「semiconductor layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with; a semiconductor layer; a first metal part facing the semiconductor layer; and an insulating layer provided between the semiconductor layer and the first metal part.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層と、半導体層と対向する第１メタル部と、半導体層と第１メタル部との間に設けられた絶縁層とを備える。 - 特許庁

ELECTRODE PATTERN FOR EVALUATION OF SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体層の評価用電極パターン - 特許庁

SEMICONDUCTOR LASER WITH KINK SUPPRESSION LAYER例文帳に追加

キンク抑制層を備えた半導体レーザー - 特許庁

A space is provided under part of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の一部を宙に浮かす。 - 特許庁

MULTI-LAYER WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多層配線基板及び半導体装置 - 特許庁

In a semiconductor device, a body layer 19 is provided in a surface of an N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面にボディ層１９が配置されている。 - 特許庁

The first semiconductor layer 15 and the second semiconductor layer are in contact with each other.例文帳に追加

前記第１の半導体層１５と前記第２の半導体層とが接している。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 is provided with a window layer 2 and a semiconductor layer 3.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ウインドウ層２と、半導体層３とを備えている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device has a substrate 110, an n-type semiconductor layer located above the substrate 110, a semiconductor light emitting layer located above the n-type semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer located above the semiconductor light emitting layer.例文帳に追加

基板１１０と、基板１１０の上方に位置しているｎ型半導体層と、ｎ型半導体層の上方に位置している半導体発光層と、半導体発光層の上方に位置しているｐ型半導体層とを備えている。 - 特許庁

A joint 40 of a semiconductor layer 20 and an alloying layer 31 is embedded into the semiconductor layer 20.例文帳に追加

半導体層２０と合金化層３１との接合部４０が、半導体層２０内に埋め込まれている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor layer 24, a first insulation layer 48, and a second insulation layer 50.例文帳に追加

半導体素子は、半導体層２４と、第１絶縁層４８と、第２絶縁層５０を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device has an SOI substrate structure, comprising a semiconductor support substrate, an insulating layer formed on the semiconductor support substrate, and an SOI layer formed on the insulating layer.例文帳に追加

また、素子破壊に至る許容電力を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device including a transistor having an oxide semiconductor layer, the oxide semiconductor layer is provided for a trench formed in an insulation layer.例文帳に追加

また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。 - 特許庁

The semiconductor region 15 includes a first conductivity type semiconductor layer 23, an active layer 25, and a second conductivity type semiconductor layer 27.例文帳に追加

半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。 - 特許庁

Next, after forming a polysilicon semiconductor layer as a semiconductor layer, an amorphous silicon semiconductor layer is continuously formed without breaking the vacuum.例文帳に追加

次に半導体層としてポリシリコン半導体層を成膜後アモルファスシリコン半導体層を真空をやぶらずに連続成膜する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１半導体層と、活性層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 6, intrinsic semiconductor layer, and p-type semiconductor layer 5 are continuously arranged in this order to form a pin diode structure.例文帳に追加

ｎ型半導体層６、真性半導体層およびｐ型半導体層５の順で連続したｐｉｎダイオード構造となる。 - 特許庁

After the laser beam irradiation, the single crystal semiconductor layer is heated at a temperature at which the single crystal semiconductor layer is not melted, so that the lifetime of the single crystal semiconductor layer is improved.例文帳に追加

レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 - 特許庁

A rectifier element layer 21 includes: a semiconductor layer 24; an electrode layer 23 provided on one end side of the semiconductor layer 24; an electrode layer 26 provided on the other end side of the semiconductor layer 24; and an electrode layer 25 provided between the electrode layer 26 and the semiconductor layer 24.例文帳に追加

整流素子層２１は、半導体層２４と、半導体層２４の一端側に設けられた電極層２３と、半導体層２４の他端側に設けられた電極層２６と、電極層２６と半導体層２４の間に設けられた電極層２５とを備える。 - 特許庁

The second semiconductor deposit layer 118 includes a first semiconductor layer 118a, a second semiconductor layer 118b, a barrier layer 118c and a current constriction layer 111.例文帳に追加

第２の半導体堆積層１１８は、第１半導体層１１８ａ、第２半導体層１１８ｂ、障壁層１１８ｃ、および電流狭窄層１１１を含む。 - 特許庁

The semiconductor stack structure includes a p-type compound semiconductor layer, an active layer, and an n-type compound semiconductor layer, and the p-type compound semiconductor layer is positioned closer to a support substrate side than the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

