インジウム燐の英語

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements. - 特許庁

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。例文帳に追加

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements. - 特許庁

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。例文帳に追加

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb). - 特許庁

液体封止引上法、縦型ボート法又は横型ボート法により、再現性良く、且つ高収率で燐化インジウム単結晶を得ることを可能にする。例文帳に追加

To obtain an indium phosphide single crystal in a high yield with good reproducibility by a liquid encapsulating Czochralski method, a vertical boat method, or a horizontal boat method. - 特許庁

第１ループ回路は、ＣＭＯＳゲートを用いて実施され、第２ループ回路およびチューニング回路は、燐化インジウム・ゲートを用いて実施されている。例文帳に追加

A first loop circuit is implemented using CMOS gates, and a second loop circuit and the tuning circuit are implemented using indium phosphide gates. - 特許庁

インジウム燐系リッジ装荷型光導波路を作製する際、組成波長が１．１６μｍ以上のＩｎＧａＡｌＡｓ混晶をエッチング停止層２１１に用いることにより所望のリッジ導波路形状（２１２，２１５）を得る。例文帳に追加

Upon manufacturing an optical waveguide of an InP-based ridge load type, an InGaAlAs mixed crystal having a composition wavelength of 1.16 μm or higher is used for an etching stop layer 211 to obtain desired ridge waveguide shapes (212, 215). - 特許庁

銅のような導電性材料を、燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムまたはそれらの組合せのようなドーパントと合金にし、基板表面上へのドープ済みの層の堆積均一性を改善し、且つ導電性材料の酸化を減少させる。例文帳に追加

An electrically conductive material such as copper is alloyed with a dopant such as phosphorus, boron, indium, tin, beryllium or their combination to improve the uniformity of the deposition of the doped layer onto the surface of the substrate and also to reduce the oxidation of the electrically conductive material. - 特許庁

０．０５〜０．３重量％のジルコニウム、および結晶粒微細化のための、１〜２５０ｐｐｍのリンに相当する量のガリウム燐化物および／またはインジウム燐化物、および／または１〜２重量％のＴｉおよび１〜２重量％のＢを有するアルミニウム母合金によって加えられるチタンおよび硼素を含んでもよい。例文帳に追加

The cast alloy can comprise 0.05 to 0.3% zirconium, gallium phosphide and/or indium phosphide in an amount equal to 1 to 250 ppm of phosphorus, and/or titanium and boron added by an aluminum master alloy comprising 1 to 2% Ti and 1 to 2% B for refining crystal grains. - 特許庁