「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper shield layer has a second exchange coupling magnetic field application layer and a second antiferromagnetic layer which is antiferromagnetically coupled with the second exchange coupling magnetic field application layer.例文帳に追加

上部シールド層は、第2の交換結合磁界印加層と、第2の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第2の反強磁性層と、を有している。 - 特許庁

A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.例文帳に追加

第二ガス拡散層１０と第一ガス拡散層２２との界面には、第二ガス拡散層１０の端面からＬの距離に渡って、第二シール層１３が延在する。 - 特許庁

In this edge emission type semiconductor laser, a second waveguide layer 2 adjoins a second mantle layer 5, and the active layer is not embedded in the second waveguide layer.例文帳に追加

エッジ発光型半導体レーザでは第２の外套層（５）に第２の導波体層（２）が隣接しており、この第２の導波体層にはアクティブ層が埋め込まれていない。 - 特許庁

A second non-magnetic layer, a third ferromagnetic layer and a second anti- ferromagnetic layer can be stacked on the second ferromagnetic layer in order.例文帳に追加

また前記第二の強磁性体層上に、更に第二の非磁性体層、第三の強磁性体層及び第二の反強磁性体層を順に積層しても構わない。 - 特許庁

Lamination direction of the first fixed layer, first tunnel insulating film and first free layer is opposite from the lamination direction of the second fixed layer, second tunnel insulating film and second free layer.例文帳に追加

第１固定層、第１トンネル絶縁膜および第１自由層の積層方向は、第２固定層、第２トンネル絶縁膜および第２自由層の積層方向と逆である。 - 特許庁

The second pillar has a second monitor pad exposed on the surface of the insulating layer, and the second wiring layer has a second bonding pad exposed on the side surface of the insulating layer.例文帳に追加

第２ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第２のモニタパッドを有し、第２配線層は、絶縁層の側面に露出した第２のボンディングパッドを有する。 - 特許庁

A second layer having a second material is formed on the second surface of the wafer so that a portion of the second layer contacts the portion of the first layer exposed in the trench.例文帳に追加

第２の層の一部が、トレンチ内で露出された第１の層の部分に接触するように、ウェハの第２の面上に、第２の材料を有する第２の層を形成する。 - 特許庁

At the second layer forming process S3, a second layer 20 is formed on the first layer 10 and on the hollow portion 11.例文帳に追加

第２層形成工程Ｓ３では、第１層１０及び空洞部分１１の上に第２層２０が形成される。 - 特許庁

The ridge is formed of a lower part formed of the second second-clad layer, and a ridge contact layer formed of the contact layer.例文帳に追加

リッジは第２の第２クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。 - 特許庁

In a stage where an optical separation layer is formed on a second information layer, the second information layer is initialized.例文帳に追加

第２の光学情報層の上に、光学分離層を形成した段階で、第２の光学情報層を初期化する。 - 特許庁

An SAS structure is formed with a second guide layer 15, a current blocking layer 16, and a second clad layer 18.例文帳に追加

第２ガイド層１５，電流ブロッキング層１６および第２クラッド層１８によりＳＡＳ構造が形成されている。 - 特許庁

Removal of a residual part 34a of the second layer is carried out until the second layer 34 and the first layer 26 are flattened.例文帳に追加

第二層の残留部分３４ａの除去は、第二層３４と第一層２６とが平坦化されるまで行われる。 - 特許庁

The ridge has a lower portion formed of the second second clad layer and the ridge-portion contact layer formed of the contact layer.例文帳に追加

リッジは第２の第２クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。 - 特許庁

A first layer 53a of the Si layer 53 is formed by the first condition, and a second layer 53b is formed by the second condition.例文帳に追加

そして、第１条件でＳｉ層５３の第１層５３ａを形成し、第２条件で第２層５３ｂを形成する。 - 特許庁

The semiconductor mesa 15 includes an active layer 19, a second conductive clad layer 21, and a second conductive contact layer 23.例文帳に追加

