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あきばちょう12ちょうめの英語
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「あきばちょう12ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 429件
その際、成長させる基板12の厚さを、200μm以上でかつ成長用基体11と基板12との熱膨張率の差により生じる基板12の曲率が0.03cm^-1以下となるようにする。例文帳に追加
Thickness of the substrate 12 to be grown is set at 200 μm or above and the curvature of the substrate 12 caused by the difference of coefficient of thermal expansion between the growth substrate 11 and the substrate 12 is set at 0.03 cm-1 or less. - 特許庁
制御基板13は、側面に向けて電源本体12の出力電圧を調整する出力調整部23を有し、端子部19の向きに対して出力調整部23の向きを変えて電源本体12上に組み合わせ可能とする。例文帳に追加
The control board 13 has an output adjustment section 23 which adjusts the output voltage of the power supply body 12 toward the side surface, and the output adjustment section 23 can be combined on the power supply body 12 while changing the orientation with respect to the orientation of the terminal 19. - 特許庁
たとえば、n型Si基板11の表面に、n型エピタキシャル層12を成長させる。例文帳に追加
For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11. - 特許庁
位置決め機構には被検査基板12の位置を検知するセンサーを備え、一時保管機構22にはその幅を被検査基板12の幅に合わせて調整する幅調整部を備えた。例文帳に追加
The positioning mechanism has a sensor for detecting the position of the substrate 12, and the temporary storage mechanism 22 has a width adjustment unit for adjusting the width thereof according to the width of the substrate 12. - 特許庁
或いは、基板の搬送を行う基板搬送機構12と、基板の温度を調整する温度調整処理ユニット19と、基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニット22と、を一体的に備える。例文帳に追加
Alternatively, the device is integrally provided with the substrate transporting mechanism 12 which transports the substrate, a temperature adjusting unit 19 which adjusts the temperature of the substrate, and the gas atmosphere treatment unit 22 which performs the gas atmosphere treatment on the substrate. - 特許庁
或いは、基板の搬送を行う基板搬送機構12と、基板の温度を調整する温度調整処理ユニット19と、基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニット22と、を一体的に備える。例文帳に追加
Alternatively, the apparatus unitedly includes the substrate transferring mechanism 12 for transferring a substrate, a temperature adjusting treatment unit 19 for adjusting the temperature of the substrate, and the gas atmosphere treatment unit 22 to provide the gas atmosphere treatment for the substrate. - 特許庁
そして、基板11の主表面11a上に、基板11と異なる材料の窒化アルミニウム結晶12が昇華法により成長される。例文帳に追加
An aluminum nitride crystal 12 comprising a material different from the substrate 11 is grown on the main surface 11a of the substrate 11 by a sublimation method. - 特許庁
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「あきばちょう12ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
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本発明のフランジバック調整機構は、フロントフレーム10とセンサ基板取付フレーム12との間にフランジバック調整バネ14を入れ、センサ基板取付フレーム12に前方から力が加わる構造をとる。例文帳に追加
A flange back adjustment mechanism is constructed so that a flange back-adjusting spring 14 is put between a front frame 10 and a sensor substrate mounting frame 12 and force is applied to the sensor substrate mounting frame 12 from the front side. - 特許庁
基板間隔調整装置1は、素子基板51と対向基板52との間隔を調整するための装置であり、下治具11と上治具12とからなる。例文帳に追加
The substrate gap adjusting device 1 for adjusting a gap between a device substrate 51 and a counter substrate 52 is composed of a lower tool 11 and an upper tool 12. - 特許庁
この基板11表面に化合物半導体層12を適当な成長条件でエピタキシャル成長させた場合、基板11から半導体層12への貫通転位の伝搬が抑制されつつ基板11表面の孔13が埋まって、当該基板表面が平坦化される。例文帳に追加
When a compound semiconductor layer 12 is epitaxially grown on the surface of the substrate 11 in an appropriate growing condition, the holes 13 on the surface of the substrate 11 are buried while propagation of through dislocation from the substrate 11 to the semiconductor layer 12 is suppressed and the surface of the substrate are flattened. - 特許庁
基板の移動と同時に、液体の表面張力の減少を液体と基板との間の交線12の近傍で生じさせる。例文帳に追加
Simultaneously with the move of the substrate, decrease in the surface tension of the liquid is generated near an intersection line 12, between the liquid and the substrate. - 特許庁
基板1の両側面には、適長離隔して、外部回路に接続するための電極11、12、電極21、22、電極31、32を設けてある。例文帳に追加
Electrodes 11 and 12 for connections to an external circuit, the electrodes 21 and 22 and the electrodes 31 and 32 are mounted on both side faces of a substrate 1 at proper intervals. - 特許庁
絶縁性の基板上11に、導電性材料からなる閉じたループ状で、周囲の実効長λが、動作周波数の電磁波のほぼ1波長に等しい円形等のアンテナエレメント12を形成したアンテナ10である。例文帳に追加
This antenna 10 has the antenna elements 12 of circular shapes, etc., and each element 12 uses a conductive material of a closed loop shape and has its circumference effective length λ equal to the length of a single electromagnetic wave. - 特許庁
本発明は、長方形の基板10と、楕円形状または直線部分をその長軸方向に有するトラック形状からなり、その長軸が基板10の長辺方向に沿って配置されてなるビアホール12と、を具備することを特徴とするである。例文帳に追加
The semiconductor device includes: a rectangular substrate 10; and a via hole 12 which has an elliptical shape or a track shape having a straight line in the long axis direction and which is formed by arranging the long axis along the long side direction of the substrate 10. - 特許庁
2枚の誘電体基板11,12を貼り合わせる際に、あらかじめ形成しておく凹溝の深さを調整しておくことによって実現できる。例文帳に追加
The depth of preliminarily formed recessed grooves is adjusted when two dielectric boards 11 and 12 are stuck together. - 特許庁
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