| 意味 | 例文 |
semiconductor layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24027件
The third conductive layer surrounds the third semiconductor layer and the metal layer via the second gate insulating layer.例文帳に追加
第3導電層は、第2ゲート絶縁層を介して、第3半導体層及び金属層を取り囲む。 - 特許庁
The semiconductor layer contacts the light-transmitting layer between the light-emitting layer and the light-transmitting layer.例文帳に追加
前記半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。 - 特許庁
The each memory subblock comprises a first conductive layer, a second conductive layer, a semiconductor layer, and a third conductive layer.例文帳に追加
メモリサブブロックは、第1導電層と、第2導電層と、半導体層と、第3導電層とを備える。 - 特許庁
In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
P型半導体層と、低抵抗N型半導体層と、高抵抗N型半導体層とを有してなり、PIN構造が形成された半導体受光素子において、前記P型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗N型半導体層が前記P型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁
The second light-emitting region A2 includes: a second semiconductor base layer 142, which is disposed above the first semiconductor base layer 141 and is formed from a semiconductor having the same constituent elements as the first semiconductor base layer 141 and having the different element composition ratio from the first semiconductor base layer 141; and a second semiconductor light-emitting layer 152 stacked on the second semiconductor base layer 142.例文帳に追加
第2発光領域A2では、第1半導体下地層141の上に配置された第1半導体下地層141と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第2半導体下地層142と、その上に積層された第2半導体発光層152とが設けられている。 - 特許庁
METHOD FOR CONTROLLING ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
半導体層の電気的特性制御方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF MULTI-LAYER INTERCONNECTION SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
多層配線の半導体装置の製造方法 - 特許庁
The gate electrode wiring 11 is superposed on the polysilicon semiconductor layer 21 and the dummy polysilicon semiconductor layer 25.例文帳に追加
ゲート電極配線11をポリシリコン半導体層21およびダミーポリシリコン半導体層25に重ねる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH ENERGY BAND QUICK CHANGE LAYER例文帳に追加
エネルギバンド急変層を有した半導体素子 - 特許庁
The light-emitting part is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加
前記発光部は、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられる。 - 特許庁
The organic semiconductor layer 3 has the laminating structure such that an upper organic semiconductor layer 3B is formed on a lower organic semiconductor layer 3A.例文帳に追加
有機半導体層3は、下部有機半導体層3Aの上に上部有機半導体層3Bが形成された積層構造を有している。 - 特許庁
The power semiconductor device has a first main electrode connected to the first semiconductor layer and a second main electrode connected to the fourth semiconductor layer and the fifth semiconductor layer.例文帳に追加
前記第1半導体層に接続された第1主電極と、前記第4半導体層と前記第5半導体層とに接続された第2主電極と、を備える。 - 特許庁
A dielectrics is formed on the semiconductor layer.例文帳に追加
絶縁体が半導体層上に形成される。 - 特許庁
Therefore, the semiconductor layer becomes a continuous semiconductor layer having a thinned region locally.例文帳に追加
従って半導体層は局所的に薄膜化領域を有する連続した半導体層となる。 - 特許庁
The edge E2 of the second semiconductor layer 12 is nearer to the first semiconductor layer 10.例文帳に追加
この第2の半導体層12のエッジE2は、第1の半導体層10に近い側のエッジである。 - 特許庁
A separation layer is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加
また半導体基板に分離層を形成する。 - 特許庁
The U-shape semiconductor layer 35 is formed continuously to the source side columnar semiconductor layer 47b.例文帳に追加
U字状半導体層35は、ソース側柱状導体層47bと連続して形成されている。 - 特許庁
A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, an electrode, a p-type semiconductor layer, and a light-emitting layer.例文帳に追加
実施形態によれば、n形半導体層と、電極と、p形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
The semiconductor photoelectric conversion layer is a semiconductor layer operative to convert light into current.例文帳に追加
半導体光電変換層は、光を電流に変換する作用を持つ半導体層である。 - 特許庁
The groove 4 is penetrated into the semiconductor layer 3 and extended up to the inside of the compound semiconductor layer 2.例文帳に追加
