「semiconductor layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device comprises a semiconductor layer formed on a substrate, an insulating layer, the semiconductor layer while is so patterned as to expose a part of the semiconductor layer, a barrier layer formed over parts of the exposed insulating layer and semiconductor layer, and a conductive layer formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体デバイスは、基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層の一部を露出させるようにパターニングされた絶縁層と、絶縁層および半導体層の露出部分上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成された導電層とを含んでいる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TWO-LAYER WIRING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

２層配線半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体層の評価方法及び半導体基板の作製方法 - 特許庁

ZnO-BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND ZnO-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体層及びＺｎＯ系半導体発光素子 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

リン化硼素系半導体層、その製造方法、半導体素子 - 特許庁

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体層の形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE AND FORMATION THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体層構造並びにその形成方法及び半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER-INSULATING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

半導体層間絶縁材料及びこれを用いた半導体素子 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子及び窒化物半導体層成長用基板 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER GROWTH SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体層成長用基板およびそれを用いた半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND MANUFACTURING METHOD FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

半導体層の製造方法、および半導体素子、発光ダイオード素子、半導体レーザ素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SUBSTRATE FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER GROWTH AND NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハ - 特許庁

METHOD OF FORMING ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＺｎＯ半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, ORGANIC SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

有機半導体層の形成方法、有機半導体構造物及び有機半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE AS WELL AS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物半導体層、半導体素子及び半導体デバイスおよびそれらの作製方法 - 特許庁

An organic semiconductor element 10 includes a substrate 1, and an organic semiconductor transistor 2 equipped with an organic semiconductor layer 2c which is formed on the substrate and includes organic semiconductor material as well as a gate insulating layer 2b which is formed to adjoin the organic semiconductor layer and includes a cured cardo resin.例文帳に追加

基板１と、前記基板上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層２ｃおよび前記有機半導体層に接するように形成された。 - 特許庁

Accordingly, etching of a semiconductor layer hardly progresses from the boundary surface between an impurity layer and the semiconductor layer, because the semiconductor layer is hardly exposed on the boundary surface due to the thickness of the impurity layer, for example even when the impurity layer is etched rapidly.例文帳に追加

したがって、例えば不純物層が速くエッチングされても、その厚さ分、境界面において半導体層が露出しにくくなるので、境界面から半導体層のエッチングが進行しにくい。 - 特許庁

Each layer of a group-III nitride semiconductor light-emitting element is made of a group-III nitride semiconductor, and the group-III nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type-layer-side cladding layer 103, a light-emitting layer 104, and a p-type-layer-side cladding layer 106.例文帳に追加

各層がIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

Thereafter, a heat treatment is carried out, the second metal is made to enter the upper layer semiconductor layer from the surface of the upper layer semiconductor layer and is made to virtually stop in the lower layer semiconductor layer, thus forming a Shottky electrode.例文帳に追加

その後、加熱処理を行い、第２の金属を上層半導体層表面から上層半導体層に侵入させ、下層半導体層でほぼ停止させてショットキー電極を形成する。 - 特許庁

The holding capacitance is made of a semiconductor layer, where impurities of 1019 atoms/cm3 or higher are added, an insulating layer on the semiconductor layer, and a conductive layer on the insulating layer.例文帳に追加

保持容量は、10^19atomic/cm^3以上の不純物が添加された半導体層と、半導体層上の絶縁層と、絶縁層上の導電層より形成する。 - 特許庁

The semiconductor structure includes a first layer on the semiconductor substrate, a second layer on the first layer, and a third layer on the second layer.例文帳に追加

前記半導体構造は、前記半導体基板上の第１の層、前記第１の層上の第２の層および前記第２の層上の第３の層を具備する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer 3 provided over a semiconductor substrate 1; an active layer 5 arranged over the n-type nitride semiconductor layer; and a p-type nitride semiconductor layer 8 arranged over the active layer.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting device comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a multi-layer structure provided between the first semiconductor layer and the light-emitting portion.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