半導体メサ１５は、活性層１９、第２導電型クラッド層２１および第２導電型コンタクト層２３を含む。 - 特許庁

A wiring board 3 includes a second resin layer 10b and an inorganic insulating layer 11 formed on the second resin layer 10b.例文帳に追加

配線基板３は、第２樹脂層１０ｂと、第２樹脂層１０ｂ上に形成された無機絶縁層１１とを備える。 - 特許庁

The other end part of the second layer 12 is cut, and the length of the second layer 12 is matched with the length of the first layer 11.例文帳に追加

第２の層１２の他端部は切断し、第２の層１２の長さを第１の層１１の長さに一致させる。 - 特許庁

The shield layer 20 incorporates: a first layer 20A disposed on the gap layer 18; a second layer 20C disposed on the first layer 20A; and a third layer 20E disposed on the second layer.例文帳に追加

シールド層２０は、ギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、第１層２０Ａの上に配置された第２層２０Ｃと、第２層２０Ｃの上に配置された第３層２０Ｅを有している。 - 特許庁

An MR element 5 has a first ferromagnetic layer (a free layer 55), a second ferromagnetic layer (a fixed layer 53), and a spacer layer 54 arranged between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

ＭＲ素子５は、第１の強磁性層（自由層５５）と、第２の強磁性層（固定層５３）と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に配置されたスペーサ層５４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device includes an oxide layer on a first silicon layer and a second silicon layer on the oxide layer, and the oxide layer is formed between the first silicon layer and the second silicon layer.例文帳に追加

第１のシリコン層の上の酸化物層と、酸化物層の上の第２のシリコン層とを含み、酸化物層が第１のシリコン層と第２のシリコン層との間にある半導体デバイスが提供される。 - 特許庁

A second microwave unit 7 includes an exposed part 26B in a second conductor layer 16 of the lower layer of a second microstrip line.例文帳に追加

第２のマイクロ波ユニット７は、第２のマイクロストリップライン下層の第２の導体層１６に露出部２６Ｂを有する。 - 特許庁

The semiconductor layer includes a first layer at least functioning as a channel layer and a second layer having higher resistance than the first layer.例文帳に追加

半導体層は、少なくともチャネル層として機能する第１の層と、第１の層よりも高抵抗な第２の層とを含む。 - 特許庁

The interface layer 2, the first seed layer 3, the second seed layer 4 and the wiring layer 6 are laminated on the insulation layer 1 in this order.例文帳に追加

界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６は、この順で絶縁層１上に積層される。 - 特許庁

The magnetization stable layer includes a non-magnetic coupling layer, a first ferromagnetic stable layer, an antiparallel coupling layer, and a second ferromagnetic stable layer.例文帳に追加

磁化安定層は、非磁性結合層／第一の強磁性安定層／反平行結合層／第二の強磁性安定層からなる。 - 特許庁

The semiconductor layer includes a first layer which at least functions as a channel layer and a second layer having a resistance higher than the first layer.例文帳に追加

半導体層は、少なくともチャネル層として機能する第１の層と、第１の層よりも高抵抗な第２の層とを含む。 - 特許庁

The method includes first etching at least a portion of the third layer, by using the second layer as an etching stop layer, exposing at least a portion of the second layer, and second etching at least the exposed portion of the second layer, by using the first layer as an etching stop layer.例文帳に追加

第２膜をエッチングストップ層として使用して、第３膜の少なくとも一部を第１エッチングして、第２膜の少なくとも一部を露出させ、第１膜をエッチングストップ層として使用して、第２膜の少なくとも露出した部分を第２エッチングする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a luminescent layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first electrode layer, and a second electrode layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。 - 特許庁

The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁

The second transistor includes a second interface layer 536 formed on a second channel region of the substrate, a second gate dielectric layer 538 formed on the second interface layer, second gate electrodes 540, 542 formed on the second gate dielectric layer.例文帳に追加