溝4は半導体層3を貫通し、化合物半導体層2の内部にまで延びている。 - 特許庁
This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 20, a first layer 30, and a second layer 40.例文帳に追加
半導体装置1は、半導体基板20と、第1層30と、第2層40とを備える。 - 特許庁
PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION OF PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND PRODUCTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
半導体層の製造方法、光起電力素子の製造方法及び半導体層の製造装置 - 特許庁
The semiconductor layer part 5 includes: a first III-V compound semiconductor layer 7; and a second III-V compound semiconductor layer 9.例文帳に追加
半導体積層部5は、第1のIII−V族化合物半導体層7と、第2のIII−V族化合物半導体層9とを備える。 - 特許庁
A carrier travelling semiconductor layer 15 is positioned between a spacer semiconductor layer 17 and a support 13.例文帳に追加
キャリア走行半導体層15はスペーサ半導体層17と支持体13との間に位置する。 - 特許庁
An N-type semiconductor layer 13 is formed further on the surface of the P+-type semiconductor layer 8.例文帳に追加
P+型半導体層8の表面には、さらにN型半導体層13が形成されている。 - 特許庁
To prevent a crack in a semiconductor layer when growing the semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加
基板上に半導体層を成長する際に該半導体層にクラックを生じさせないようにする。 - 特許庁
The pn junction is formed by an n-type semiconductor layer 9 formed on a semiconductor substrate 7 and a p-type semiconductor layer 10 laminated on the n-type semiconductor layer.例文帳に追加
このpn接合部は、半導体基板7に形成されたn型半導体層9とその上に積層されたp型半導体層10とにより構成されている。 - 特許庁
An active layer (not shown) composed of a nitride semiconductor material is formed between the n-type semiconductor layer 2 and the p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加
n形半導体層2とp形半導体層3との間には窒化物半導体材料からなる活性層(図示せず)が設けられている。 - 特許庁
GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, LIGHT EMITTING LAYER, AND III-GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
III族窒化物半導体層、発光層およびIII族窒化物半導体発光素子 - 特許庁
An organic semiconductor multilayer film includes an organic semiconductor layer, including at least a carbon nanotube and a liquid crystalline organic semiconductor, and an oriented layer which is in contact with the organic semiconductor layer.例文帳に追加
少なくともカーボンナノチューブと液晶性有機半導体を含む有機半導体層と、該有機半導体層に接する配向層とを有する有機半導体積層膜。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor device capable of expanding a depletion layer to both sides of a p^- type semiconductor layer and an n^- type semiconductor layer.例文帳に追加
p^−型半導体層とn^−半導体層側の両方に空乏層を拡大することができる光半導体装置を提供する。 - 特許庁
A thickness of the first semiconductor layer 12n is smaller than that of the second semiconductor layer 13p.例文帳に追加
第1の半導体層12nの厚みは、第2の半導体層13pの厚みよりも薄い。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR CONTAINING ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
有機半導体層を含む電界効果トランジスタ - 特許庁
The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加
前記p形半導体層は、前記n形半導体層と前記電極との間に設けられる。 - 特許庁
ELECTRODE PATTERNS FOR EVALUATION OF SEMICONDUCTOR LAYER, AND EVALUATING METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER USING THE SAME例文帳に追加
半導体層の評価用電極パターンおよびそれを用いた半導体層の評価方法 - 特許庁
COPPER WIRING LAYER, METHOD OF FORMING COPPER WIRING LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
銅配線層、銅配線層の形成方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
The upper semiconductor layer is a second conductive layer formed on the active layer 106.例文帳に追加
上部半導体層は、活性層106上に形成された第2導電型の層である。 - 特許庁
A first semiconductor layer is disposed between the second electrode layer and the second reflection layer.例文帳に追加
第1半導体層は、第2電極層と第2反射層との間に配置される。 - 特許庁
The nitride semiconductor layer comprises: a ground layer; and a functional layer.例文帳に追加
実施形態によれば、下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体層が提供される。 - 特許庁
The light-emitting layer is provided on the first semiconductor layer and includes an active layer.例文帳に追加
前記発光層は、前記第1半導体層の上に設けられ活性層を有する。 - 特許庁
A first semiconductor layer and a first electric insulating layer are successively formed on the sacrifice layer.例文帳に追加
この犠牲層の上に第1半導体層、第1電気絶縁層を順次形成する。 - 特許庁
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