「surface thin layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The ferroelectric stacked-layer structure is fabricated by forming a first polycrystalline ferroelectric film 3a of polycrystal on a polycrystalline or amorphous substrate, and then planarizing a surface of the first ferroelectric film 3a, and laminating on the first ferroelectric film 3a having been planarized a second thin ferroelectric film 3b having the same crystalline structure as the first ferroelectric film 3a.例文帳に追加

多結晶又は非晶質の基板上に、多結晶からなる第１の強誘電体膜３ａを形成した後、第１の強誘電体膜３ａの表面を平滑化処理し、平滑化処理された第１の強誘電体膜３ａ上に、第１の強誘電体膜３ａと同一の結晶構造を有する薄膜の第２の強誘電体膜３ｂを積層して、強誘電体積層構造を製造する。 - 特許庁

To provide a heat-shrinkable thermoplastic resin tube excellent in shrink characteristics or perforation properties at the time of coating of a part such as a charge roller or the like, realizing thickness equal to that of a conductive film layer using a conventional conductive coating liquid, excellent in electric characteristics and chemical stability in spite of a thin-walled product and also excellent in surface smoothness and mechanical processability.例文帳に追加

帯電ローラーなどの部品に被覆する際、収縮特性や開口性に優れると共に、従来の導電性コーティング液を使用した導電性被膜層と同等の厚みを実現し、更に薄肉の製品にもかかわらず、電気特性、化学的安定性に優れ、また表面平滑性および機械加工性にも優れた熱収縮性熱可塑性樹脂チューブを提供することを目的とする。 - 特許庁

The thin film transistor manufacturing method comprises irradiating an amorphous semiconductor film on an insulating surface with a laser beam scanned over the irradiated region to crystalline the amorphous semiconductor film and forming an active layer including a source region, a drain electric and a channel forming region, using the crystallized semiconductor film.例文帳に追加

絶縁表面上の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は、固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

A strong field drift layer 6 is constituted of at least grains 51 of pillar-shaped polycrystalline silicon, thin silicon oxide films 52 formed on surfaces of the grains 51 numerous silicon crystallites 63 of nanometer order, existing among the grains 51 and numerous silicon oxide films 64 which are insulating films of film thicknesses smaller than the grain sizes of the silicon crystallites 63 formed on the surface of respective silicon crystallites 63.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、少なくとも、柱状の多結晶シリコンのグレイン５１と、グレイン５１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜５２と、グレイン５１間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶６３と、各シリコン微結晶６３の表面に形成され当該シリコン微結晶６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜である多数のシリコン酸化膜６４とから構成される。 - 特許庁

A voltage is applied to the conductive structure in order to electrically control the electrode body, and a selective change in electric characteristic occurring when the target substance is adsorbed to the surface of the substance adsorbing thin-film layer, is measured, thereby detecting the target substance.例文帳に追加

保護配位子を有するプルシアンブルー型金属錯体超微粒子を含有させた分散液により形成した物質吸着薄膜層を、導電性構造体に設けたセンサ用電極体であって、前記導電性構造体に電圧を印加して前記電極体を電気的に制御し、前記物質吸着薄膜層の表面に目的物質が吸着したときの選択的な電気特性変化を測定することにより、その目的物質を検知しうるセンサ用電極体。 - 特許庁