半導体積層構造体はｐ型化合物半導体層、活性層及びｎ型化合物半導体層を有し、ｐ型化合物半導体層がｎ型化合物半導体層よりも支持基板側に位置する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a first semiconductor layer of a first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type; a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electrode layer electrically connected to the first semiconductor layer; and a second electrode layer electrically connected to the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１半導体層と導通する第１電極層と、第２半導体層と導通する第２電極層と、を備える。 - 特許庁

First, the semiconductor substrate serving as a base of the semiconductor layer is prepared.例文帳に追加

まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板上にＮ型の半導体層とＰ型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR LAYER AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

半導体素子、半導体層および半導体層の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING END FACE OF SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体層の端面の形成方法および半導体装置 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物半導体層、窒化物半導体素子とその製造方法 - 特許庁

The semiconductor layer 12 is formed on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体層１２は半導体基板１１に形成されている。 - 特許庁

ETCHING OF SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The upper barrier layer is composed of a p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor, especially an amorphous boron phosphide-based semiconductor.例文帳に追加

特に非晶質のリン化硼素系半導体とする。 - 特許庁

The substrate for the light-emitting element includes a semiconductor layer (an n-type semiconductor layer 5, a light-emitting layer 6, a p-type semiconductor layer 7, and a substrate 4) including the light-emitting layer 6, and the base substrate 2 bonded to the semiconductor layer through an intermediate layer 35.例文帳に追加

発光素子用基板は、発光層６を含む半導体層（ｎ型半導体層５、発光層６、ｐ型半導体層７、基板４）と、半導体層と中間層３５を介して接合された基礎基板２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 heterojunctioned with the first semiconductor layer 1.例文帳に追加

半導体装置の一態様には、第１の半導体層１と、第１の半導体層１とヘテロ接合した第２の半導体層２と、が設けられている。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, FORMATION METHOD OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER, FORMATION METHOD OF POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

単結晶半導体層の形成方法、結晶性半導体層の形成方法、多結晶半導体層の形成方法、及び、半導体装置の作製方法 - 特許庁

A semiconductor device 100 has a substrate 110, an n-type semiconductor layer 130, a semiconductor light emitting layer 140 and a p-type semiconductor layer 150 in this order.例文帳に追加

半導体素子１００は、基板１１０、ｎ型半導体層１３０、半導体発光層１４０、及びｐ型半導体層１５０を、この順に備える。 - 特許庁

For example, let the first covering layer be an insulation layer 30, and let the second covering layer be an outer semiconductor layer 40.例文帳に追加

例えば、絶縁層30を第一被覆層とし、外部半導電層40を第二被覆層とする。 - 特許庁

For instance, an insulating layer 30 is used as the first covering layer and an external semiconductor layer 40 is used as the second covering layer.例文帳に追加

例えば、絶縁層30を第一被覆層とし、外部半導電層40を第二被覆層とする。 - 特許庁

The semiconductor layer includes a lower clad layer 104, an active layer 105, and an upper clad layer 106.例文帳に追加

半導体エピタキシャル層は、下部クラッド層１０４、活性層１０５、上部クラッド層１０６を含む。 - 特許庁

The luminescent layer is provided between the first semiconductor layer and the first electrode layer.例文帳に追加

発光層は、第１半導体層と第１電極層との間に設けられる。 - 特許庁

The light-emitting element includes a semiconductor layer 51, and a gold electrode layer 52 formed on the semiconductor layer 51 and electrically connected to the semiconductor layer 51.例文帳に追加

半導体層５１と、この半導体層５１上に形成され、前記半導体層５１との電気的に接続される金電極層５２を有する。 - 特許庁

The semiconductor element layer 3 and cooling layer 8 are in such a relationship that the semiconductor element layer 3 is cooled in different degrees of cooling depending on many different places inside the semiconductor element layer 3.例文帳に追加

半導体素子層３と冷却層８とは、半導体素子層３の複数部位でそれぞれに互いに冷却度合いが異なる関係にある。 - 特許庁

The first semiconductor deposit layer 114 includes a fist semiconductor layer 114a, a second semiconductor layer 114b and a current catchment basin layer 107a.例文帳に追加

第１の半導体堆積層１１４は、第１半導体層１１４ａ、第２半導体層１１４ｂ、および電流流域層１０７ａを含む。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a light-transmitting layer, a first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