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semiconductor dopingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 362件
SEMICONDUCTOR DEVICE DOPED WITH DOPANT AND DOPING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ドーパントをドーピングした半導体装置及びそのドーピング方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING EQUIPMENT AND ION- DOPING DEVICE例文帳に追加
半導体装置の製造装置、およびイオンドーピング装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PLASMA DOPING SYSTEM例文帳に追加
半導体装置、その製造方法及びプラズマドーピングシステム - 特許庁
DOPING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING APPARATUS THEREOF AND DOPING EQUIPMENT例文帳に追加
ドーピング方法、半導体装置の製造方法、半導体素子の製造方法及びその製造装置、ドーピング装置 - 特許庁
METHOD OF CONTROLLING DOPING CONCENTRATION FOR SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法および半導体素子 - 特許庁
METHOD FOR DOPING IMPURITY TO SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体への不純物ドーピング方法及び半導体装置製造方法 - 特許庁
To provide a doping method of a fin base semiconductor element capable of obtaining a uniform doping along a fin.例文帳に追加
フィンに沿って均一なドーピングが得られるフィンベース半導体素子のドーピング方法を提供する。 - 特許庁
DOPANT DOPING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
不純物添加方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
半導体層のドーピング方法、薄膜半導体素子の製造方法、及び薄膜半導体素子 - 特許庁
To provide a doping method by which efficiency of doping a dopant into a semiconductor melt can be improved, and to provide a doping device.例文帳に追加
半導体融液へのドーパントのドーピング効率を向上させることができるドーピング方法及びドーピング装置を提供すること。 - 特許庁
METHOD FOR DOPING ORGANIC SEMICONDUCTOR WITH QUINONE DIIMINE DERIVATIVE例文帳に追加
有機半導体をキノンジイミン誘導体によってドーピングする方法 - 特許庁
DOPING AGENT SUPPLY DEVICE AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
ドープ剤供給装置及び半導体単結晶製造装置 - 特許庁
DEVICE FOR DOPING ION, METHOD FOR DOPING ION, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加
イオンをドーピングする装置、イオンをドーピングする方法、半導体装置の製法及び薄膜トランジスタの製法 - 特許庁
METHOD OF DOPING IMPURITY INTO SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加
半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板 - 特許庁
To obtain a semiconductor substrate which can suppress not only auto-doping but warping.例文帳に追加
オートドーピングのみならず反りも抑制しうる半導体基板を得る。 - 特許庁
METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD AND APPARATUS FOR DOPING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加
半導体の結晶成長方法、半導体の不純物ドーピング方法およびその装置ならびに半導体材料 - 特許庁
IMPURITY DOPING METHOD FOR SEMICONDUCTOR USED FOR SOLAR POWER GENERATION例文帳に追加
太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法 - 特許庁
TREATMENT METHOD AND ITS APPARATUS FOR ANNEALING AND DOPING SEMICONDUCTOR例文帳に追加
半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 - 特許庁
Thin-film semiconductor devices are produced by means of this ion-doping apparatus.例文帳に追加
薄膜半導体装置はこのイオン注入装置を用いて作成する。 - 特許庁
To provide a method of doping an impurity into a semiconductor which allows an easy doping of an impurity into a semiconductor, and to provide a semiconductor substrate manufactured thereby.例文帳に追加
不純物を半導体へ容易にドーピングすることができる半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR DOPING OF CARBON NANOTUBE BY SOLUTION TREATMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
カーボンナノチューブの溶液処理ドーピング方法、半導体装置および半導体装置の形成方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR DOPING例文帳に追加
半導体装置およびその製造方法ならびに不純物注入方法 - 特許庁
To provide a method for doping III-V compound semiconductor films.例文帳に追加
第III−V族化合物半導体膜をドープする方法を提供する。 - 特許庁
LASER DOPING METHOD AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED BASED ON THE METHOD例文帳に追加
レーザドーピング方法および該方法に基づいて製造された半導体基板 - 特許庁
The light emitting layer, the second doping semiconductor layer and the second electrode are formed on a part of the first doping semiconductor layer in this order.例文帳に追加
前記発光層と、前記第2型ドーピング半導体層と、前記2電極とは、順次、前記第1型ドーピング半導体層の一部分に形成されている。 - 特許庁
The wiring structure of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a conductive doping layer which is formed in a part on the semiconductor substrate, and is doped into the polarity opposite to that of the semiconductor substrate, a conductive layer formed on the doping layer, and an insulating doping layer formed in the lower part of the doping layer.例文帳に追加
半導体基板と、前記半導体基板上の一部に形成され、前記半導体基板と反対極性にドーピングされた導電性ドーピング層と、前記ドーピング層上に形成された導電層と、前記ドーピング層の下部に形成された絶縁性ドーピング層と、を含む半導体素子の配線構造体。 - 特許庁
To provide an ion-doping apparatus that can suppress production of particles at ion injection, and a thin-film semiconductor apparatus that has improved productivity and superior switching property by means of this ion- doping apparatus.例文帳に追加
試料にイオン注入する際にパーティクルの発生を抑制することのできるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
FARADAY CUP EQUIPMENT, ION DOPING SYSTEM, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ファラデーカップ装置およびイオンドーピング装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁
IMPURITY DOPING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
不純物のドーピング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
CONVERGING METHOD OF BEAM, DOPING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ビームの集束方法およびドーピング装置、並びに半導体装置の作製方法 - 特許庁
METHOD FOR DETERMINING DOPING PROFILE OF PARTIALLY ACTIVATED DOPED SEMICONDUCTOR REGION例文帳に追加
部分的に活性化されたドープ半導体領域のドーピングプロファイル決定方法 - 特許庁
METHOD OF DOPING SILICON CARBIDE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
炭化珪素へのドーピング方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁
To provide a lateral semiconductor device which has a nearly uniform doping profile.例文帳に追加
ほぼ均一なドーピングプロファイルを有する横方向半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁
DOPING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPLICATION DEVICE例文帳に追加
ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法 - 特許庁
ION DOPING APPARATUS AND THIN FILM SEMICONDUCTOR MANUFACTURED BY USING THE SAME AND DISPLAY例文帳に追加
イオンドーピング装置とそれを用いて作製した薄膜半導体および表示装置 - 特許庁
ION-DOPING APPARATUS AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR APPARATUS MANUFACTURED BY THE APPARATUS例文帳に追加
イオン注入装置及びこの装置を用いて作成された薄膜半導体装置 - 特許庁
In the manufacture of a semiconductor device, the automatic doping is inhibited for making clear the boundary of a doping region, thus manufacturing an electronic device, having single atom layer doping and modulation doping layers, and superior functions according exactly as designed.例文帳に追加
半導体装置の製造において、オートドーピングを抑制することによりドーピング領域の境界をクリアにすることができるので、単原子層ドーピングや変調ドーピング層を有する高機能電子デバイスが設計通りに製造できる。 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR DOPING NITIROGEN TO GROUP II-VI SEMICONDUCTOR例文帳に追加
2−6族半導体への窒素ドーピング方法と2−6族半導体への窒素ドーピング装置 - 特許庁
To provide an improved method and system of doping semiconductor material with use of a laser.例文帳に追加
半導体材料をレーザードープするための改善された方法およびシステムを提供する。 - 特許庁
STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NARROW DOPING PROFILE例文帳に追加
狭いドーピング・プロファイルを有する高性能半導体デバイスを作成する構造および方法 - 特許庁
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