic Random Access Memory) 119.例文帳に追加

ＦＰＤ補正部１５４は、このＦＰＤが生じたＦＰＤ ＹＵＶ２０２（ＦＰＤ ＲＡＷ２０１から変換された画像データ）から、ＦＰＤが補正された補正ＹＵＶ２０３を生成してＤＲＡＭ１１９に記憶する。 - 特許庁

Particularly, when the layer 4 nearer to a substrate is larger than the layer 8, the layer 8 can be formed stably above the layer 4 without flattening the layer 8 in the manufacturing process of the magnetic random access memory.例文帳に追加

特に、基板に近い強磁性層４が自由強磁性層８よりも大きいと、製造プロセスにおいて平坦化することなく、自由強磁性層８を安定的に強磁性層４の上方に形成することが可能となる。 - 特許庁

Test input of the random pattern and an output from the memory 101 compose a test input of the logic circuit 103, it is decided whether a fault exists or not by taking the output response into a compression circuit 106 and comparing it with an expected value.例文帳に追加

ランダムパタンのテスト入力と、メモリ１０１からの出力を論理回路１０３のテスト入力とし、その出力応答を圧縮回路１０６に取り込んで期待値と比較することで、不良があったかどうかを判断する。 - 特許庁

One of the source area and drain area of a TFT 21 for selection is connected to one of source signal lines 23 and the other is connected to the input side of an SRAM (static random access memory) 24, whose output side is connected to a light emitting element 25.例文帳に追加

選択用ＴＦＴ２１のソース領域とドレイン領域のうち、一方をソース信号線２３の１つと、他方をＳＲＡＭ２４の入力側とそれぞれ接続し、ＳＲＡＭ２４の出力側と発光素子２５とを接続する。 - 特許庁

When an CPU (Central Processing Unit) 10 stores job data necessary for executing a job, the CPU 10 performs encryption of the job data and then stores a part 42 of the encrypted job data in a RAM (Random Access Memory) 14 and stores the remaining file to be stored 40 in a HDD (Hard Disk Drive) 16.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、ジョブの実行に必要なジョブデータを保存する際には、そのジョブデータに暗号化を施した上で、その一部分４２をＲＡＭ１４に格納し、残りの格納ファイル４０をＨＤＤ１６に格納する。 - 特許庁

A win/loss judgment table memory means 110 stores the normal judgment table and a special judgment table with which the judgment of the win should be made at a higher probability than that with the normal judgment table as the win/loss judgment tables for judging the win or loss for the special pattern random numbers.例文帳に追加

当否判定テーブル記憶手段１１０は、特図乱数の当否を判定するための当否判定テーブルとして、通常判定テーブルとそれよりも高い確率で当たりと判定すべき特殊判定テーブルを記憶する。 - 特許庁

The IC includes a dynamic random access memory (DRAM) for storing at least one of graphic pixel data and video pixel data, and a pixel data unit (PDU) for processing the pixel data, integrated in the same integrated circuit (IC) chip as the DRAM.例文帳に追加

グラフィック画素データとビデオ画素データの少なくとも１つを記憶するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）と、画素データを処理するための画素データユニット（ＰＤＵ）とから構成され、ＤＲＡＭと同じ集積回路（ＩＣ）チップに集積される。 - 特許庁

Broadcast programs, within the past sixty minutes or two weeks from the present time, are recorded in a hard disk being a random access memory, and if a reviewing request is received during recording operation, recording and reproduction is performed alternately to perform reproduction, while performing recording.例文帳に追加

現在日時から過去６０分以内あるいは２週間以内の放送番組はランダムアクセスメモリであるハードディスクに記録し、記録動作中に閲覧要求があるときは、記録と再生を交互に行って、記録をしつつ再生をする。 - 特許庁

The ferroelectric random-access memory of the present invention has a ferroelectric capacitor formed by laminating a lower electrode, a PZT film and an upper electrode including SrRuO_3, and the PZT film includes pinholes at densities of less than or equal to about 17 holes/μm^2.例文帳に追加

本発明の強誘電体ランダムアクセスメモリ装置は、下部電極と、PZT膜と、SrRuO_3を含む上部電極の積層により形成された強誘電体キャパシタを有し、PZT膜は、約１７個／μｍ^２以下の密度のピンホールを含む。 - 特許庁

To especially ensure capacitance of a capacitor and easily form a contact which is formed on a portion except a capacitor forming part, concerning a semiconductor device having the capacitor of concave structure in a DRAM (dynamic random access memory) mixed loading device etc.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部混載デバイスなどにおけるコンケーブ構造のキャパシタを有する半導体装置に関し、特にキャパシタの容量を確保するとともに、キャパシタ形成部以外の箇所に形成されるコンタクト部の形成を容易行うものである。 - 特許庁

The single chip display processor is constituted of a dynamic random access memory (DRAM) storing at least one of graphic pixel data and video pixel data and a pixel data unit (PDU) for processing the pixel data and is integrated on the same integrated circuit (IC) as the DRAM.例文帳に追加

