「variable capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目)

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variable capacitanceの部分一致の例文一覧と使い方

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例文

These pairs of variable capacitance elements are controlled by control voltage VCNT applied to a loop control terminal 3 and electrically separated/connected from/to a VCO body by switching transistors 101a, 102a, 103a, 101b, 102b and 103b being switch elements turned on/off by bandwidth setting signals VSW1, VSW2 and VSW3.例文帳に追加

これらの可変容量素子対は、ループコントロール端子３に印加されるコントロール電圧ＶＣＮＴにより制御されると同時に、帯域設定信号ＶＳＷ１、ＶＳＷ２、ＶＳＷ３によってオンオフされるスイッチ素子であるトランジスタ１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂの切替により、ＶＣＯ本体に電気的に分離・接続される。 - 特許庁

An adaptive control part 109 measures a detection value of a reflected power outputted from a reflected power detection part 103 and reads out a phase angle and a capacity value from a storage part 110 as initial values on the basis of a measurement result and adaptively controls the phase angle and variable capacitance capacitors Cp and Cs so as to minimize the reflected power.例文帳に追加

適応制御部１０９は反射電力検出部１０３から出力された反射電力の検出値を測定し、測定結果に基づいて、記憶部１１０から位相角と容量値を初期値として読み出し、反射電力が最小となるように位相角と可変容量コンデンサＣｐ及びＣｓを適応的に制御する。 - 特許庁

Since any one resonator is selected by controlling the capacitance characteristics of the variable capacity diode with an input voltage from the voltage control terminal Vcont to satisfy or not satisfy the oscillation conditions, a frequency switching oscillator where the circuit current required for frequency switching is reduced sharply can be realized.例文帳に追加

そして電圧制御端子Ｖｃｏｎｔからの入力電圧により可変容量ダイオードが有するキャパシタンス特性を制御して発振条件の成立／不成立を起こすことで何れか一つの共振部を選択するよう機能するので、周波数切り替えに要する回路電流を大幅に低減した周波数切替式発振器を実現することができる。 - 特許庁

The condenser microphone unit comprises a diaphragm, a diaphragm holder to which the diaphragm is bonded, and a fixed electrode arranged opposite to the diaphragm through a clearance and constituting a condenser together with the diaphragm, and the condenser microphone unit is such that the capacitance of the condenser unit used in an attenuator connected in series is variable.例文帳に追加

振動板と、この振動板が固着された振動板保持体と、上記振動板に隙間をおいて対向配置され上記振動板との間でコンデンサを構成する固定極とからなるコンデンサマイクロホンユニットと直列に接続する減衰器に用いるコンデンサユニットの静電容量が可変であることを特徴とするコンデンサマイクロホンユニットによる。 - 特許庁

例文

In the antenna system 1, a chip antenna 4 configured by winding a radiation conductor 10 on a surface of a prismatic base body 9 in a band shape and dispersing variable capacitance elements 11 is mounted on a printed circuit board 2 via a plurality of metal leg pieces 3 and each of the metal leg pieces 3 is soldered to the radiation conductor 10 on a bottom surface of the chip antenna 4.例文帳に追加

アンテナ装置１は、角柱状の基体９の表面に放射導体１０を帯状に巻装すると共に可変容量素子１１を分散させてなるチップアンテナ４を、複数個の金属脚片３を介してプリント基板２上に実装したものであり、各金属脚片３はチップアンテナ４の底面で放射導体１０に半田接合されている。 - 特許庁

例文

By changing the interval in between the air-core coil L1 and the shield plate 21 to change the stray capacitance produced between the air-core coil and the shield plate, a video modulation factor of the IC modulator 20 can be adjusted, and then a fixed resistor is used in place of a variable resistor adopted for a conventional video modulation factor adjustment, to simplify the video modulation factor adjustment circuit.例文帳に追加

空心コイルL1とシールド板21との間隔を変化させ、空心コイルとシールド板とに生じる浮遊容量を変化させることにより、ICモジュレータ20の映像変調度を調整でき、従来の映像変調度調整用可変抵抗器に代えて固定抵抗器を使用することができて映像変調度調整回路を簡素化できる。 - 特許庁

