ていあるぶみんけっしょうの英語

Ｖ族脱離、あるいはＶ族置換に起因する結晶性の低下、歪変成層の形成を防ぐ結晶の成長方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method of growing a crystal, which prevents reduction in crystallizability of the crystal and formation of a distortion modified layer due to a group V desorption or a group V substitution, in a method of manufacturing a semiconductor element. - 特許庁

多結晶粒子の平均粒径は０．３〜３．０ｍｍであり、単結晶体の安定な雰囲気は不活性ガス雰囲気等である。例文帳に追加

The average particle diameter of the polycrystal particles is 0.3-3.0 mm and the stable atmosphere of the single crystal is an inert gas atmosphere, etc. - 特許庁

結晶を構成する結晶粒の大きさが５×１０^-5ｍｍ^3以上であり、電気抵抗率が１×１０^-5〜１×１０^-4Ωｍの範囲であるようにした。例文帳に追加

The size of the grain of the crystal is controlled to ≥5×10-5 mm3 and the electrical resistance is controlled to 1×10-5-1×10-4 Ωm. - 特許庁

液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶８の引き上げを行うための種結晶６として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が２００個／ｃｍ^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が３０００個／ｃｍ^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。例文帳に追加

In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8. - 特許庁

粗大結晶粒組織を有するアルミニウム素材であって、当該素材表面の平均結晶粒径が２〜１００ｍｍであり、且つ、結晶粒の一部又は全部は、当該素材表面において結晶方位が連続的に変化していることを特徴とするアルミニウム素材。例文帳に追加

The aluminum material having the coarse crystal grain structure is characterized in that the average crystal grain diameter on the surface thereof is 2-100 mm, and a part or the whole of the crystal grain are continuously changed in the crystal orientation on the thereof. - 特許庁

表面に白い粉が付着していることが多いが、これは柿の実の糖分が結晶化したものである。例文帳に追加

There is often white powder on the surface of the fruit, which is from the crystallization of sugar in the persimmon.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

低結晶性ポリプロピレン及び高結晶性ポリプロピレンを含有する結晶性樹脂組成物からなる弾性不織布であって、該低結晶性ポリプロピレンが、以下の（ａ）及び（ｂ）を満たし、かつ示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で測定した上記結晶性樹脂組成物の結晶化温度（Ｔｃ）が２０〜１００℃である弾性不織布及びこの弾性不織布を用いた繊維製品である。例文帳に追加

An elastic nonwoven fabric which is made of a crystalline resin composition comprising a lowly crystalline polypropylene and a highly crystalline polypropylene is provided, wherein the lowly crystalline polypropylene satisfies the following (a) and (b) and the crystalline resin composition has a crystallization temperature (Tc) of as measured with a differential scanning calorimeter (DSC) 20-100°C, and textile products using the elastic nonwoven fabric are provided. - 特許庁

ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。例文帳に追加

A manufacturing method of an AlN crystal 8 comprises: a step for growing the AlN crystal 8 on the surface of an SiC seed crystal substrate 3; and a step for extracting at least a part of the AlN crystal 8b in a range 8a of 2 mm to 60 mm on the AlN crystal 8 side from the surface of the SiC seed crystal substrate 3. - 特許庁