グラフィック画素データとビデオ画素データの少なくとも１つを記憶するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）と、画素データを処理するための画素データユニット（ＰＤＵ）とから構成され、ＤＲＡＭと同じ集積回路（ＩＣ）チップに集積される。 - 特許庁

The contiguous ranges of clusters in the linked list of clusters are compressed into packed records, each including location information of a first cluster and length information of a contiguous range of clusters; and the packed records are stored into a random access memory in order.例文帳に追加

クラスタのリンク・リストにおけるクラスタの隣接領域がパック・レコードに圧縮され、各々は、第１のクラスタの位置情報と、クラスタの隣接領域の長さ情報とを含み、パック・レコードは、ランダム・アクセス・メモリに順番に記憶される。 - 特許庁

In a step S1, FAT blocks corresponding to a size to the capacity of a synchronous dynamic random access memory (SDRAM) for the FAT blocks are copied in the SDRAM for the FAT blocks in order from the head side out of the FATs recorded in the information recording medium.例文帳に追加

ステップＳ１で、情報記録媒体に記録されているＦＡＴのうち、先頭側から順に、ＦＡＴブロック用ＳＤＲＡＭの容量に対するサイズに対応するＦＡＴブロックを、ＦＡＴブロック用ＳＤＲＡＭにコピーさせる。 - 特許庁

A CPU (Central Processing Unit) 4 reads encrypted data 16, makes a cipher circuit 6 decrypt them to generate plain text data 17, makes a scramble circuit 14 perform scramble processing using a scramble key, and temporarily stores them in a secure RAM (Random Access Memory) 13.例文帳に追加

ＣＰＵ４は、暗号化データ１６を読み出し、暗号回路６に復号化させて平文データ１７を生成し、スクランブル回路１４によりスクランブルキーを使用したスクランブル処理を行わせ、セキュアＲＡＭ１３に一時記憶する。 - 特許庁

Also, identification information matched with the detected identification information is selected from the identification information of the call origin, stored in the printing cooler table of a RAM(random access memory) 6 beforehand and a printing color made to correspond to the identification information is selected.例文帳に追加

また、ＲＡＭ６の印字色テーブルに予め記憶された発信元の識別情報の中から、検出された識別情報に合致する識別情報を選択し、該識別情報に対応付けられた印字色を選択する。 - 特許庁

To prevent writing errors of TMR elements having a small writing margin, by equalizing to each other the values of the writing currents flowing through the writing wirings formed in the array of the respective stages of the laminated cell array of a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリの積層セルアレイの各段アレイに形成された書き込み配線に流れる書き込み電流の値を各段で等しくなるようにし、書き込みマージンの少ないＴＭＲ素子の誤書き込みを防止する。 - 特許庁

To attain the high speed of a synchronous DRAM(dynamic type random access memory) or the like by suppressing the generation of hot carriers in a data input buffer and a data output buffer or the like without incurring an access delay especially at the munimum side of an external power source voltage VDD.例文帳に追加

特に外部電源電圧ＶＤＤのミニマム側でのアクセス遅延を招くことなく、データ入力バッファ及びデータ出力バッファ等におけるホットキャリアの発生を抑制し、シンクロナスＤＲＡＭ等の高速化を図る。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where the upper electrode 18 of a capacitor is brought into contact with the junction layer of a transistor by a barrier metal 20 through the intermediary of a polysilicon 21 when a wiring for connecting a ferroelectric capacitor to a transistor of an Fe RAM(ferro random access memory) is formed.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭの強誘電体キャパシタとトランジスタとの接続のための配線形成時に、キャパシタの上部電極１８は、障壁金属２０によってトランジスタの接合層にポリシリコン２１を通じてコンタクトがなされる。 - 特許庁

A semiconductor storage device is equipped with the RAM (random access memory) (10), the ODT (on die termination) circuit (30), and a JTAG (joint test action group) circuit (20).例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）（１０）と、ＯＤＴ（Ｏｎ Ｄｉｅ Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）回路（３０）と、ＪＴＡＧ（Ｊｏｉｎｔ Ｔｅｓｔ Ａｃｔｉｏｎ Ｇｒｏｕｐ）回路（２０）と、を具備している。 - 特許庁

The wiring patterns respectively connected to the memory circuit 10 are wired at random in a multilayer wiring structure formed on each circuit block to make the wiring of the wiring patterns longer than the wiring to be formed on the shortest path.例文帳に追加

そしてメモリ回路１０のそれぞれに接続される配線パターンが、回路ブロック上に形成される多層配線構造においてランダムに配線されることにより、配線パターンの配線長が最短経路よりも長く形成される。 - 特許庁

On this DRAM (dynamic random access memory) chip, a polysilicon wiring layer (p-Si) is used to form a line 3 of an external ground voltage ext.VSS, and first and second aluminum wiring layers (Al1, Al2) are used to form lines 4 and 5 of an external power voltage ext.VCC.例文帳に追加

このＤＲＡＭチップでは、ポリシリコン配線層（ｐ−Ｓｉ）で外部接地電位ｅｘｔ．ＶＳＳのライン３を形成し、第１および第２のアルミ配線層（Ａｌ１，Ａｌ２）で外部電源電位ｅｘｔ．ＶＣＣのライン４，５を形成する。 - 特許庁

