光学バンドギャップの英語

前記第一の表面層は該層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが増加していく関係を満たした領域で形成され、前記第二の表面層は該層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが減少していく関係を満たした領域で形成されたものであることを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor is characterized in that the first surface layer is formed of a region satisfying a relation of an optical band gap increasing with an increase in the carbon atoms contained in this layer and the second surface layer is formed of a region satisfying a relation of the optical band gap decreasing with the increase in the carbon atoms contained in this layer. - 特許庁

半導体基板のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に光学特性、機能等を変更ないし制御できる光学素子である。例文帳に追加

To provide an optical element of which the optical characteristics, functions, etc., can be relatively easily changed or controlled by operation from the outside with respect to electromagnetic waves having photon energy lower than that of the band gap energy of a semiconductor substrate. - 特許庁

これにより、金属性炭素ナノチューブを半導体性炭素ナノチューブに、かつ、エネルギーバンドギャップの狭い半導体性炭素ナノチューブをエネルギーバンドギャップの広い半導体性炭素ナノチューブに変えられるため、電子素子、電気光学的な素子又はエネルギー貯蔵素子などに幅広く利用できる。例文帳に追加

Thereby, since the metallic carbon nanotubes can be changed to the semiconductor like carbon nanotubes and also the semiconductor like carbon nanotubes having a narrow energy band gap to those having a wide energy band gap, such semiconductor like carbon nanotubes are widely utilized as an electronic element, electrooptical element, energy storage element or the like. - 特許庁

バンドギャップエネルギーが４００nm以下の波長範囲にあるｎ−型光半導体粒子をポリシロキサンと混合し、該半導体のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを有する波長の光を照射してポリシロキサンを架橋させた可視光領域に特定の光吸収帯を有さない光学用ポリシロキサン。例文帳に追加

There is provided an optical polysiloxane having no specific light-absorption band in the visible light range, which is formed by mixing a polysiloxane with n-type photosemiconductor particles whose band gap energy is in the wavelength range of below 400 nm and crosslinking the polysiloxane by irradiating light of a wavelength having an energy above the band gap energy of the semiconductor. - 特許庁

特に光学的基板上にコーティング膜をつけるための真空蒸着装置のプラズマ発生源用のカソード電極において、カソード電極は、少なくとも部分的にエネルギーバンドの間に少なくとも３ｅＶの好ましくは最大可能なエネルギーバンドギャップ（ワイドバンドギャップ）を有する材料から成ることを特徴とするカソード電極。例文帳に追加

The cathode electrode is a cathode electrode for the plasma source of a vacuum deposition system for depositing a coating film particularly on a optical substrate, and this cathode electrode is composed of a material which has at least 3 eV energy band gap (wide band gap), preferably the maximal one, between the energy bands. - 特許庁

励起光或いは検索光の波長は、非線形光学結晶に固有な光吸収バンドギャップエネルギーに一致、或いは、若干長波長側にずらした値でもよい。例文帳に追加

The wavelength of the exciting light or retrieval light may have a value matching the light absorption band gap energy intrinsic to the nonlinear optical crystal or slightly shifted to a longer wavelength side therefrom. - 特許庁

電子光学装置において、効率のよい発光ができ、正荷輸送構成要素としての実用性を有する低いバンドギャップを有する（コ）ポリマーを提供する。例文帳に追加

To provide (co) polymers having low band gap which give efficient emission of light and have utility as hole-transporting components in optoelectronic devices. - 特許庁

真性非晶質半導体膜１２，１３の光学的バンドギャップが、非晶質半導体膜１４と接する側において広くなっていることを特徴としている。例文帳に追加

Optical band gaps of the intrinsic amorphous semiconductor films 12, 13 become wide on the side which is in contact with the amorphous semiconductor film 14. - 特許庁