「semiconductor doping」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The first doping semiconductor layer is arranged on the substrate to cover the photonic crystal.例文帳に追加

前記第1型ドーピング半導体層は、前記基板に配置され、前記フォトニック結晶をカバーする。 - 特許庁

SPATIAL MODULATION DOPING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM DEVICE例文帳に追加

空間変調ドーピング方法、半導体装置の製造方法および量子装置の製造方法 - 特許庁

DOPING MASK AND METHODS FOR MANUFACTURING CHARGE TRANSFER IMAGE DEVICE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT例文帳に追加

ドーピングマスク、これを用いた電荷転送イメージ素子の製造方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

To provide a power semiconductor component comprising a semiconductor base body having a first doping and a method of producing the same.例文帳に追加

本発明は、第１ドーピングを有する半導体ベース体から成るパワー半導体コンポーネントと、その生成方法とを提供する。 - 特許庁

The component has a semiconductor base body having a first doping and a pn junction formed by a contact region having a second doping with a doping profile in the base body.例文帳に追加

コンポーネントは、半導体ベース体を有し、この半導体ベース体は、第１ドーピングと、接触領域によって形成されたｐｎ接合とを有し、この接触領域は、ベース体にドーピング輪郭線を伴った第２ドーピングを有する。 - 特許庁

As long as a fin has a wider spacer, a relatively narrow semiconductor doping area 113 is given, and as long as the fin has a narrower spacer, a relatively broader semiconductor doping area 115 is given.例文帳に追加

広いスペーサを有するフィンほど、相対的に狭い半導体ドーピング領域１１３が与えられ、狭いスペーサを有するフィンほど、相対的に広い半導体ドーピング領域１１５が与えられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a highly doped semiconductor wafer whereby the dislocation-free semiconductor wafer with a small specific resistance is manufactured by using smaller amounts of doping agents compared to the amount used when using a single doping agent.例文帳に追加

高度にドープされた半導体ウェハを製造する方法であって、単一のドープ剤を使用する場合よりも少量のドープ剤で、比抵抗の小さな、転位のない半導体ウェハを製造する。 - 特許庁

This LED structure includes a substrate having a surface and a cylindrical photonic crystal, a first doping semiconductor layer, a first electrode, a light emitting layer, a second doping semiconductor layer and a second electrode.例文帳に追加

このＬＥＤ構造は、表面と円筒形フォトニック結晶とを有する基板と、第1型ドーピング半導体層と、第１電極と、発光層と、第2型ドーピング半導体層と、第2電極と、を備えている。 - 特許庁

The organic semiconductor materials constituting the doping layer and organic semiconductor layer must be the same organic semiconductor material and, in addition, it is preferable to use an acene-based compound as the organic semiconductor material.例文帳に追加

そして、ドーピング層と有機半導体層とを構成する有機半導体材料は同一の有機半導体材料である必要があり、なかでもアセン系化合物が好ましい。 - 特許庁

Furthermore, the method includes a doping step of forming a channel region 306 of a second conductivity type by doping the semiconductor substrate after forming the trench 310.例文帳に追加

又、この方法は、前記トレンチ３１０を形成した後に、前記半導体基板にドーピングを行って第２導電型のチャネル領域３０６を形成するドーピングステップを具える。 - 特許庁

To provide a doping method that achieves shallow junctions of source and drain and has no scattering of element characteristics, and to provide a semiconductor element using the doping method.例文帳に追加

ソース、ドレインの浅接合化を実現するもので、素子の特性がばらつきのないドーピング方法およびそれを用いた半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

As shown in a left part of Figure, a p^--type semiconductor is used for a substrate (1) and then an n^+-layer (3) is formed by doping.例文帳に追加

図４左に示すように、基板(１)にｐ−型半導体を用い、ｎ＋層(３)のドーピングを行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of doping boron (B) shallow but in a high concentration.例文帳に追加

ボロン（Ｂ）を浅く、高濃度にドープすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing the deterioration of device characteristics resulting from doping with Fe.例文帳に追加

Ｆｅのドーピングによるデバイス特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Then, processing for doping hydrogen ions into the semiconductor film 6 transferred on the substrate 1 is carried out.例文帳に追加

そして、基板１上に転写された前記半導体膜６に水素イオンをドープする処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor device structure which can uniformly form a doping profile.例文帳に追加