In the case of state restoration processing, the CPU sends initial commands for restoring a controlled state of each subboard according to data stored in a backup RAM(random access memory) area and a command sending table at a backup.例文帳に追加

また、状態復旧処理を行う場合には、ＣＰＵは、バックアップＲＡＭエリアに格納されていたデータ、およびバックアップ時コマンド送信テーブルに従って、各サブ基板の制御状態を復旧させるための初期コマンドを送信する。 - 特許庁

When the image forming apparatus receives the information acquisition instruction (S103), the image forming apparatus decides whether the reception is reception by power line communication (S104), and reads information stored in a RAM (Random Access Memory) based on a decision result (S105, S106).例文帳に追加

画像形成装置では、情報取得命令を受信すると（Ｓ１０３）、電力線通信による受信か否かを判断し（Ｓ１０４）、判断結果を基に、ＲＡＭに保存されている情報を読み出す（Ｓ１０５，Ｓ１０６）。 - 特許庁

An authentication apparatus 200 has a processor 208, at least one activator 204 coupled to the processor 208, an internal clock 212, a random number generator 216, an optional additional static memory 220 and a signal output 224, and generates a digital signature using a current time (time identifier), an identified secrete key, and a generated random number, which are called secure identifiers, and issues it.例文帳に追加

プロセッサ２０８とプロセッサ２０８に結合された少なくとも１つの起動器２０４、内部クロック２１２、乱数生成器２１６、任意の付加的なスタティックメモリ２２０、および信号出力２２４を有する認証装置２００において、安全な識別子と呼ばれる、現在の時間（時間識別子）、識別された秘密鍵、および生成された乱数を用いて、デジタル署名を生成し、発行する。 - 特許庁

Moreover, key signals K4 and K3 from a memory 37 are supplied to random signal generating circuits 41 and 42 as initial values, and a frame synchronizing signal from the separating circuit 24 is detected by a detecting circuit 43, and supplied to generating circuits 41 and 42.例文帳に追加

さらにメモリ３７からのキー信号Ｋ_4、Ｋ_3 がそれぞれランダム信号発生回路４１、４２に初期値として供給され、また分離回路２４からのフレーム同期信号が検出回路４３で検出されて発生回路４１、４２に供給される。 - 特許庁

Since data can be sent in advance to the upstream section of a data path for writing at the time of performing late writing operation, the random cycle time at writing time can be shortened by making the writing speed of data in a memory cell faster in the next write cycle.例文帳に追加

レイトライト動作において、書き込みのデータパスにおける上流部側に予めデータを送り込むことができるので、次のライトサイクルにおいて、メモリセルにデータを書き込む動作を高速化して書き込み時のランダムサイクルタイムを短縮できる。 - 特許庁

To increase a manufacturing yield of a Ti-Al alloy target for forming a film such as a Ti-Al-N film used for FeRAM (Ferroelectrics Random Access Memory) or DRAM, besides reducing an amount of the impurities, and to enhance the film quality.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。 - 特許庁

The correlation arithmetic results are sequentially stored in prescribed addresses of a random access memory 31, arithmetic circuits 32, 33 read the stored data and process the data to apply correlation arithmetic operations to division codes A, B and a filter output is obtained on the basis of the arithmetic results.例文帳に追加

この相関演算結果をランダムアクセスメモリ３１の所定番地に順次記憶し、記憶データを読み出して演算回路３２，３３で処理して、分割符号Ａ及びＢとの相関演算を行い、これら演算結果に基づいてフィルタ出力を得る。 - 特許庁

Since the random access memory 36d stores no destination telephone number stored in the mobile phone HN but stores the address number, a storage means needing a high storage capacity is not required and number of components can be reduced.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリ３６ｄには、携帯電話機ＨＮに記憶されている相手先電話番号を記憶するのではなく、アドレス番号を記憶するので、記憶容量の大きな記憶手段を不要にし、部品点数の低減等を図ることができる。 - 特許庁

In a picture data processor constituted of a key input part 1, an encoder 2, a decoder 3, a control unit 4, a data input part 5, a pseudo random number generating part 6, and a memory 7, data for verifying forgery are invisibly embedded in digital picture data.例文帳に追加

例えば、鍵入力部１、エンコード部２、デコード部３、制御部４、データ入力部５、疑似乱数発生部６、メモリ７、を有して構成される画像データ処理装置において、デジタル画像データに改ざんを検証するためのデータを非可視的に埋め込む。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) in which the set value of writing current in a writing test mode is switched to a value smaller than and a value larger than those in normal use to realize evaluation of an erroneous margin or a writing margin resulting in the high reliability of the MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおいて、書き込みテストモードにおいて書き込み電流の設定値を、通常使用時よりも小さい値と大きい値を切り替えて誤書き込みマージンや書き込みマージンを評価することを可能とし、高信頼性を実現する。 - 特許庁

To increase a manufacturing yield of a Ti-Al alloy target for forming a film such as a Ti-Al-N film used for FeRAM (Ferroelectrics Random Access Memory) or DRAM, besides reducing an amount of the impurities, and to enhance the film quality.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。 - 特許庁