「semiconductor layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH ELECTRIC FIELD SHIELD LAYER例文帳に追加

電界シールド層を備えた半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER WITH ADHESIVE PROTECTION LAYER例文帳に追加

粘着性保護層を有する半導体ウェハ - 特許庁

The second semiconductor layer may be formed above the first semiconductor layer by being apart therefrom.例文帳に追加

第２の半導体層は、第１の半導体層上に離間して設けられていてもよい。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a substrate.例文帳に追加

半導体層が基板上に形成される。 - 特許庁

The organic semiconductor layer 7 is composed of the heat seal layer of particles of organic semiconductor material.例文帳に追加

有機半導体層７は有機半導体材料粒子の熱融着層からなる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING POROUS LAYER例文帳に追加

多孔質層を含む半導体発光デバイス - 特許庁

A semiconductor laser has an active layer 6.例文帳に追加

半導体レーザは、活性層６を備える。 - 特許庁

Electrodes are connected to the semiconductor layer and the reversely conductive semiconductor layer.例文帳に追加

ところが、ワイヤーのループを低くすれば、ワイヤーが共通電極配線にかかってしまう。 - 特許庁

The semiconductor lower layer 30 and the semiconductor upper layer 40 form a heterojunction 72.例文帳に追加

半導体下層３０と半導体上層４０は、ヘテロ接合７２を構成している。 - 特許庁

An n^- semiconductor layer 2 being an epitaxial layer is provided on a p^- semiconductor substrate.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上にはエピタキシャル層であるｎ^-半導体層２が設けられている。 - 特許庁

The base layer 22 includes a first semiconductor.例文帳に追加

ベース層２２は、第１の半導体を含む。 - 特許庁

A second semiconductor spacer layer 19 is provided on the first semiconductor spacer layer 17.例文帳に追加

第２の半導体スペーサ層１９は、第１の半導体スペーサ層１７上に設けられる。 - 特許庁

The first semiconductor layer includes a first semiconductor layer extending perpendicular to a substrate.例文帳に追加

第１半導体層は、基板に対して垂直方向に延びる第１半導体層を含む。 - 特許庁

Thereafter, a p-type semiconductor layer 2003 is formed on the n-type semiconductor layer 2004.例文帳に追加

次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 74 is formed on the layer 72 to manufacture a semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

その上にＮ型半導体層７４を形成して半導体発光素子を製造する。 - 特許庁

NONDESTRUCTIVE INSPECTION METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

酸化物半導体層の非破壊検査方法、及び酸化物半導体層の作製方法 - 特許庁

PASSIVATION LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGING例文帳に追加

半導体デバイスパッケージング用のパッシベーション層 - 特許庁

Consequently, the semiconductor layer of the sample 10 is etched and etch pits are produced on the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

これにより、試料１０の半導体層はエッチングされ、その表面にエッチピットが出る。 - 特許庁

The semiconductor device has a gate electrode for applying a voltage to the quantum well layer of the semiconductor upper layer.例文帳に追加

半導体上層の量子井戸層に電圧を印加するゲート電極を備えている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 3 is formed on the insulating layer 2 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁層２上にｎ形半導体層３を備える。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体層の形成方法 - 特許庁

On the void nitride semiconductor layer, a nitride semiconductor layer for forming an element is formed.例文帳に追加

ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating layer 30.例文帳に追加

半導体装置は、絶縁層３０を含む。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MIXED CRYSTAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT例文帳に追加

半導体混晶層の製造方法、及び半導体デバイスと半導体発光素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER, DEPOSITING METHOD, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LUMINESCENT DEVICE例文帳に追加

半導体層とその成膜方法、半導体発光素子、及び半導体発光装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体装置の製造方法、半導体装置および半導体層の形成方法 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element includes an n-type nitride semiconductor layer and a nitride semiconductor active layer, has a first p-type nitride semiconductor layer between the n-type nitride semiconductor layer and the nitride semiconductor active layer, and has a second p-type nitride semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type nitride semiconductor layer when viewed from the nitride semiconductor active layer.例文帳に追加

また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate, the buffer layer of a nitride semiconductor that is formed on the semiconductor substrate, and the channel layer of the nitride semiconductor that is formed in an upper layer as compared with the buffer layer.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板上に形成された窒化物半導体のバッファ層と、このバッファ層よりも上層に形成された窒化物半導体のチャネル層とを備える。 - 特許庁

An optical semiconductor element comprises: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; a functional portion provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。 - 特許庁

A nitride semiconductor device 110 comprises: a first semiconductor layer 3; a second semiconductor layer 4; a third semiconductor layer 5; a fourth semiconductor layer 6; a first electrode 10; a second electrode 8; and a third electrode 9.例文帳に追加

窒化物半導体装置１１０は、第１半導体層３、第２半導体層４、第３半導体層５、第４半導体層６、第１電極１０、第２電極８及び第３電極９を備える。 - 特許庁

A first semiconductor layer 2, an active layer 4, a second semiconductor layer 6 and a contact layer 7 are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に第一半導体層２、活性層４、第二半導体層６及びコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

A transparent electrode layer covers the insulating layer and p-type compound semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。 - 特許庁

The semiconductor substrate has a printed board layer and a package resin layer.例文帳に追加

半導体基板は、プリント基板層とパッケージ樹脂層を有する。 - 特許庁

The semiconductor layer 220 is located on the first wiring layer 150.例文帳に追加

半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。 - 特許庁

The charge storage layer surrounds side faces of the first semiconductor layer.例文帳に追加

電荷蓄積層は、第１半導体層の側面を取り囲む。 - 特許庁

The active layer 115 is formed on the lower semiconductor layer.例文帳に追加

活性層１１５は、下部半導体層上に形成されている。 - 特許庁

A reflection layer 16 is formed on end surfaces 14 of the p-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12 and the n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３の端面１４に反射層１６を形成する。 - 特許庁

An active layer 17 contains a gallium nitride-based semiconductor layer 21a.例文帳に追加

活性層１７は窒化ガリウム系半導体層２１ａを含む。 - 特許庁

The gate electrode layer 7 is formed under the semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極層７は半導体層の下に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a luminescent layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first electrode layer, and a second electrode layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer including a layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer including a layer of a second conductivity type and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１導電形の層を含む第１半導体層と、第２導電形の層を含む第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

An optical waveguide core 102 is constructed by laminating: a p-type semiconductor layer 121; an n-type semiconductor layer 122; an insulating layer 123; a modulation layer 124 composed of a p-type semiconductor; an insulating layer 125; a p-type semiconductor layer 126; and an n-type semiconductor layer 127.例文帳に追加

光導波路コア１０２は、ｐ型半導体層１２１、ｎ型半導体層１２２、絶縁層１２３、ｐ型半導体からなる変調層１２４、絶縁層１２５、ｐ型半導体層１２６、ｎ型半導体層１２７が積層されて構成されている。 - 特許庁

A p-type buffer layer 12, a p-type semiconductor layer 14, an n-type semiconductor layer 16, a p-type semiconductor layer 18, an n-type semiconductor layer 20, and an n-type semiconductor layer 30 serving as a light absorbing layer are successively laminated on a p-type substrate 10 to form a pnpn structure.例文帳に追加

ｐ形基板１０上に、ｐ形バッファ層１２，ｐ形半導体層１４，ｎ形半導体層１６，ｐ形半導体層１８，ｎ形半導体層２０、光吸収層であるｎ形半導体層を順次積層し、ｐｎｐｎ構造を作る。 - 特許庁

The structure has a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。 - 特許庁

The structure includes a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type and a luminescent layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。 - 特許庁