| 例文 |
vbgを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18件
Consequently, the output voltage VBG within the allowance range can be obtained in a wider temperature range.例文帳に追加
かくして,より広い温度範囲内で,許容範囲内の出力電圧VBGが得られるようになっている。 - 特許庁
The current Ie is reduced to half, supplied to a resistor 45, and converted into a bandgap voltage VBG.例文帳に追加
電流Ieは1/2に減少されて抵抗45に供給され、バンドギャップ電圧VBGに変換される。 - 特許庁
A reference voltage VBG of a band-gap reference 18 is converted into a constant current by a voltage-current conversion circuit 19.例文帳に追加
バンドギャップリファレンス18の基準電圧VBGは、電圧−電流変換回路19で定電流に変換される。 - 特許庁
When Vz-VF>5 V, the IC11 for a power source outputs the power supply voltage of 5 V based on the reference voltage VBG.例文帳に追加
Vz−VF>5Vの場合であっても、電源用IC11は、基準電圧VBGに基づく5Vの電源電圧を出力する。 - 特許庁
A back ground level VBG corresponding to a level transition of a filtered signal by a SCF(a switched capacitor filter) is calculated (a step S301).例文帳に追加
SCF(スイッチトキャパシタフィルタ)による濾波信号のレベル推移に対応したバックグランドレベルVBGが算出される(ステップS301)。 - 特許庁
A capacitor C1 supplies a voltage Vbg so as to prevent a current from flowing a parasitic diode D2 existing in the transistor M1.例文帳に追加
コンデンサC1は、トランジスタM1に存在する寄生ダイオードD2に電流が流れにくくなるように電圧Vbgを供給する。 - 特許庁
If an output voltage VIN of the voltage divider 1 is equal to a band-gap voltage VBG, collector currents I1 and I2 of the bipolar transistors Q1 and Q2 are coincident.例文帳に追加
分圧回路1の出力電圧VINがバンドギャップ電圧VBGの場合、バイポーラトランジスタQ1,Q2のコレクタ電流I1,I2が一致する。 - 特許庁
A band gap voltage generation part 10 in a reference voltage output part 1 is constituted so as to output output-voltage VBG by NPN transistors Q1, Q2 and resistors R1 to R3.例文帳に追加
基準電圧出力部1のバンドギャップ電圧生成部10は,NPNトランジスタQ1,Q2,抵抗R1〜R3により,出力電圧VBGを出力するように構成されている。 - 特許庁
The BIP chip 20 obtains the constant-voltage VOUT, in conformity with the resistance ratio of the power supply sense resistor, based on the corrected reference voltage (VBG+β) obtained from the adding section 23.例文帳に追加
そして、BIPチップ20は、加算部23で得られた補正基準電圧(VBG+β)により電源検出抵抗の抵抗比に応じた一定電圧VOUTを取得する。 - 特許庁
An error amplifier 3 generates current Id corresponding to difference between charging voltage V (Cref) up to the charging time termination of capacitance Cref supplied to an inverted input terminal through a peak hold circuit 1 and the voltage Vbg of a voltage source Vbg supplied to a noninverted input terminal and supplies the current Id to an LC oscillation circuit 5 and the upper part of a switch element SW1.例文帳に追加
誤差アンプ3は、ピークホールド回路1を介して、反転入力端に供給される容量Crefの充電時間終了時までの充電電圧V(Cref)と、非反転入力端に供給される電圧源Vbgの電圧Vbgとの差に応じた電流Idを生成し、LC発振回路5と、スイッチ素子SW1上方に供給する。 - 特許庁
In this case, the detecting resistor element R3 is made of an element having temperature characteristics similar to those of resistor elements R1 and R2, and the conversion reference power source VREF is generated from band gap reference voltage VBG.例文帳に追加
その場合、検出用抵抗素子R3を、抵抗素子R1,R2と同等の温度特性を備える素子にして、変換用基準電源VREFをバンドギャップ基準電圧VBGより生成する。 - 特許庁
A compensation current application circuit 2 is added to a band gap circuit 1 outputting a voltage VBG formed by adding an output voltage of a differential amplifier T to base-to-emitter voltage of a transistor Q1.例文帳に追加