The electronic element has a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, wherein the first semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a copper oxide, and the second semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a rare earth iron oxide.例文帳に追加

第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子において、第１の半導体層を、酸化銅で形成した酸化物半導体層とし、第２の半導体層を、希土類鉄酸化物で形成した酸化物半導体層とする。 - 特許庁

In addition, the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the first semiconductor layer 101 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the first semiconductor layer 101, and the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the third semiconductor layer 103 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the third semiconductor layer 103.例文帳に追加

加えて、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１とバンドギャップエネルギーが異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３とバンドギャップエネルギーが異なる。 - 特許庁

A multi-layer wiring layer is formed on a semiconductor substrate, and an inductor 3 is provided on an insulating layer 2 of the multi-layer wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に多層配線層を設け、多層配線層の絶縁層２上にインダクタ３を設ける。 - 特許庁

A transparent conductive layer, a first metal layer, a first insulating layer, a semiconductor layer, a second insulating layer, and a sacrificial layer, are sequentially formed on the substrate.例文帳に追加

基板上に透明導電層、第１金属層、第１絶縁層、半導体層、第２絶縁層及び犠牲層を順に形成する。 - 特許庁

On a surface of a substrate 1, a semiconductor layer 30 is formed which has an undoped GaN layer 2, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4, and a p-type semiconductor layer 5 laminated in this order.例文帳に追加

基板１表面には、アンドープＧａＮ層２、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５がこの順に積層した半導体層３０を形成してある。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a first insulation layer 2, a semiconductor layer formed on the upper surface side of the first insulation layer 2, and a second insulation layer 7 formed on the upper surface side of the semiconductor layer.例文帳に追加

第１絶縁層２と、第１絶縁層２の上面側に形成される半導体層と、その半導体層の上面側に形成される第２絶縁層７とから構成されている。 - 特許庁

The invention is the hydrogen gas detecting semiconductor sensor including: a catalytic metal layer (1); a semiconductor layer (2); and an insulating layer (3) disposed between the catalytic metal layer (1) and the semiconductor layer (2).例文帳に追加

本発明は、触媒金属層（１）、半導体層（２）、および触媒金属層（１）と半導体層（２）との間に配置された絶縁層（３）を含む水素ガス感知半導体センサに関する。 - 特許庁

The metal layer 202 is disposed in contact with the n-type semiconductor layer 201.例文帳に追加

金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 - 特許庁

Then, a thin-film semiconductor layer 3 is formed on the porous layer 2.例文帳に追加

次に、薄膜半導体層３を多孔質層２上に作成する。 - 特許庁

The second semiconductor layer is provided on the light-emitting layer.例文帳に追加

前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。 - 特許庁

A semiconductor layer 5 is formed by drying the mixed solution layer 5a.例文帳に追加

混合液層５ａを乾燥させて半導体層５を形成する。 - 特許庁

An electron supply layer 12 that is a second semiconductor layer is formed on an electron transit layer 11 that is a first semiconductor layer.例文帳に追加

第１の半導体層である電子走行層１１上に、第２の半導体層である電子供給層１２が形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITOR FORMED IN MULTI-LAYER WIRING LAYER例文帳に追加

多層配線層内に形成されたキャパシタを有する半導体装置 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element according to an embodiment comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first electrode layer, a luminescent layer, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a third semiconductor layer of the second conductivity type and a second electrode layer connected to the first semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第２半導体層と、第２導電形の第３半導体層と、第１半導体層に接続される第２電極層と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a first layer, a second layer, and a distributed Bragg reflection layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。 - 特許庁

First, a patterned first metal layer, an insulating layer, a semiconductor layer and a second metal layer are formed subsequently on a substrate.例文帳に追加

パターン化された第一金属層１つ、絶縁層１つ、半導体層１つ、第二金属層１つ。 - 特許庁