ドーピングプロファイルを均一に形成することができる半導体装置構造の成長方法を提供する。 - 特許庁

If it departs from the collar dielectric layer, the doping concentration of a second doped semiconductor region decreases.例文帳に追加

カラー誘電体層から離れる場合、第２のドープ半導体領域のドーピング濃度は減少する。 - 特許庁

To provide a ZnO-based semiconductor device associated with a novel n-type doping technique for a ZnO-based semiconductor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体の新規なｎ型ドーピング技術に係るＺｎＯ系半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

IMPURITY DOPING METHOD AND FABRICATION METHOD FOR MEMORY DEVICE, INSULATED GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法、並びに半導体装置の作製方法 - 特許庁

The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other.例文帳に追加

光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 - 特許庁

To easily form Ru doping semi-insulating semiconductor layer having higher insulation with high reproducibility even under a growth environment in which a large amount of hydrogen exists in order to practically use a buried type optical semiconductor element using the Ru doping semi-insulating semiconductor layer.例文帳に追加

Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。 - 特許庁

A joining layer is formed on the surface of a first semiconductor wafer, and the first semiconductor wafer is irradiated with H_3^+ ions by an ion doping device to form a separating layer beneath the joining layer.例文帳に追加

また、水素イオンを添加する時間を短縮し、１枚当たりのＳＯＩ基板の製造時間を短縮することも課題の一とする。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor light emitting device which is equipped with an n-type nitride semiconductor layer at a high doping concentration and exhibits a high crystallinity.例文帳に追加

高いドーピング農度で、かつ結晶性の良いｎ型窒化物半導体層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To obtain desired characteristics in a short time by employing a plasma doping method for a semiconductor device which has fin type semiconductor regions.例文帳に追加

フィン型半導体領域を有する半導体装置においてプラズマドーピング法を用いて短時間で所望の特性が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical component provided with a semiconductor material confinement layer containing acceptor dopants such that the doping is of p-type.例文帳に追加

ドーピングがｐ型ドーピングであるようにアクセプタドーパントを含む半導体材料閉込め層を備える半導体光部品を提供すること。 - 特許庁

To provide a carbon doping method for a nitride semiconductor such that high electron mobility and withstand voltage characteristics are compatible.例文帳に追加

高い電子移動度と耐圧特性を両立する窒化物半導体の炭素ドーピング方法を提供すること。 - 特許庁

The p-type doping density of the first semiconductor layer 109 is substantially uniform with respect to the direction of the layer.例文帳に追加

第一半導体層１０９のｐ型のドーピング濃度は層方向に関して実質的に均一である。 - 特許庁

To decrease the pollution risk of group II-VI semiconductor materials, and to attain accuracy, reproducibility and reliability of doping.例文帳に追加

２−６族半導体材料の汚染リスク低減とドーピングの正確性、再現性と信頼性を実現する。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING EXTREMELY SHALLOW SOURCE/DRAIN EXPANSION PART BY DOPING GATE AND SEMICONDUCTOR RESULTING THEREFROM例文帳に追加

ゲ—トにド—ピングを施し、非常に浅いソ—ス／ドレイン拡張部を作成する方法および結果として得られる半導体 - 特許庁

SEMICONDUCTOR PROBE WITH HIGH RESOLUTION RESISTIVE TIP HAVING DOPING CONTROL LAYER, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ドーピング制御層が形成された高分解能抵抗性チップを備えた半導体探針及びその製造方法 - 特許庁

Both the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 4 constituting a capacitor 13 are composed not of a polysilicon based semiconductor requiring ion doping but of a metal not requiring ion doping.例文帳に追加

キャパシタ１３を構成する下部電極層２および上部電極層４の双方を、イオンドープ処理が必要なポリシリコン系の半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属で構成する。 - 特許庁

In the rectifier element, a doping layer and an organic semiconductor layer are arranged between two electrodes so that the electric charge-injected side of the layers may become a doping layer at forward bias.例文帳に追加

ドーピング層と有機半導体層とを純バイアス時に電荷の注入される側をドーピング層となるように２つの電極間に配置された構造を有する整流素子を提供する。 - 特許庁

To provide a controlling method of doping concentration for semiconductor thin film crystal capable of controlling doping concentration widely and precisely in the case of growing semiconductor thin film crystal growing by LMBE method, and to provide a semiconductor device controlled in carrier concentration.例文帳に追加

