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semiconductor edgeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1104件
EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE例文帳に追加
端面発光型半導体レーザ素子 - 特許庁
GRINDING METHOD FOR PERIPHERAL EDGE PORTION OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェーハ周縁部の研磨方法 - 特許庁
WET-ETCHING DEVICE FOR EDGE OF SEMICONDUCTOR DISC例文帳に追加
半導体ディスクのエッジのウェットエッチング装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, AND EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ - 特許庁
MANUFACTURE OF EDGE-EMITTING TYPE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
端面発光型半導体レーザの製造方法 - 特許庁
EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, ELECTRONIC EQUIPMENT, CONTROL METHOD OF EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD OF EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
端面発光型半導体レーザ、電子機器、端面発光型半導体レーザの制御方法及び端面発光型半導体レーザの製造方法 - 特許庁
EDGE FAULT DETECTING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR TESTING EQUIPMENT例文帳に追加
半導体試験装置のエッジ不良検出装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DETECTING EDGE例文帳に追加
半導体集積回路及びエッジ検出方法 - 特許庁
EDGE POLISHED NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, EDGE POLISHED GaN FREE-STANDING SUBSTRATE, AND EDGE PROCESSING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
エッジ研磨した窒化物半導体基板とエッジ研磨したGaN自立基板及び窒化物半導体基板のエッジ加工方法 - 特許庁
DEVICE FOR SIMULTANEOUSLY POLISHING FRONT AND BACK EDGE OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウエハーの表裏エッジ同時研磨装置 - 特許庁
EDGE SIGNAL GENERATING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR TESTING APPARATUS例文帳に追加
エッジ信号生成装置及び半導体試験装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SPACE-SAVING EDGE STRUCTURE例文帳に追加
省スペース型のエッジ構造を有する半導体素子 - 特許庁
FORMATION METHOD FOR PROTECTIVE FILM ON EDGE OF SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加
半導体レーザ素子端面保護膜形成方法 - 特許庁
TESTPIECE EDGE PROCESSOR, TESTPIECE EDGE PROCESSING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
試料エッジ処理装置、試料エッジ処理方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
To prevent an edge protective film from flaking, in a semiconductor laser.例文帳に追加
半導体レーザの端面保護膜の剥離を防止する。 - 特許庁
EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
端面発光型半導体レーザおよびその製造方法 - 特許庁
The edge 54 of the second semiconductor chip 5 is projected from the edge 44 of the first semiconductor chip 4, and the edge 202 of the die pad 200 is projected from the edge 44 of the first semiconductor chip 4 in the side where the edge of the second semiconductor chip 5 is projected from the edge of the first semiconductor chip 4.例文帳に追加
第2半導体チップ5の縁部54は第1半導体チップ4の縁部44から突出し、かつ、ダイパッド部200の縁部202は、前記第2半導体チップ5の縁部が前記第1半導体チップ4の縁部から突出した側において、第1半導体チップ4の縁部44から突出している。 - 特許庁
MANUFACTURE OF INTEGRATED EDGE STRUCTURE FOR HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED EDGE STRUCTURE例文帳に追加
高電圧半導体デバイス用集積エッジ構造の製造方法及び該集積エッジ構造 - 特許庁
FRONT AND REAR EDGE SIMULTANEOUS POLISHING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND FRONT AND REAR EDGE SIMULTANEOUS POLISHING METHOD例文帳に追加
半導体ウエハーの表裏エッジ同時研磨装置及び表裏エッジ同時研磨方法 - 特許庁
To provide an inspection apparatus for side edge parts of a semiconductor wafer for efficiently inspecting semiconductor chips existing on the side edge parts of the semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェーハの辺縁部に存在する半導体チップの検査を、効率良く行う半導体ウェーハ辺縁部検査装置を実現する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR WAFER WITH POLISHED EDGE PART例文帳に追加
ポリシングされたエッジ部を備えた半導体ウェハの製造方法 - 特許庁
A semiconductor wafer 27 is mounted on the front edge part of each pin 9.例文帳に追加
各ピン9の先端部に半導体ウエハ27を載置する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR EDGE-LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
側面発光半導体発光装置およびその製造方法 - 特許庁
GRINDING METHOD AND APPARATUS FOR EDGE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体デバイスのエッジ部の研削方法及び研削装置 - 特許庁
By the semiconductor substrate, the semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device, edge dislocation in the GaN layer is reduced, thus improving characteristics in the semiconductor device.例文帳に追加
本発明によれば、GaN層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善することができる。 - 特許庁
An edge 54 of the second semiconductor chip 5 projects from an edge 44 of the first semiconductor chip 4, and an edge 204 of the die pad 200 projects from the edge 44 of the first semiconductor chip 4.例文帳に追加
第2半導体チップ5の縁部54が第1半導体チップ4の縁部44から突出し、かつ、ダイパッド部200の縁部204が第1半導体チップ4の縁部44から突出していることを特徴とする。 - 特許庁
METHOD FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR WAFER AND DEVICE FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR WAFER EDGE例文帳に追加
半導体ウェハを検査するための方法および半導体ウェハのエッジを検査するための装置 - 特許庁
To enhance a throughput of an edge grinding device for a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウエハのエッジ研磨装置のスループットを向上させる。 - 特許庁
EDGE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
端面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法 - 特許庁
EDGE NON-INJECTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
端面非注入型半導体レーザおよびその製造方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING OXIDE FILM AT EDGE OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェーハのエッジ部の酸化膜除去装置および方法 - 特許庁
EDGE EMISSION SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE例文帳に追加
側面発光半導体発光装置およびその製造方法 - 特許庁
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