A plurality of matching points are made to one matching point by fixing the variable capacitor CFL1 for Load of an FS matching unit FM1 to a predetermined capacitance as the preset conditions for automatic matching, and the ratio of input power and output power is managed to 1:1 for the ICP electrode ID1 and the FS electrode FD1.例文帳に追加

自動整合処理のためのプリセット条件として、ＦＳ整合器ＦＭ１のＬｏａｄ用可変コンデンサＣＦＬ１を所定の容量値に固定することで複数ある整合点を一つにすることにより、ＩＣＰ電極ＩＤ１およびＦＳ電極ＦＤ１に対して入力パワー比と出力パワー比の比率を１：１に管理する。 - 特許庁

The variable capacitor has a function to change its static capacitance upon application of a direct current voltage and a high frequency voltage but, when the effective voltage value of a high frequency voltage is within the voltage value of a direct current voltage, it experiences practically no fluctuation in its static capacity upon high frequency voltage application in the presence of a change upon direct current voltage application.例文帳に追加

直流電圧および高周波電圧を印加することにより静電容量を変化させて使用する可変コンデンサにおいて、高周波電圧の実効電圧値が直流電圧の電圧値の範囲内のときに、直流電圧の印加による静電容量の変化に対して、高周波電圧の印加による変動が実質的にない可変コンデンサである。 - 特許庁

A variable capacitance element includes a movable electrode 3a including: a substrate 10; a signal line 1 provided on the substrate 10; a fixed electrode 7 provided on the substrate 10; a movable part which straddles the signal line 1 to extend above the fixed electrode 7 and is movable to the fixed electrode 7; and a fixed part which is fixed to the fixed electrode 7 with a dielectric layer 9 in between.例文帳に追加

可変容量素子は、基板１０と、基板１０上に設けられる信号線路１と、基板１０上に設けられる固定電極７と、信号線路１を跨いで固定電極７の上方まで延び、前記固定電極７に対して可動である可動部と、固定電極７に誘電体層９を挟んで固定される固定部と、を含む可動電極３ａとを備える。 - 特許庁

例文

The snubber circuit connected in parallel with a target semiconductor element and protecting the semiconductor element from overvoltage comprises a series circuit of a DC power supply of predetermined voltage, and a variable capacitor having a capacitance which decreases as the voltage being applied to the opposite ends of the DC power supply rises and increases as the applying voltage lowers.例文帳に追加

保護対象の半導体素子と並列に接続されて、過電圧から該半導体素子を保護するスナバ回路であって、このスナバ回路は、所定電圧の直流電圧源と、その両端に印加される電圧が高くなるとその静電容量が減少する一方、印加される電圧が低くなると静電容量が増加する可変容量コンデンサとが直列に接続された直列回路を備える。 - 特許庁

例文

Relating to an electronic tuner provided with a voltage- controlled oscillation circuit VCO which controls a parallel resonance circuit using a variable capacitance diode with a tuned voltage, the Q-value of the resonance circuit is prevented from dropping by limiting a tuned voltage to a prescribed positive value or higher by connecting a diode 24 between the tuned-voltage supplying line 20 to the oscillation circuit VCO and a voltage supplying line 28.例文帳に追加

可変容量ダイオードを用いる並列共振回路を同調電圧で制御する電圧制御発振回路ＶＣＯを備える電子チューナにおいて、電圧制御発振回路ＶＣＯへの同調電圧供給ライン２０と電圧供給ライン２８との間にダイオード２４を接続することにより、同調電圧を所定の正の電圧以上に制限して、共振回路のＱの低下を防止する。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

例文

The voltage-controlled oscillator includes a Colpitts oscillation circuit to a transistor of which a series circuit comprising: a WAVE electrode SAW resonator resonated at a prescribed frequency; and a variable capacitance element for controlling the prescribed frequency on the basis of an external control voltage and an extension coil are connected, and the extension coil is connected in parallel with the WAVE electrode SAW resonator the resonance characteristic of which is enhanced.例文帳に追加

本発明の電圧制御型発振器は、所定の周波数で共振するＷＡＶＥ電極型ＳＡＷ共振子と外部からの制御電圧に基づいて所定の周波数を制御する可変容量素子との直列回路と、伸張コイルとをそれぞれトランジスタに接続したコルピッツ型の発振回路を備え、共振特性の改善が図られたＷＡＶＥ電極型のＳＡＷ共振子と並列に前記伸張コイルを接続する。 - 特許庁