ＬＭＢＥ法による半導体薄膜結晶成長において、ドーピング濃度制御方法を広範囲かつ精密に行うことが出来る半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法、および、キャリア密度が精密に制御された半導体素子を提供する。 - 特許庁

The collector region 1 is doped such that the semiconductor area 4 is fully depleted, and the magnitude of the intrinsic electric field in the semiconductor area 4 is at least substantially independent of the applied doping types and the doping concentration in the semiconductor area 4.例文帳に追加

コレクタ領域１は、半導体領域４が完全に空乏化されると共に、半導体領域４における真性電界の大きさが、半導体領域４におけるドーピング濃度及びもたらされるドーピング形から少なくともほぼ独立するようにドーピングされる。 - 特許庁

A method of forming a doped region includes screen printing a paste layer 6 of doping element paste to a substrate 4 and firing the screen printed paste layer of the doping element paste to attain alloying with the doping element, in which a highly pure doping element layer 5 is applied to the semiconductor layer after which the paste layer is screen printed to the doping element layer.例文帳に追加

ドーピング元素ペーストのペースト層６を基板にスクリーン印刷し、該スクリーン印刷したドーピング元素ペーストのペースト層を焼成して行うドーピング元素との合金化により、基板４の半導体層にドープ領域を形成する方法であって、高純度ドーピング元素層５を半導体層に付与した後、ペースト層をドーピング元素層にスクリーン印刷することを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a plasma doping volume reducing method which is capable of reducing a doped work, such as a semiconductor wafer or the like in a doping volume, when the semiconductor wafer has been excessively doped with a dopant, whose dose is more than the specified volume.例文帳に追加

半導体ウェーハ等の被ドーピング材に対してドーパントを規定のドーズ量より過剰にドーピングしてしまった場合に、そのドーズ量を低減することができるプラズマドーピングにおけるドーピング量削減方法を提供する。 - 特許庁

This optical semiconductor is manufactured by effectively doping sulfur or the like partially to titanium oxide so that the optical semiconductor contains a large quantity of sulfur or the like.例文帳に追加

チタンの酸化物の一部に硫黄などをドープすることにより、可視光を含む自然光もしくは人工光源の照射下で光分解機能を得ること。 - 特許庁

Thereafter, on the first diamond semiconductor region 1, a high concentration doped layer 7 (comprising the second and third diamond semiconductor regions) is formed by doping an impurity.例文帳に追加

その後、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、不純物がドープされた高濃度ドープ層７（第２及び第３のダイヤモンド半導体領域）を形成する。 - 特許庁

The semiconductor polymers 2 are formed by doping an insulation polymer material for changing the conductivity to that within a semiconductor region.例文帳に追加

半導体高分子２は、絶縁性高分子材料にドーピング処理を行って、電導度を半導体領域に変化させることによって形成される。 - 特許庁

To protect a semiconductor element under fabrication against impact of auto-doping from a scribe line portion in the process for fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、スクライブライン部分からのオートドーピングの影響が形成中の半導体素子に及び難いようにすることを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure having high mobility of electrons and holes in a doping region, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

ドーピング領域における電子およびホールの移動度が高い半導体構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor probe with a high resolution tip with a doping control layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

ドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the unintended doping(memory effects), caused by the magnesium, can be prevented in the second semiconductor layer 12.例文帳に追加

これにより、第２の半導体層１２はマグネシウムにより生じる意図しないドーピング（メモリ効果）を防止することができる。 - 特許庁

To provide a doping agent supply device controlling the input amount in a single process with high accuracy to prevent the doping agent from scattering or vaporizing, and easily changing the input amount, and to provide an apparatus for producing a semiconductor single crystal equipped with the doping agent supply device.例文帳に追加

ドープ剤の飛散や蒸発を防ぐために一度の投入量を高精度に管理でき、更に投入量を容易に変更することができるドープ剤供給装置及びこのドープ剤供給装置を備える半導体単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

After a semiconductor film having a crystal structure is obtained, a material layer is formed thereon and loaded with boron ions with BF_3 (boron trifluoride gas) as a doping gas using an ion doping device.例文帳に追加

本発明は、結晶構造を有する半導体膜を得た後、その上に材料層を形成し、イオンドーピング装置を用いてＢＦ_3（三フッ化ホウ素ガス）をドーピング用ガスとしてボロンイオンを添加する。 - 特許庁