第２のトランジスタは、基板の第２のチャネル領域上に形成された第２の界面層５３６と、第２の界面層上に形成された第２のゲート誘電体層５３８と、第２のゲート誘電体層上に形成された第２のゲート電極５４０，５４２とを具備する。 - 特許庁

The intermediate layer is arranged between the first material layer and the second material layer, and a refractive index of the intermediate layer is smaller than those refractive indexes of the first material layer and the second material layer.例文帳に追加

該間隔層は該第１物質層と該第２物質層の間に配置され、該間隔層の屈折率は該第１物質層の屈折率及び該第２物質層の屈折率より小さい。 - 特許庁

A base sacrifice layer 14, a first metal layer 16, a first sacrifice layer 20, a second metal layer 22, a second sacrifice layer 26 and a third metal layer 28 are sequentially laminated on a silicon substrate 12.例文帳に追加

シリコン基板１２の上に、ベース犠牲層１４，第１金属層１６、第１犠牲層２０、第２金属層２２、第２犠牲層２６、第３金属層２８を順に積層する。 - 特許庁

This plasma treatment device 10 is provided with: a first electrode layer 2A; a first ceramic layer 1A for embedding the first electrode layer 2A therein; a second electrode layer 2B; and a second ceramic layer 1B for embedding the second electrode layer therein.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、第一の電極層２Ａ、第一の電極層２Ａを埋設する第一のセラミック層１Ａ、第二の電極層２Ｂ、および第二の電極層を埋設する第二のセラミック層１Ｂを備える。 - 特許庁

The second layer 13 and the fourth layer 15 are composed of a principal component SiO_2.例文帳に追加

第２層１３及び第４層１５は、主成分がＳｉＯ_2である。 - 特許庁

The electronic device has a first layer and second layer.例文帳に追加

本発明の電子デバイスの一は、第１の層と第２の層とを有する。 - 特許庁

The hardness of the first shield layer is lower than that of the second shield layer.例文帳に追加

第１のシールド層の硬度は第２のシールド層の硬度よりも低い。 - 特許庁

The second layer has dislocation density higher than that of the first layer.例文帳に追加

第１の層の転位密度に比して第２の層の転位密度は高い。 - 特許庁

The second resin layer 5 is provided around the first resin layer 7.例文帳に追加

第１の樹脂層７の周囲に第２の樹脂層５が設けられる。 - 特許庁

The first ventilation layer 12 and the second ventilation layer 16 are made of a nonwoven fabric.例文帳に追加

第一通気層１２及び第二通気層１６は、不織布からなる。 - 特許庁

A first insulating layer 18 is formed on the second semiconductor layer 13.例文帳に追加

第１の絶縁層18は、第２の半導体層13上に形成されている。 - 特許庁

The second layer 18 is more excellent in abrasion resistance than the first layer 14.例文帳に追加

第二層１８は、第一層１４よりも耐摩耗性に優れている。 - 特許庁

The second polymer layer may be a polymer layer which is not fluorinated.例文帳に追加

第２のポリマー層は、フッ素化されていないポリマー層であることができる。 - 特許庁

This stop layer 220 can stand polishing more than the second layer 230.例文帳に追加

ストップ層２２０は、前第２層２３０より研磨に耐えることができる。 - 特許庁

Thereafter, a copper layer is deposited on the second barrier layer, filling the interconnection trench.例文帳に追加

銅層が、第２バリア層に堆積され、配線トレンチに充填される。 - 特許庁

The logo mark part 4 and the score line parts 5 have a laminate structure comprising a first layer and a second layer, in which the first layer and the second layer have different colors.例文帳に追加

ロゴマーク部４およびスコアライン部５は、第１層と第２層とからなる積層構造を有し、第１層と第２層との色彩が異なる。 - 特許庁

The third layer 20E is in contact with the third plane of the second layer 20C.例文帳に追加

第３層２０Ｅは、第２層２０Ｃの第３の面に接している。 - 特許庁