トランジスタQ1のベース−エミッタ間電圧に差動増幅器Tの出力電圧を加えた電圧VBGを出力するバンドギャップ回路1に対し,補償電流印加回路2を付加した。 - 特許庁
In this way, in the high temperature area in which an output voltage VBG of the band gap circuit 1 shows a negative temperature characteristic, the base-to-emitter voltage of the transistor Q1 is increased by the applied current from the compensation current application circuit 2 for easing the temperature characteristic.例文帳に追加
これにより,バンドギャップ回路1の出力電圧VBGの温度特性が負となる高温域において,補償電流印加回路2の印加電流によりトランジスタQ1のベース−エミッタ間電圧を増加させ,温度特性を緩和している。 - 特許庁
Current to be outputted from a transistor Q16 of a constant current circuit 12 is supplied to a band gap cell circuit 14 as bias current through a current mirror circuit 26 and a constant voltage line 23 from which reference voltage VBG is outputted, folded by the current mirror circuit 26 and becomes bias current of an operational amplifier 15.例文帳に追加
定電流回路12のトランジスタQ16から出力される電流は、カレントミラー回路26と基準電圧VBGが出力される定電圧線23とを通してバンドギャップセル回路14にバイアス電流として供給されるとともに、カレントミラー回路26で折り返されてオペアンプ15のバイアス電流となる。 - 特許庁
This surface emission semiconductor laser includes a first mirror 102, an activation layer 103 formed above the first mirror 102, and a second mirror 106 formed above the activation layer 103, wherein at least any one of the first mirror 102 and the second mirror 106 has a VBG (Volume Bragg Grating) 180.例文帳に追加
本発明に係る面発光型半導体レーザは,第1ミラー102と、第1ミラー102の上方に形成された活性層103と、活性層103の上方に形成された第2ミラー106と、を含み、第1ミラー102および第2ミラー106のうちの少なくとも一方は,VBG(Volume Bragg Grating)180を有する。 - 特許庁
The light emitting device includes a PPLN 12 generating the laser beam of second wavelength by changing wavelength of the laser beam of first wavelength emitted from a surface light emission type laser diode 11, and a VBG 13 transmitting the laser beam of the second wavelength and also reflecting the laser beam of the first wavelength toward the PPLN 12.例文帳に追加
発光装置は、面発光型のレーザダイオード11から出射された第1の波長のレーザ光の波長を変換して第2の波長のレーザ光を生成するPPLN12と、第2の波長のレーザ光を透過するとともに第1の波長のレーザ光をPPLN12に向かって反射するVBG13とを備えている。 - 特許庁
This stabilized direct current power supply device controls a power transistor Q10 on the basis of an output (N2) of a differential circuit by N7 voltage obtained by dividing output voltage by resistors R2 and R3 with a collector of the power transistor Q10 as an output power supply VDD and band gap voltage Vbg and obtains a stabilized output.例文帳に追加
パワートランジスタQ10のコレクタを出力電源VDDとし,その出力電圧を抵抗R2,R3で分圧したN7電圧とバンドギャップ電圧Vbgとによる差動回路の出力(N2)に基づいてパワートランジスタQ10をコントロールし,安定した出力を得る安定化直流電源装置である。 - 特許庁
The comparator 10 outputs a signal for controlling an operating state and a stopping state of an operation circuit using voltage of a VDD terminal 12 which is below the voltage of the VCC terminal 11 as supply voltage by comparing the voltage terminal 11 detected by the VCC detection means 9 with VBG voltage.例文帳に追加
コンパレータ10は、VCC検出手段9によって検出されたVCC端子11の電圧とVBG電圧とを比較することによってVCC端子11の電圧以下であるVDD端子12の電圧を電源電圧とする動作回路の動作状態及び停止状態を制御する信号を出力する。 - 特許庁
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